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公开(公告)号：CN110364564A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910226311.2
申请日：2019-03-25
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 崔训诚
IPC: H01L29/06 , H01L21/762 , H01L29/78
Abstract: 本公开提供了半导体器件及其制作方法。一种半导体器件包括通过第一元件隔离层分离的第一导电类型的两个晶体管和第二导电类型的两个晶体管。此外，第一导电类型的两个晶体管通过第二元件隔离层彼此分离，并且第二导电类型的两个晶体管通过第三元件隔离层彼此分离。在示例实施例中，第二元件隔离层和第三元件隔离层比第一元件隔离层浅。
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