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公开(公告)号：CN119382488B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411989384.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本申请提供一种混合器件型三电平ANPC逆变器的结温优化方法，其特征在于，包括：获取所述第一内管或所述第二内管的当前结温值；判断所述当前结温值是否超过结温阈值；若是，则获取当前交流侧电流，并确定所述交流侧电流，所处已整定电流阈值区间的区间范围，其中，所述已整定电流阈值区间包括第一电流阈值和第二电流阈值或所述第一电流阈值，所述第一电流阈值小于所述第二电流阈值；基于所述已整定电流阈值区间，调整所述逆变器工作的控制模式；其中，所述控制模式包含对应的调制策略和开关模式。采用不同的控制模式调整逆变器的工作，进而使得逆变器的结温情况得到极大的改善。
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公开(公告)号：CN119853472A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510330886.4
申请日：2025-03-20
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本申请提供一种双变压器结构DAB变换器，包括：输入侧桥臂组、变压器组与输出侧桥臂组，通过在输入侧桥臂组中增加一个辅助开关，实现了在故障发生时所有开关的容错运行，显著提高了系统的可靠性。该双变压器结构DAB变换器实现的单管容错方法，在容错模式下，电感电流应力较小，避免了过大的电流应力带来的额外传导损耗，同时减少了对半导体开关的进一步损坏。
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公开(公告)号：CN118114478B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202410237790.9
申请日：2024-03-01
Applicant: 湖南大学
IPC: G06F30/20 , H02M1/08 , G06F119/02 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种考虑热可靠性优化的混合器件驱动电压参数设计方法，包括以下步骤：步骤S1、通过损耗模型与热网络模型对混合器件结温进行实时监控；步骤S2、判定SiC MOSFET是否出现重负载引起的过温现象；步骤S3、在判定为重负载过温的情况下，若实际可调的驱动电压范围为Vmin～Vmax，则设计驱动电压参数为VGM＝Vmin、VGT＝Vmax，使SiC MOSFET的损耗最大程度的减小进而降低其结温；其中，VGM、VGT分别为SiC MOSFET、Si IGBT的驱动电压。本发明在保障变流器效率的前提下解决了SiC MOSFET在重载情况下易出现过温现象的问题。
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公开(公告)号：CN119726751A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510234084.3
申请日：2025-02-28
Applicant: 湖南大学
IPC: H02J3/06 , H02J3/18 , H02M7/5387 , H02M5/10
Abstract: 一种三相解耦串联型潮流调控装备的控制方法，该装备包括三相四桥臂逆变器和三个单相变压器，逆变器的三相输出端分别与三个变压器的原边连接，三个变压器原边的中性点均与逆变器的零线相输出端连接，三个变压器的副边分别连接有一个常开开关，将常开开关串联于连接两个三相交流源的配电网线路上，当常开开关保持断开状态时，潮流调控装备能对由所述的两个三相交流源形成的A、B端网侧进行潮流调控，当潮流调控装备不工作时，将常开开关闭合。本发明能有效解决传统并联型潮流调控装备对于器件的耐压性要求严格以及传统串联型潮流调控装备不能独立调控相间功率或器件数目多的问题。
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公开(公告)号：CN119231952B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411729326.8
申请日：2024-11-28
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了基于异质主辅支路集成的双向软开关型直流变换器拓扑及其运行方法，拓扑包括：原边主功率支路、原边辅助功率支路、变压器组和副边H5逆变器；原边主功率支路包括串联的含反并联二极管的Si IGBT#imgabs0#和#imgabs1#，原边辅助功率支路包括串联的MOSFET#imgabs2#和#imgabs3#，变压器组包括主功率变压器#imgabs4#和副功率变压器#imgabs5#；副边H5逆变器包括含反并联二极管的Si IGBT#imgabs6#，运行方法包括能量正向流动模式和能量反向传输模式。
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公开(公告)号：CN119199457B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411698412.7
申请日：2024-11-26
Applicant: 湖南大学
IPC: G01R31/26 , G01K13/00 , G06F18/27 , G06N3/0499
Abstract: 本发明提供一种混合器件的结温估测方法，包括：获取混合器件的历史电压和电流信号数据集；获取所述混合器件的历史结温时间序列；基于所述混合器件的历史结温时间序列，和所述混合器件的历史电压和电流信号数据集，经过相应处理，得到混合器件中包含的每种类型器件的结温估测模型;基于所述每种类型器件对应的结温估测模型，确定混合器件的结温估测模型；采集混合器件中待测功率器件的当前电压和电流数据，输入至所述混合器件的结温估测模型中，输出所述待测功率器件的结温估测值。成功解决混合器件中不同材料的功率器件因热特性差异与热动态响应差异导致的结温估测不准问题，且显著提升估测模型泛化性。
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公开(公告)号：CN119416542A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202510019549.3
申请日：2025-01-07
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种综合考虑电流应力与器件损耗的Si/SiC混合器件驱动电压参数设计方法，包括：确定SiC MOSFET和Si IGBT为同开同关模式；获取SiC MOSFET和Si IGBT的最大可承受脉冲电流值；进行仿真获取第一数据和第二数据；分别根据SiC MOSFET和Si IGBT的最大可承受脉冲电流值将第一数据和第二数据中电流峰值超限的数据进行剔除，得到SiC MOSFET和Si IGBT的驱动正压及驱动负压可选范围；根据SiC MOSFET和Si IGBT的驱动正压及驱动负压可选范围分别选择混合器件损耗最小的值作为SiC MOSFET和Si IGBT的驱动正压及驱动负压。
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公开(公告)号：CN119210102A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411245989.2
申请日：2024-09-06
Applicant: 湖南大学
Abstract: Si IGBT与SiC MOSFET混合频率并联系统的控制方法，在SiC MOSFET高频单元发生开路故障时，Si IGBT低频单元单独工作；在器件安全工作范围内的轻载工况下，SiC MOSFET高频单元单独工作；在正常工况下，Si IGBT低频单元和SiC MOSFET高频单元共享公共直流电源并协调工作，Si IGBT低频单元处理大功率，SiC MOSFET高频单元补偿Si IGBT低频单元产生的开关纹波，具体的，SiC MOSFET高频单元采用mQPR控制，补偿LFU产生的3～23次谐波，Si IGBT低频单元采用SHEPWM控制，减少自身产生的3～13次谐波，以降低对HFU的容量需求。
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公开(公告)号：CN119070329A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411572125.1
申请日：2024-11-06
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了基于小功率有源模块集成与自适应控制的低成本故障调控装置，包括：消弧线圈一端连接电网中性点；机械开关模块通过预设数量的抽头按预设间隔连接至消弧线圈的主干形成预设数量的档位；档位包括第一开关和第二开关，分别连接至机械开关模块的上支路和下支路；机械开关模块通过偏置变压器连接至均衡绕组后接地。直流侧电容通过第一电压型变换器连接至偏置变压器一次绕组，通过第二电压型变换器连接至输出变压器一次绕组；输出变压器的二次绕组同名端连接至电网中性点，二次绕组异名端接地；整流器的正负极分别连接至直流侧电容的正负极；整流器还连接电网。本发明还公开了基于小功率有源模块集成与自适应控制的低成本故障调控方法。
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