公开(公告)号：CN1432920A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN03105448.X

申请日：2003-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李永宅 ,  徐康德

IPC: G06F12/00 ,  G06F3/00

CPC classification number: G11C7/109 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/1087 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/32 ,  G11C2216/14

Abstract: 提供一NAND闪存装置。该存储装置包括：用于输入和输出M－bit数据(M是任意自然数)的M个输入/输出引脚、第一和第二输入缓冲器电路、一地址寄存器、一指令寄存器和一数据输入寄存器。第一和第二输入缓冲器电路分别接收经由输入/输出引脚输入的M－bit数据的N个最低有效位(N是任意自然数)和N个最高有效位。地址寄存器响应于地址加载信号，接收第一输入缓冲器电路的一输出作为一地址。指令寄存器响应于指令加载信号，接收第一地址缓冲器电路的一输出作为一指令。数据输入寄存器响应于数据加载信号，同时接收第一和第二输入缓冲器电路的输出，作为将被编程的数据。锁存在数据输入寄存器中的M－bit数据经由一数据总线被加载到检测和锁存单元上。

公开(公告)号：CN1171599A

公开(公告)日：1998-01-28

申请号：CN97102929.6

申请日：1994-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔正达 ,  徐康德

IPC: G11C11/34

CPC classification number: G11C7/18 ,  G11C7/12 ,  G11C17/123

Abstract: 一种半导体存储器,包括一由双极晶体管构成的电流驱动晶体管,其连接到相应的位线以增加位线电流。该电流驱动晶体管的收集极由一个接地的阱构成,基极由二个相邻选行晶体管的公共漏区构成。其发射极是一与第一层间隔离层及第二层间隔离层分开排列的多晶硅层,它通过接触孔同时被接到基区和位线。该发射极是形成在作为二个相邻选行晶体管公共漏区的基区中的一个掺杂区。这种存储器件具有提高运行速度和提高集成度的能力。

公开(公告)号：CN1092548A

公开(公告)日：1994-09-21

申请号：CN94100839.8

申请日：1994-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐康德 ,  金镇祺 ,  崔定爀

IPC: G11C14/00 ,  H01L27/112

CPC classification number: G11C16/16 ,  G11C16/12

Abstract: 一种在编程时不必给未选位线加上高的编程禁止电压就能缩小芯片面积和功耗、防止过编程的非易失性半导体存贮器。在块擦除操作中，令被选存贮块的字线处于参考电压，而令未选字线处于浮动态，给衬底加上擦除电压，则处于浮动态的字线就会自动防止通过电容耦合上述擦除电压而被擦除。

公开(公告)号：CN1075572A

公开(公告)日：1993-08-25

申请号：CN92103954.9

申请日：1992-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镇祺 ,  徐康德

IPC: G11C11/34 ,  H01L27/108

CPC classification number: G11C16/3486 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3459 ,  G11C16/3468 ,  G11C2216/14

Abstract: 一种非易失性半导体存储器，及对它的优化编程方法。该存储器的“与非”结构存储单元阵列由一组串联存储单元构成，每个存储单元由半导体基片上的电荷存储层和控制栅极相叠而成，并可通过电荷存储层与基片间的电荷互换实现电擦除。程序状态被优化并通过采用验证电位而避免过度编程。用芯片内部验证功能自动优化编程，芯片的功能得到加强，整个系统性能亦被加强。此外，本发明可用于已有的产品中。