半透反射型液晶显示器

    公开(公告)号:CN1841143A

    公开(公告)日:2006-10-04

    申请号:CN200610066907.3

    申请日:2006-03-30

    CPC classification number: G02F1/133555 G02F1/136213

    Abstract: 本发明提供了一种半透反射型LCD,其包括:多个像素,每个像素呈矩阵排列并均包括开关元件;背光源,用于向像素提供光;以及第一、第二、第三、和第四电容器,该电容器被各自连接至开关元件的输出端。每个像素均包括透射区,用于透射来自背光源的光;以及第一反射区和第二反射区,用于反射源自外部环境的光。因此,反射区被分成两个区域,并且辅助电容器设置在两个区域中的一个内。通过控制两个区域的面积比和电压比,透射模式和反射模式的伽玛曲线可合成一条曲线。因此,可以在不考虑改变模式的情况下实现呈现出均匀色感的彩色显示。

    薄膜晶体管阵列面板
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100573882C

    公开(公告)日:2009-12-23

    申请号:CN200610140365.X

    申请日:2006-10-08

    CPC classification number: G02F1/133555 G02F1/136213 G02F2001/134354

    Abstract: 提供了自动匹配反射模式和透射模式的伽马曲线的薄膜晶体管(TFT)阵列面板。该TFT阵列面板包括衬底、在衬底上形成并且包括输入端、输出端和控制端的开关元件。透射电极连接到输出端,并且第一反射电极连接到输出端。在输出端的下一层上形成的存储电极并且与输出端分离以与输出端形成存储电容。第二反射电极形成在输出端的上一层上并且与输出端分离以与输出端形成辅助电容。

    制造液晶显示装置的方法

    公开(公告)号:CN100495148C

    公开(公告)日:2009-06-03

    申请号:CN200710103512.0

    申请日:2007-02-25

    Inventor: 韩美井 崔井乂

    CPC classification number: G02F1/133553 G02F1/133555

    Abstract: 本发明提供一种制造液晶显示装置的方法,包括在绝缘基板上形成透镜部分;以及在该透镜部分之上形成反射膜。所述形成透镜部分包括:在该绝缘基板上沉积第一液体组合物以形成多个第一凸起;使该多个第一凸起硬化;在使该多个第一凸起硬化之后,在该绝缘基板上沉积第二液体组合物以形成多个第二凸起,该多个第二凸起的至少一些凸起沉积在该多个第一凸起中的凸起之间;以及使该多个第二凸起硬化。提供了一种制造液晶显示装置的方法,其能够简化透镜部分的形成。

    制造液晶显示装置的方法

    公开(公告)号:CN101051140A

    公开(公告)日:2007-10-10

    申请号:CN200710103512.0

    申请日:2007-02-25

    Inventor: 韩美井 崔井乂

    CPC classification number: G02F1/133553 G02F1/133555

    Abstract: 本发明提供一种制造液晶显示装置的方法,包括在绝缘基板上形成透镜部分;以及在该透镜部分之上形成反射膜。所述形成透镜部分包括:在该绝缘基板上沉积第一液体组合物以形成多个第一凸起;使该多个第一凸起硬化;在使该多个第一凸起硬化之后,在该绝缘基板上沉积第二液体组合物以形成多个第二凸起,该多个第二凸起的至少一些凸起沉积在该多个第一凸起中的凸起之间;以及使该多个第二凸起硬化。提供了一种制造液晶显示装置的方法,其能够简化透镜部分的形成。

    薄膜晶体管阵列面板
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1956200A

    公开(公告)日:2007-05-02

    申请号:CN200610140365.X

    申请日:2006-10-08

    CPC classification number: G02F1/133555 G02F1/136213 G02F2001/134354

    Abstract: 提供了自动匹配反射模式和透射模式的伽马曲线的薄膜晶体管(TFT)阵列面板。该TFT阵列面板包括衬底、在衬底上形成并且包括输入端、输出端和控制端的开关元件。透射电极连接到输出端,并且第一反射电极连接到输出端。在输出端的下一层上形成的存储电极并且与输出端分离以与输出端形成存储电容。第二反射电极形成在输出端的上一层上并且与输出端分离以与输出端形成辅助电容。

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