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公开(公告)号：CN114415482B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210324232.7
申请日：2022-03-30
Abstract: 本发明公开了一种基于振镜的超分辨激光直写系统的刻写方法及装置，该方法包括：获取待刻写数据和基于振镜的超分辨激光直写系统的单次扫描范围；根据所述单次扫描范围，将所述待刻写数据分割为若干个子数据；根据全局坐标系，对所述子数据进行旋转，得到旋转数据；获取振镜的X极性和Y极性；根据所述X极性和Y极性，对所述旋转数据进行翻转，得到翻转数据；对所述翻转数据之间的拼接重合区域进行拟合，得到刻写数据；根据所述刻写数据，利用基于振镜的超分辨激光直写系统进行刻写。该方法解决振镜与全局坐标系之间存在角度偏差、振镜X/Y轴向与全局坐标轴向不一致和拼接刻写均匀性不一致的问题。
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公开(公告)号：CN114609050A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210291866.7
申请日：2022-03-23
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多偏振与照明模式的超分辨显微成像方法与装置，本发明基于多偏振光束的相干合成与大数值孔径物镜的聚焦实现了对聚焦光斑的三维偏振调控，与现有的偏振成像技术相比，多获取了1个维度的偏振信息，重构得到包含更丰富信息的超分辨图像。本发明在偏振转换的同时加入了照明模式的变换，照明模式的变换能克服光学衍射极限。本发明结合了三维偏振调控与照明模式变换，实现了超分辨显微成像。
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公开(公告)号：CN113281891B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202110547197.0
申请日：2021-05-19
Applicant: 浙江大学
IPC: G02B21/00
Abstract: 本发明公开了一种共聚焦扫描式暗场显微成像方法与装置，该方法将激光器发出的激光光束的相位调制成0‑2nπ涡旋相位，其中n＞3；将调制后的光束与共聚焦扫描显微镜的物镜入瞳共轭，使得物镜的聚焦光斑为空心光斑，且空心光斑内环半径大于不进行相位调制时的实心光斑半径；使共聚焦扫描显微镜工作，实现暗场显微成像。本发明采用共聚焦设计，在探测器前放置一个小孔，小孔所在平面与物面共轭，阻挡了离焦信号进入探测器，这种设计提高了成像的信噪比和分辨率，使暗场显微成像具有良好的层析能力。
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公开(公告)号：CN114527629A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210417713.2
申请日：2022-04-21
Abstract: 本发明公开了一种基于双暗斑联合抑制的超分辨光刻方法及光刻胶，该方法基于边缘光抑制纳米刻写技术，通过双抑制光斑的结合实现在保证最大抑制强度不变的前提下压缩暗斑抑制区域，一定程度解决由抑制光过强引起刻写线宽变粗的难题，实现等效刻写光斑的压缩，从而进一步缩小纳米刻写线宽。利用本发明的方法可以实现更高精度的纳米加工能力，可为微机械、微光学、微流控等领域提供更高精度的加工手段。
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公开(公告)号：CN114185246B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210143737.3
申请日：2022-02-17
Abstract: 本发明属于光刻胶及激光直写技术领域，并公开了一种适用于飞秒激光直写的高精度光刻胶组合物，所述光刻胶组合物由单体和光引发剂。技术特征在于，所述光刻胶组合物具有双色光敏性，可以被特定波长的飞秒激光引发聚合，同时又可以被另一束连续激光抑制聚合，抑制光束减小了飞秒激光的直写区域，从而提高了飞秒激光直写精度；进一步的，所述光刻胶组合物折射率和光学系统的物镜折射率差异小于0.01，减小了激光在光刻胶中的相差或球差，从而进一步提高飞秒激光直写精度，本发明所提供的光刻胶组合物通过特定结构的单体，不仅具有较高的直写精度，还有较低的直写阈值和体积收缩率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113059807B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110293324.9
申请日：2021-03-18
