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公开(公告)号：CN110932673B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN201811098567.1
申请日：2018-09-19
Applicant: 恩智浦美国有限公司
Abstract: 一种包含并联陷波滤波器的斩波稳定放大器包括第一跨导放大器，第一斩波电路，其输出耦合到第一跨导放大器的输入，用于斩波输入信号并将斩波输入信号施加到第一跨导放大器的输入，以及第二斩波电路，其输入耦合到第一跨导放大器的输出用于斩波由第一跨导放大器产生的输出信号。乒乓陷波滤波器连接到第二斩波电路的输出，并对由第二斩波电路产生的斩波输出信号执行积分和传递功能，以滤波纹波电压。乒乓陷波滤波器包括并联连接的第一和第二陷波滤波器，每个陷波滤波器具有耦合到第二斩波电路的输出的输入。
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公开(公告)号：CN119483570A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202410982357.8
申请日：2024-07-22
Applicant: 恩智浦美国有限公司
Inventor： 帕斯卡尔·桑德尔 , 托马斯·马拉德 , 安·武·翠·黄 , 马修斯·弗朗西斯·巴基 , 蒂埃里·多米尼克·伊夫·卡萨涅
IPC: H03K17/687 , H03K19/0185
Abstract: 本公开涉及一种自举开关电路。示例实施例包括一种自举开关电路，其包括：正输出节点(109+)；负输出节点；第一输入节点，其被配置成接收第一输入电压；第二输入节点，其被配置成接收第二输入电压。第一、第二、第三和第四开关耦合在所述输入和输出节点之间。耦合在所述第一输入节点与第一时钟信号电路之间的第一负自举电平移位器和第一正自举电平移位器向所述第一和第二开关提供控制信号。耦合在所述第二输入节点与第二接地参考电源线之间的第二负自举电平移位器和第二正自举电平移位器向所述第三和第四开关提供控制信号。所述第一、第二、第三和第四开关中的每个开关包括呈串联连接布置的属于相反类型的第一和第二MOSFET。
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公开(公告)号：CN110970383B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN201910931814.X
申请日：2019-09-27
Applicant: 恩智浦美国有限公司
Abstract: 一种封装半导体装置包括具有输入/输出(I/O)焊盘的基板，半导体管芯附接到所述基板并通过接合线电连接到所述基板。在用模塑料覆盖组件之前，在所述接合线上形成接合线加固结构。所述接合线加固结构防止在模塑期间的线扫动并且保护所述线免于与其它线短接。在一个实施例中，所述接合线加固结构由玻璃纤维和液体环氧树脂混合物形成。
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公开(公告)号：CN119315977A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410921014.0
申请日：2024-07-10
Applicant: 恩智浦美国有限公司
Inventor： 林韦廷
IPC: H03K19/0185
Abstract: 一个例子公开一种电平移位器电路，所述电平移位器电路包括：输入端口，其被配置成接收输入信号(IN)；输出端口，其被配置成传输输出信号(OUT)；延迟电路，其经耦合以从所述输入信号(IN)生成经延迟输入信号(IN_DLY)；脉冲生成器，其耦合到所述延迟电路且被配置成从所述输入信号与所述经延迟输入信号的组合生成脉冲信号；以及锁存电路，其耦合到所述脉冲生成器且被配置成响应于所述脉冲信号而生成和保持所述输出信号的状态。
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公开(公告)号：CN119315130A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410810957.6
申请日：2024-06-21
Applicant: 恩智浦美国有限公司
Inventor： 菲利普·让-皮埃尔·佩鲁乔德 , 菲利普·鲁塞尔 , 盖里克·帕尼斯 , 亚力克西斯·纳塔内尔·于奥-马尔尚
