公开(公告)号：CN101336473A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200680052066.9

申请日：2006-12-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/049 ,  H01L21/3147 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31658 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068

Abstract: 提供了在栅绝缘膜(20)和碳化硅层(11)之间的界面区中具有低界面态密度的碳化硅半导体器件的制造方法。在4H－SiC衬底(10)上生长外延生长层(11)，其后执行离子注入以形成作为离子注入层的p阱区(12)、源区(13)和p+接触区(15)。其后，利用热氧化或CVD，在p阱区(12)、源区(13)和p+接触区(15)上形成由氧化硅膜形成的栅绝缘膜(20)。然后，使用包含N2O的气体产生等离子体，以使栅绝缘膜(20)暴露于等离子体，该包含N2O的气体是包含氧和氮中的至少任何一种的气体。

公开(公告)号：CN302587640S

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201330096423.4

申请日：2013-04-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Designer： 穗永美纱子 ,  增田健良

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：半导体元件耐压测定夹具。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于测定半导体元件的耐受电压。3．本外观设计产品的设计要点：在于产品形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计2俯视图。5．指定基本设计：设计2。