IPC: B29C64/264 , B29C64/20 , B29C64/10 , B33Y30/00 , B33Y10/00
Abstract: 本发明公开一种基于均匀活性光片的高轴向分辨率三维打印方法和装置。该方法将连续光整形及分束后，得到两束相同的准直激光光片，并对称入射在样品池中完全重叠为一个均匀光薄片，该光薄片区域引发剂被激发到活性态，通过另一束宽带光照射活性态引发剂可引发聚合反应，该宽带光从正交方向入射到光薄片，避免了聚合反应的累积效应，可获得高洁净度的刻写结构，光薄片未被宽带光照射的区域不发生聚合反应，宽带光光场结构高速切换，可进行任意结构的刻写，宽带光在活性薄片中实现时空同步聚焦，轴向功率梯度大，具有高轴向分辨率。该方法与装置可实现高洁净度高轴向分辨率的三维复杂结构高通量刻写，可应用于超分辨光刻等领域。
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公开(公告)号：CN112649405B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202011357705.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于共路并行荧光辐射差分的超分辨显微成像方法和装置，本方法利用液晶空间光调制器对荧光辐射差分超分辨显微成像中的激发光进行调制，将空间光调制器两部分分别加载为0‑2π涡旋相位调制和闪耀光栅，使得共路的激发光在样品面同时形成有一定距离的一个实心光斑和一个空心光斑，进行并行扫描，从而保证成像速度相较普通荧光辐射差分超分辨显微成像提高一倍的同时两激发光因共路而不易受到噪声、漂移等干扰的影响。
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公开(公告)号：CN112485232B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202011131677.0
申请日：2020-10-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于一维暗斑分时照明的亚十纳米定位测向方法和装置，同一光源产生的激光被电光调制器周期地调制线偏方向，得到两种光束，其中一束光经空间光调制器调制后在样品上聚焦形成Y方向一维暗斑，另一束光被空间光调制器调制为X方向一维暗斑。两种光斑分别被两台放置在光路上的电光偏转器偏转，进行分时照明，从而得到荧光分子被不同方向一维暗斑的不同位置激发出的光子数，再基于极大似然概率估计的数学模型，对荧光分子进行二维空间定位和取向求解。本发明创新性的采用两个正交方向的一维暗斑通过偏振调制进行分时照明，较之传统方法，在获取分子位置信息的同时可以获取其偶极子取向信息。
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公开(公告)号：CN112710641B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202011196817.2
申请日：2020-10-31
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开一种基于电光调制技术的偏振调制荧光差分显微成像装置和方法，包括产生激发光束的照明系统，收集样品发出荧光信号的探测系统，以及用于控制和信号处理的计算机，所述照明系统包括依次设置的：激光器，用于发出激光光束；电光调制模块，用于调制线偏振光在两个不同偏振状态间快速转换；涡旋半波片，用于将线偏振光分别调制为径向偏振光和角向偏振光，经物镜聚焦后形成照明样品的实心光斑和空心光斑。本发明实现了实心光斑和空心光斑的快速转换，在很大程度上提升了荧光差分显微成像系统的成像速度。
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公开(公告)号：CN114019764A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111240495.1
申请日：2021-10-25
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种超分辨激光直写与成像方法与装置，该装置包括三个光源，分别为引发光刻胶产生聚合反应的激发光光源，激发光刻胶中发光的荧光染料分子从基态到激发态的激发光，抑制光刻胶聚合并同时使荧光染料分子产生受激辐射的抑制光光源或损耗光光源，抑制光与损耗光为同一个光源。其中，引发光刻胶聚合的激发光经过准直最后通过物镜在样品面上汇聚成圆形实心光斑；抑制光经过准直后，再通过相位掩膜调制相位，最后由物镜汇聚到样品面上形成环形空心光斑；光刻胶中荧光染料的激发光经过准直最后通过物镜在样品面上汇聚形成圆形实心光斑。本发明可以实现纳米结构刻写完成后直接的光学成像，无需进行电镜成像，使操作更为简单。
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