图像传感器和包括该图像传感器的电子装置

    公开(公告)号:CN117650150A

    公开(公告)日:2024-03-05

    申请号:CN202311088689.3

    申请日:2023-08-28

    Abstract: 一种图像传感器包括:传感器基板,包括分别感测第一波长、第二波长和第三波长的光的第一像素、第二像素和第三像素;分色透镜阵列,改变第一波长、第二波长和第三波长的光的相位,并将相变光分别会聚到第一像素、第二像素和第三像素上。分色透镜阵列包括分别面对第一像素至第三像素的第一像素对应区域至第三像素对应区域。第一像素对应区域包括多个第一纳米柱,第二像素对应区域包括多个第二纳米柱,并且第三像素对应区域包括多个第三纳米柱,第二纳米柱之中具有最大截面宽度的第二中心纳米柱与第二像素的中心重叠,并且第三纳米柱之中具有最大截面宽度的第三中心纳米柱与第三像素的中心不重叠。

    包括纳米光子微透镜阵列的图像传感器及包括该图像传感器的电子装置

    公开(公告)号:CN117352525A

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202310761724.7

    申请日:2023-06-26

    Abstract: 一种图像传感器包括:传感器衬底,包括用于感测入射光的多个像素;以及纳米光子微透镜阵列,布置为面对传感器衬底的光入射表面,并且包括用于会聚入射光的多个纳米光子微透镜。多个像素中的每一个包括:多个光敏单元,二维地布置在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上,并且被配置为独立地感测入射光;以及隔离部,用于将多个光敏单元电隔离,其中纳米光子微透镜中的每一个包括多个纳米结构,该纳米结构被布置使得透射过纳米光子微透镜中的每一个的光具有凸相位轮廓,并且多个纳米结构以二维阵列的形式布置在第一方向和第二方向之间的对角线方向上。

    图像传感器及包括该图像传感器的电子装置

    公开(公告)号:CN117316965A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202310693803.9

    申请日:2023-06-12

    Abstract: 一种图像传感器可以包括像素阵列,该像素阵列包括二维地布置的多个像素。每个像素可以包括:第一超光电二极管,吸收第一波段的光;第二超光电二极管,吸收第二波段的光;以及第三超光电二极管,吸收第三波段的光,其中,第一超光电二极管、第二超光电二极管和第三超光电二极管可以布置在尺寸小于衍射极限的区域中。布置在像素阵列的中心部分中的多个像素中的第一超光电二极管、第二超光电二极管和第三超光电二极管的布置形式可以与布置在像素阵列的外围中的多个像素中的第一超光电二极管、第二超光电二极管和第三超光电二极管的布置形式相同。

    具有元透镜的相机和包括其的电子装置

    公开(公告)号:CN116724559A

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN202280010464.3

    申请日:2022-01-17

    Abstract: 根据在本文件中公开的各种实施例的一种电子装置可以包括:透镜组件,具有其中至少一个元透镜和间隔物堆叠在一起的结构;以及图像传感器组件,附接到透镜组件的一侧以接收穿过透镜组件的光并将光转换成光信号,其中间隔物在图像传感器组件和透镜组件之间固定到透镜组件的一侧,从而形成由间隔物的内侧表面、透镜组件的底表面和图像传感器组件的顶表面限定的空腔。

    光学传感器及包括该光学传感器的电子装置

    公开(公告)号:CN115621290A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202210353175.5

    申请日:2022-04-02

    Abstract: 提供了一种包括平面纳米光子微透镜阵列的光学传感器以及包括该光学传感器的电子装置。光学传感器可以包括:传感器基板,包括多个用于感测光的光敏单元;滤光层,设置在传感器基板上;以及平面纳米光子微透镜阵列,设置在滤光层上,并且包括多个平面纳米光子微透镜,其中,该多个平面纳米光子微透镜在第一方向以及与第一方向垂直的第二方向上二维布置,并且每个平面纳米光子微透镜包括纳米结构,纳米结构布置为使得透射通过每个平面纳米光子微透镜的光在第一方向和第二方向上具有相变曲线凸出的相位分布。

    超颖光学器件和包括超颖光学器件的电子装置

    公开(公告)号:CN114200554A

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202110781609.7

    申请日:2021-07-08

    Abstract: 一种超颖光学器件,包括:多个相位调制区域,被配置为入射光的相位进行调制,多个相位调制区域中的每一个包括多个纳米结构,多个纳米结构的形状和布置是根据针对多个相位调制区域中的每一个所设置的相应规则而确定的;以及补偿区域,位于多个相位调制区域中的彼此相邻的第k相位调制区域和第(k+1)相位调制区域之间并包括补偿结构,所述补偿结构用于根据第k相位调制区域和第(k+1)相位调制区域的相应规则来缓冲在第k相位调制区域和第(k+1)相位调制区域之间的边界区域中发生的有效折射率变化,其中N是多个相位调制区域的数量,k和N是自然数,并且k等于或大于1且小于N。

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