Abstract: 本发明涉及一种电池管理单元BMU，其被配置成与多个电池单元监测电路CMC并行地通信，所述多个CMC被配置成提供对电池单元的监测且存储最初包括预定默认值的链标识符参数，其中所述BMU被配置成执行链标识符参数分配过程，所述链标识符参数分配过程包括将不同链标识符参数分配到所述多个CMC中的每一个，其中所述分配包括使用每一CMC的唯一ID以在分配相应的不同链标识符参数时个别地选择所述多个CMC中的每一个，其中每一CMC的所述唯一ID是由所述BMU响应于所述BMU被配置成使用所述预定默认值并行地向所述CMC发送一个或多个请求消息而接收，所述一个或多个请求消息请求所述CMC将其唯一ID报告给所述BMU。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119230607A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410471556.2
申请日：2024-04-19
Applicant: 恩智浦美国有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 提供一种晶体管装置和制造方法，其中所述晶体管装置可以包括半导体衬底、设置在所述半导体衬底的表面上的第一电介质层、直接设置在所述第一电介质层上的第二电介质层、直接设置在所述半导体衬底的所述表面上的栅极结构，以及间隔结构。穿过所述第一电介质层和所述第二电介质层的第一开口可以对应于栅极沟道。所述第一电介质层和所述第二电介质层的部分可以直接介于所述栅极结构的部分与所述半导体衬底的所述表面之间。所述间隔结构可以设置在所述栅极沟道中且介于所述栅极结构与所述半导体衬底之间。所述间隔结构可以与所述第一电介质层和所述第二电介质层的至少部分地限定所述栅极沟道的相应侧表面接触。
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公开(公告)号：CN119029025A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410471577.4
申请日：2024-04-19
Applicant: 恩智浦美国有限公司
IPC: H01L29/772 , H01L29/423 , H01L29/40 , H01L21/335
Abstract: 本公开涉及具有场板和多部分栅极结构的半导体装置和其制造方法。一种半导体装置包括半导体衬底、源极电极和漏极电极、安置在所述半导体衬底的上表面上方的下部介电层，以及安置在所述下部介电层上方的中间介电层。所述装置还包括具有下部栅极电极和上部栅极电极的多部分栅极结构。所述下部栅极电极由第一导电层的第一部分形成。所述上部栅极电极由第二导电层形成。所述装置另外包括安置在所述下部栅极电极与所述漏极电极之间的下部场板。所述下部场板由所述第一导电层的第二部分形成。形成所述半导体装置的方法使得所述下部栅极电极和所述下部场板能够以自对准方式产生。
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公开(公告)号：CN118940792A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310532613.9
申请日：2023-05-11
Applicant: 恩智浦美国有限公司
Inventor： 马尼什·库马尔·马贾吉 , 焦彬
Abstract: 一种用于部分量化以实现完全量化模型的方法包括量化来自原始机器学习模型(MLM)的多个相应层中的每个层的多个权值和相应激活函数，以生成包括多个冻结经量化权值的经量化MLM。从所述经量化MLM的所述层中的至少一个冻结层提取所述多个冻结经量化权值。依据经更新MLM的至少一个经更新层量化所述多个权值，以生成多个经更新的经量化权值。依据所述原始MLM与所述经更新MLM之间的差异量化所述经更新MLM的所述至少一个经更新层的所述相应激活函数，以形成相应经量化激活函数。依据所述冻结经量化权值、所述经更新的经量化权值和所述相应经量化激活函数生成新的经量化MLM。
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公开(公告)号：CN118900221A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410549850.0
申请日：2024-05-06
Applicant: 恩智浦美国有限公司
Inventor： 丹尼尔·瓦卡卡瓦洛托
Abstract: 一种通信系统，所述通信系统包括：第一调制器，其被配置成基于输入信号以第一频率调制第一周期性信号；第二调制器，其被配置成基于所述输入信号以第二频率调制第二周期性信号；隔离差分信道，其包括隔离电容器，具有连接到所述第一调制器的第一线路和连接到所述第二调制器的第二线路；混频器，其被配置成将从所述差分信道的所述第一线路和所述第二线路接收的信号混频并产生混频器输出信号；带通滤波器，其连接到所述混频器且被配置成对所述混频器输出信号进行滤波；包络检测器，其被配置成检测经滤波混频器输出信号的包络；以及检测器，其被配置成检测所述经滤波混频器输出信号的所述包络中的数据信号并产生输出信号。
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