公开(公告)号：CN113219786A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011085310.X

申请日：2020-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴柱铉 ,  金秀珉 ,  金艺灿 ,  金珠英 ,  金珍珠 ,  金贤友 ,  宋炫知 ,  李松世 ,  洪锡九

IPC: G03F1/56 ,  G03F7/004 ,  G03F7/00

Abstract: 提供了光刻方法和制造半导体器件的方法，所述光刻方法包括：在衬底上施用组合物以形成光致抗蚀剂层；使用极紫外辐射(EUV)对光致抗蚀剂层执行曝光工艺；使光致抗蚀剂层显影以形成光致抗蚀剂图案，其中，组合物包括光敏树脂、光酸产生剂、光可分解猝灭剂、添加剂和溶剂，添加剂是由下面的式4A表示的化合物：[式4A]在式4A中，R1至R5均独立地为氢或碘，R1至R5中的至少一者为碘。

公开(公告)号：CN113185432A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202011387643.8

申请日：2020-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金秀珉 ,  金贤友 ,  洪锡九 ,  金艺灿 ,  金珠英 ,  金珍珠 ,  朴柱铉 ,  宋炫知 ,  李松世

IPC: C07C309/12 ,  C07C321/30 ,  C07C319/20 ,  C07C303/22 ,  G03F7/004

Abstract: 提供一种光可分解化合物、光致抗蚀剂组合物和制造集成电路装置的方法。所述光可分解化合物包括：阴离子组分，包括金刚烷基；阳离子组分，包括C5至C40环烃基，并且与阴离子组分形成络合物。所述金刚烷基和所述环烃基中的至少一者具有取代基，所述取代基通过酸而分解并产生碱溶性基团。所述取代基包括酸不稳定性保护基。所述光致抗蚀剂组合物包括化学放大型聚合物、所述光可分解化合物和溶剂。为了制造集成电路(IC)装置，在特征层上使用光致抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂膜，对光致抗蚀剂膜的第一区域进行曝光以在第一区域中从光可分解化合物产生多种酸，化学放大型聚合物由于所述多种酸而脱保护，并且去除第一区域以形成光致抗蚀剂图案。

公开(公告)号：CN107211259A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680006495.6

申请日：2016-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐庆珠 ,  俞汉一 ,  金相尘 ,  朴柱铉 ,  李惠真 ,  李喜贞

IPC: H04W4/22 ,  H04W12/06 ,  H04W76/00 ,  H04L29/06 ,  H04W4/00

CPC classification number: H04W12/08 ,  G06F21/44 ,  G06F21/6218 ,  G06F21/6245 ,  H04L63/105 ,  H04N1/448 ,  H04W4/70 ,  H04W4/90 ,  H04W12/02 ,  H04W12/06 ,  H04L65/1089

Abstract: 本公开涉及用于将用于支持比4G系统更高数据速率的5G通信系统与IoT技术会聚的通信技术及其系统。本公开可在5G通信技术和IoT相关技术的基础上应用于智能服务(例如，智能家居、智能楼宇、智能城市，智能汽车或联网汽车、医疗保健、数字教育、零售、安全和安全相关服务等)。本发明提供用于提高数据安全性的方法，所述方法包括：当从用户设备接收包括与第一隐私级别相关的信息的请求消息时，认证所述用户设备；当作为所述认证的结果所述用户设备是认证的设备时，验证与所述第一隐私级别相关的信息；并且当完成与所述第一隐私级别相关的所述信息的验证时，将基于多个隐私级别处理的图像中的基于所述第一隐私级别处理的图像发送到所述用户设备。