公开(公告)号：CN215202521U

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202120220228.7

申请日：2021-01-27

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 黎清宁 ,  周昌荣 ,  谢晓宇 ,  袁昌来 ,  许积文 ,  陈国华

IPC: B28B1/00 ,  B33Y30/00

Abstract: 本实用新型公开了一种压电陶瓷浆料3D打印机，包括底座和龙门架，所述龙门架的底部固定连接有Y向移动座，所述龙门架的顶部固定连接有横梁，所述横梁内部沿X方向开设有条形槽，所述横梁的条形槽内部滑动连接有X向移动座，所述X向移动座的正面固定设置有Z向固定架，所述Z向固定架的内部设置有Z向移动座，所述Z向移动座的正面上设置有固定基座，所述固定基座的正面通过L型板固定设置有打印机头，所述底座的表面上经锁紧螺钉并排设置有若干个支撑框架，所述支撑框架的表面上经卡槽滑动连接有工件固定架，且通过工件固定架对打印玻璃板进行锁紧固定，本案中的工件固定架对打印玻璃板固定的灵活性高，实用性强，应用范围广。

公开(公告)号：CN207320168U

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201721140292.4

申请日：2017-09-07

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王华 ,  张文博 ,  许积文 ,  杨玲

IPC: H01L45/00

Abstract: 本实用新型公开一种阻变存储器，包括：底电极、沉积在底电极上的第一阻变层、沉积在第一阻变层上的第二阻变层和沉积在第二阻变层上的上电极，其中，底电极为电阻率小于10-4Ω·cm的重掺杂硅电极，第一阻变层为Sr1-yBiyTiO3薄膜，第二阻变层为SrTi1-xMgxO3薄膜，上电极为金属电极。本实用新型提供的自整流阻变存储器，通过对SrTiO3阻变薄膜分别进行施主、受主掺杂，使之既具有阻变特性，又能实现p-n结的整流作用，可避免应用于三维集成存储器时其1R结构存在的串扰问题。同时，本实用新型提供的阻变存储器，并没有增加存储单元的面积，能够保证存储密度，以Si为衬底还能与目前的Si集成电路工艺兼容。

公开(公告)号：CN205542905U

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201620088826.2

申请日：2016-01-29

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张小文 ,  莫炳杰 ,  许积文 ,  王华

IPC: H01L51/50 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本实用新型公开了一种紫外有机发光器件。所述器件包括衬底层、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和反射金属阴极层，电子注入层为厚度是1.5nm?6nm的LiF；衬底层、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、反射金属阴极层顺序叠接为一体。本实用新型利用厚绝缘层作为电子注入层，通过减少电子的注入，提高发光层中电子?空穴的平衡性，因而在达到同等数量的电子?空穴对数目时只需要更低的电流密度，增加了电子与空穴在发光层中复合的概率，产生高效率的近紫外光发射，提高了紫外OLED器件的发光效率和辐照度。

公开(公告)号：CN203225281U

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201320173422.X

申请日：2013-04-09

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张小文 ,  许积文 ,  王华 ,  徐华蕊 ,  陈国华 ,  曾华荣

IPC: H01L51/52

Abstract: 本实用新型公开了一种光谱随视角变化甚微的微腔结构倒置型顶发射有机电致发光器件，包括微腔结构和在微腔结构内从下向上倒置设置的衬底、反射金属阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、半透明金属阳极、出射发光线，通过半透明金属阳极由正向负连接反射金属阴极通以直流电构成外电路。其特征是：在半透明金属阳极之上不设有折射率匹配层和扩散层。本实用新型简化制作工艺流程、降低生产成本。通过调节发光层的厚度及其在微腔中的适当位置，器件的EL光谱在偏离发光面法线方向60O视角范围内光谱峰值位置、光谱形状及其对应的色坐标变化甚微，而且出射光线是通过微腔干涉效应发出的。