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公开(公告)号：CN1293609C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200310119645.9
申请日：1999-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/027 , G02F1/136 , G03F7/00
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/13458 , G02F1/136204 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , H01L27/1214
Abstract: 本发明公开一种薄膜的光刻方法，包括如下步骤：在基板上形成至少一层薄膜；在所述薄膜上涂敷光致抗蚀层；利用至少一个具有至少三个不同透射量部分的光掩模，使所述光致抗蚀层曝光；使所述光致抗蚀层显影，从而根据不同位置而形成不同厚度光致抗蚀层图案；和对所述光致抗蚀层及薄膜同时进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN1625714A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN02828780.0
申请日：2002-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/133707 , G02F1/1393
Abstract: 在第一绝缘基底上形成彼此交叉的多条栅极线和多条数据线，并在由数据行和栅极行限定的各个象素区上形成具有多个第一切口的多个象素电极。薄膜晶体管连结到每个象素电极。在与第一基底相对的第二基底上形成具有多个第二切口的参考电极。在关于一条数据线彼此相对的两个相邻象素区中的第一切口和第二切口具有关于该数据线的镜面对称性。
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公开(公告)号：CN1165970C
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN99124817.1
申请日：1999-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/027 , G02F1/13 , G02F1/136
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , G02F1/1362 , G02F1/136227 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L29/42384 , H01L29/66765
Abstract: 利用第一光刻步骤，在基板上形成栅线，并连续淀积栅绝缘层和半导体层。淀积可硅化的金属层，从而在半导体层上形成硅化物层，清除剩下的金属层或淀积细微结晶化的经掺杂的非晶硅层，从而形成欧姆接触层。利用第二光刻步骤，将欧姆接触层、半导体层及栅绝缘层图案图形化。此时在栅连接区上形成暴露栅连接区的接触孔。连续淀积ITO层和金属层后，利用第三光刻步骤将其图案图形化，从而形成数据线路、像素电极及冗余栅连接区。之后，清除没有被ITO层或金属层覆盖的欧姆接触层部分。淀积钝化层，再利用第四光刻步骤将其图案图形化，然后，清除没以被钝化层覆盖的像素电极、冗余栅连接区及数据连接区的金属层和半导体层，从而分离相邻两数据线下部的半导体层。
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公开(公告)号：CN1163964C
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN00137010.3
申请日：2000-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴云用
CPC classification number: G02F1/136213 , G02F2001/136272 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/1288
Abstract: 一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列，包括：栅极线路，该栅极线路包括在水平方向形成的栅极线；数据线路，该数据线路包括在垂直方向形成的数据线，其中数据线路与栅极线路相交叉并与所说栅极线路绝缘；象素电极，该象素电极是在通过该栅极线和数据线相交叉限定的象素中形成，用于通过数据线接收图像信号；存储线路，该存储线路，包括存储电极线和连接存储电极线的存储电极，其中，存储线路通过重叠象素电极形成存储电容；和存储线路连接线，至少连接邻近象素的该存储线路。
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公开(公告)号：CN1516244A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN200310119645.9
申请日：1999-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/027 , G02F1/136 , G03F7/00
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/13458 , G02F1/136204 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , H01L27/1214
Abstract: 本发明公开一种薄膜的光刻方法，包括如下步骤：在基板上形成至少一层薄膜；在所述薄膜上涂敷光致抗蚀层；利用至少一个具有至少三个不同透射量部分的光掩模，使所述光致抗蚀层曝光；使所述光致抗蚀层显影，从而根据不同位置而形成不同厚度光致抗蚀层图案；和对所述光致抗蚀层及薄膜同时进行蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1155058C
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN99125805.3
申请日：1999-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/027 , G02F1/13 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/13458 , G02F1/136204 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , H01L27/1214
Abstract: 一种供液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，该制造方法包括步骤：形成栅线路；形成栅绝缘膜图案；形成半导体层图案；形成欧姆接触层图案；形成数据线路；形成钝化层图案；和形成与漏极电极相连接的多个像素极，其中，栅绝缘膜图案，是按不同位置使用不同厚度的光致抗蚀层图案，通过一步光刻工艺，随着半导体层图案、欧姆接触层图案、数据线路、钝化层图案和所述像素极中的至少一个形成的。
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公开(公告)号：CN1257304A
公开(公告)日：2000-06-21
申请号：CN99124817.1
申请日：1999-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/027 , G02F1/13 , G02F1/136
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , G02F1/1362 , G02F1/136227 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L29/42384 , H01L29/66765
Abstract: 利用第一光刻步骤,在基板上形成栅线,并连续淀积栅绝缘层和半导体层。淀积可硅化的金属层,从而在半导体层上形成硅化物层,清除剩下的金属层或淀积细微结晶化的经掺杂的非晶硅层,从而形成欧姆接触层。利用第二光刻步骤,将欧姆接触层、半导体层及栅绝缘层图案化。此时在栅连接区上形成暴露栅连接区的接触孔。连续淀积ITO层和金属层后,利用第三光刻步骤将其图案化,从而形成数据线路、像素电极及冗余栅连接区。之后,清除没有被ITO层或金属层覆盖的欧姆接触层部分。淀积钝化层,再利用第四光刻步骤将其图案化,然后,清除没以被钝化层覆盖的像素电极、冗余栅连接区及数据连接区的金属层和半导体层,从而分离相邻两数据线下部的半导体层。
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公开(公告)号：CN100413077C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN03159732.7
申请日：2003-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：绝缘衬底；在衬底上形成的栅线；在衬底上形成的多个存储导体，每个存储导体包括多个分支；在栅线和存储导体上形成的栅绝缘层；在栅绝缘层上形成的半导体层；在半导体层上形成的数据导体；在数据导体上形成的钝化层；在钝化层上形成的像素电极，其中每一存储导体的最多一个分支具有绝缘端。
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公开(公告)号：CN100378547C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN02828780.0
申请日：2002-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/133707 , G02F1/1393
Abstract: 在第一绝缘基底上形成彼此交叉的多条栅极线和多条数据线，并在由数据行和栅极行限定的各个象素区上形成具有多个第一切口的多个象素电极。薄膜晶体管连结到每个象素电极。在与第一基底相对的第二基底上形成具有多个第二切口的参考电极。在关于一条数据线彼此相对的两个相邻象素区中的第一切口和第二切口具有关于该数据线的镜面对称性。
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公开(公告)号：CN1500227A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN02807476.9
申请日：2002-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1333
CPC classification number: G03F7/0007 , G02F1/1362 , G02F2001/13625 , G03F7/0035 , Y10S438/946
Abstract: 本发明涉及一种在衬底上形成图案的方法以及利用该方法制作液晶显示板的方法。为了减少压合缺陷，各个图案层的拍摄区边界线彼此不重叠以分散。具体地说，根据本发明形成图案的方法，在首先形成第一材料层之后，通过在第一材料层上执行第一光蚀刻形成第一图案，其中第一光蚀刻包括对在至少一个拍摄区边界线两侧的至少两个区域进行分区曝光。随后，在第一图案上形成第二材料层之后，通过在第二材料层上执行第二光蚀刻形成一个第二图案，其中第二光蚀刻包括对在至少一个拍摄区边界线两侧的至少两个拍摄区进行分区曝光，在第二光蚀刻中的至少一个拍摄区边界线与第一光蚀刻中的至少一个拍摄区边界线隔开。通过利用此形成方法制作一种液晶显示板。
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