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公开(公告)号：CN110650303B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201910514682.0
申请日：2019-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/766 , H04N25/628
Abstract: 一种图像传感器包括：包括连接到第一列线的第一像素和第二像素的像素阵列，和被配置为控制第二像素的读取操作的行驱动器。在第二像素的读取操作期间，基于第一像素的浮置扩散节点的电压和第二像素的浮置扩散节点的电压当中的较高电压来确定第一列线的电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114245050A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111053373.1
申请日：2021-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 一种图像传感器包括：像素，其被配置为在读出周期期间在高转换增益模式和低转换增益模式下操作；以及相关双采样电路，其被配置为基于斜坡信号和从像素接收的像素电压来生成比较信号。相关双采样电路包括比较器，其被配置为：通过第一输入节点接收像素电压，基于接收到作为像素电压的低转换增益复位信号或低转换增益图像信号通过第二输入节点接收斜坡信号，并且基于接收到作为像素电压的高转换增益复位信号或高转换增益图像信号通过第三输入节点接收斜坡信号；以及将斜坡信号与像素电压进行比较，并输出与比较结果对应的比较信号。
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公开(公告)号：CN113760037A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110356213.8
申请日：2021-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明公开了一种带隙基准电路，包括：第一电流发生器，被配置为生成与温度成比例的第一电流；第二电流发生器，被配置为将通过对第一电流进行镜像而获得的第二电流输出到形成参考电压的第一节点；第一电阻器，该第一电阻器与第一节点连接并被提供有第二电流；以及第一双极结型晶体管(BJT)，该第一BJT包括与第一电阻器连接的发射极节点、被提供有第一电源的基极节点、以及被提供有与第一电源不同的第二电源的集电极节点。
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公开(公告)号：CN111556265A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010078509.3
申请日：2020-02-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种相关双采样电路、改变其输出信号的方法及图像传感器。所述相关双采样(CDS)电路包括比较器，所述比较器包括：信号输入单元，所述信号输入单元包括被配置为接收斜坡信号的第一晶体管以及被配置为接收像素信号的第二晶体管；以及偏移产生单元，所述偏移产生单元连接到所述信号输入单元，所述偏移产生单元包括至少两个晶体管，其中，在所述偏移产生单元中，所述至少两个晶体管在自动调零时间段内的宽长比与所述至少两个晶体管在像素信号译码时间段内的宽长比彼此不同。
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公开(公告)号：CN110650303A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910514682.0
申请日：2019-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器包括：包括连接到第一列线的第一像素和第二像素的像素阵列，和被配置为控制第二像素的读取操作的行驱动器。在第二像素的读取操作期间，基于第一像素的浮置扩散节点的电压和第二像素的浮置扩散节点的电压当中的较高电压来确定第一列线的电压。
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公开(公告)号：CN109672834A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811183738.0
申请日：2018-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种模数转换电路，包括：第一放大器，其通过将从像素阵列输出的像素信号与斜坡信号进行比较来产生第一输出信号；以及第二放大器，其基于第一输出信号产生比较信号。第一放大器包括：第一电流源，其在第一操作时段和第二操作时段中产生第一偏置电流；以及第二电流源，其在第一操作时段中产生第二偏置电流。模数转换电路将从像素阵列输出的模拟信号转换为数字信号。
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