公开(公告)号：CN107058914A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710311750.4

申请日：2017-05-05

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨文澍 ,  武高辉 ,  姜龙涛 ,  张强 ,  修子扬 ,  陈国钦 ,  乔菁 ,  康鹏超 ,  芶华松

IPC: C22C47/00 ,  C22C49/06 ,  C22C49/14 ,  C22C101/14

CPC classification number: C22C47/00 ,  C22C49/06 ,  C22C49/14

Abstract: 一种在铝基复合材料中实现SiC纳米线低损伤定向排列的方法，它涉及一种在铝基复合材料中实现SiC纳米线低损伤定向排列的方法。本发明为了解决采用常规热挤压处理使SiC纳米线定向排列过程中对SiC纳米线损伤严重的问题。一种在铝基复合材料中实现SiC纳米线低损伤定向排列的方法按照以下步骤进行：一、制备非定向SiC纳米线增强铝基复合材料；二、非定向SiC纳米线增强铝基复合材料预热；三、SiC纳米线低损伤定向排列处理。本发明提供了一种使SiC纳米线在铝基复合材料中低损伤定向排列的方法，工艺方法简单、易操作、复合材料性能优异，易于实现产业化生产及应用。