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公开(公告)号：CN110416378B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN201910345169.3
申请日：2019-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10H20/832
Abstract: 一种半导体发光装置包括：发光结构，其具有第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；透明电极层，其位于所述第二导电类型半导体层上；以及反射电极结构，其位于所述透明电极层上。所述反射电极结构包括：透光绝缘层，其位于所述透明电极层上且具有绝缘图案，所述绝缘图案的侧面的一部分是敞开的，并且所述透明电极层的接触区由所述绝缘图案之间的区限定；气隙，其位于所述透明电极层和所述绝缘图案之间，所述气隙在所述绝缘图案的侧面的敞开部分中延伸；以及反射电极层，其位于所述绝缘图案上以覆盖所述绝缘图案的敞开部分，所述反射电极层连接至所述透明电极层的接触区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110223999B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN201910154648.7
申请日：2019-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10H29/14 , H10H20/831 , H10H20/833 , H10H20/84 , H10H20/841 , H10H20/857
Abstract: 提供了一种半导体发光装置和制造半导体发光装置的方法。半导体发光装置包括：发光结构，其包括多个半导体层，并且被构造为产生光和将光发射至发光结构外部；透明电极层，其布置在发光结构上；透明保护层，其布置在透明电极层上；分布式布拉格反射器层，其布置在透明保护层上，并且覆盖透明电极层的至少一部分；以及至少一个电极焊盘，其通过孔或过孔连接至透明电极层。
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公开(公告)号：CN109273572B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201810791156.4
申请日：2018-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置包括发光结构、反射电极层和透明覆盖层。发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。反射电极层覆盖第二半导体层的上表面。透明覆盖层位于反射电极层上，覆盖第二半导体层的上表面。透明覆盖层包括尾部，其包括第一部分和第二部分。第一部分覆盖反射电极层的边缘并且具有凸上表面。第二部分比第一部分更薄并且从第一部分延伸。
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公开(公告)号：CN110223999A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910154648.7
申请日：2019-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体发光装置和制造半导体发光装置的方法。半导体发光装置包括：发光结构，其包括多个半导体层，并且被构造为产生光和将光发射至发光结构外部；透明电极层，其布置在发光结构上；透明保护层，其布置在透明电极层上；分布式布拉格反射器层，其布置在透明保护层上，并且覆盖透明电极层的至少一部分；以及至少一个电极焊盘，其通过孔或过孔连接至透明电极层。
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公开(公告)号：CN110085716A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910035212.6
申请日：2019-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光器件包括：发光结构，其包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；所述第二导电类型半导体层上的第一透明电极层；所述第一透明电极层上的第一绝缘层，所述第一绝缘层包括多个通孔；所述第一绝缘层上的反射电极层，所述反射电极层通过所述多个通孔连接至所述第一透明电极层；以及覆盖所述反射电极层的上表面和侧表面的透明保护层，所述透明保护层位于所述第一绝缘层的一部分上。
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公开(公告)号：CN109273572A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201810791156.4
申请日：2018-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置包括发光结构、反射电极层和透明覆盖层。发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。反射电极层覆盖第二半导体层的上表面。透明覆盖层位于反射电极层上，覆盖第二半导体层的上表面。透明覆盖层包括尾部，其包括第一部分和第二部分。第一部分覆盖反射电极层的边缘并且具有凸上表面。第二部分比第一部分更薄并且从第一部分延伸。
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