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公开(公告)号:CN103109329A
公开(公告)日:2013-05-15
申请号:CN201180044635.6
申请日:2011-09-16
Applicant: 矢崎总业株式会社
CPC classification number: H01R3/00 , B60K28/14 , B60K2028/006 , H01B7/328
Abstract: 一种导电路径结构,包括:导体(28),该导体(28)包括通过易切断部(30)而互相连接的第一导电部和第二导电部;以及半固态绝缘部件(31),该半固态绝缘部件(31)处于半固态并且覆盖该易切断部(30)。当所述易切断部(30)因为施加于该易切断部的冲击而被切断,致使所述第一导电部和所述第二导电部互相分离时,所述半固态绝缘部件(31)覆盖靠近所述易切断部(30)的所述分离的第一导电部和所述分离的第二导电部的端部。
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公开(公告)号:CN103081029A
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN201180041090.3
申请日:2011-07-27
Applicant: 矢崎总业株式会社
CPC classification number: H01B7/0045 , B60R16/0215
Abstract: 提供了一种线束,该线束能够充分地吸收涉及安装的位置偏移或尺寸公差。线束(21)被构造成具有:线束主体(22)、设置在该线束主体(22)的一端处的电机侧连接器(23)、以及设置在该线束主体(22)的另一端处的逆变器侧连接器(24)。线束主体(22)被构造成具有:高压导电路径(25);以及总体地覆盖所述高压导电路径(25)的磁屏敝构件(26)。高压导电路径(25)被构造成包括:导体主体(27);连接单元(28、29);以及模部(30)。该导体主体(27)设置有公差吸收单元(31)。
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