公开(公告)号：CN104518208A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410520065.9

申请日：2014-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙寅赫 ,  宋伣在 ,  宋仁庸 ,  崔在万 ,  黄胜湜 ,  丘俊焕 ,  朴钟焕 ,  郑然知

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/583 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01B1/04 ,  H01B13/0016 ,  H01B13/0026 ,  H01M4/0428 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1393 ,  H01M4/366 ,  H01M4/386 ,  H01M4/48 ,  H01M4/587 ,  H01M4/625 ,  Y10T428/292

Abstract: 本发明涉及复合物、其制造方法、碳复合物、及包括它们的器件。所述复合物包括：硅(Si)；式SiOx的硅氧化物，其中0

公开(公告)号：CN109994717B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN201910001030.7

申请日：2019-01-02

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 孙寅赫 ,  金美钟 ,  李柱明 ,  林珉愚 ,  崔正铉 ,  韩圣洙

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M4/587 ,  H01M10/0525 ,  H10N10/855 ,  G01N27/327 ,  G01N27/30

Abstract: 本发明涉及含硅复合物及其制备方法、各自包括其的碳复合物、电极、锂电池和设备。多孔硅复合物包括：包括多孔硅复合二次颗粒的多孔芯；和设置在所述多孔芯的表面上并且包围所述多孔芯的壳，其中所述多孔硅复合二次颗粒包括硅复合一次颗粒的聚集体，所述硅复合一次颗粒各自包括硅、在所述硅的表面上的硅低价氧化物、和在所述硅低价氧化物的表面上的第一石墨烯，其中所述壳包括第二石墨烯，并且所述第一石墨烯和所述第二石墨烯的至少一种包括选自氮、磷和硫的至少一种元素。

公开(公告)号：CN110085856B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN201910057393.2

申请日：2019-01-22

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 文钟硕 ,  金美钟 ,  金世元 ,  沈揆恩 ,  韩圣洙 ,  孙寅赫 ,  李柱明 ,  林珉愚

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明涉及含硅结构体、其制备方法、使用其的碳复合物及各自包括其的电极、锂电池和设备。含硅结构体包括：硅复合物，其包括多孔硅二次颗粒和在所述多孔硅二次颗粒的表面上的第一碳片；在硅复合物上的碳质包覆层，所述碳质包覆层包括第一无定形碳；以及所述硅复合物包括第二无定形碳且具有等于或小于所述碳质包覆层的密度的密度，其中所述多孔硅二次颗粒包括硅复合一次颗粒的聚集体，所述硅复合一次颗粒各自包括硅、在所述硅的表面上的硅低价氧化物、和在所述硅低价氧化物的表面上的第二碳片。

公开(公告)号：CN110085856A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201910057393.2

申请日：2019-01-22

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 文钟硕 ,  金美钟 ,  金世元 ,  沈揆恩 ,  韩圣洙 ,  孙寅赫 ,  李柱明 ,  林珉愚

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明涉及含硅结构体、其制备方法、使用其的碳复合物及各自包括其的电极、锂电池和设备。含硅结构体包括：硅复合物，其包括多孔硅二次颗粒和在所述多孔硅二次颗粒的表面上的第一碳片；在硅复合物上的碳质包覆层，所述碳质包覆层包括第一无定形碳；以及所述硅复合物包括第二无定形碳且具有等于或小于所述碳质包覆层的密度的密度，其中所述多孔硅二次颗粒包括硅复合一次颗粒的聚集体，所述硅复合一次颗粒各自包括硅、在所述硅的表面上的硅低价氧化物、和在所述硅低价氧化物的表面上的第二碳片。