公开(公告)号：CN104541376A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201380042640.2

申请日：2013-07-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  斋藤雄 ,  林秀树 ,  日吉透 ,  和田圭司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

Abstract: 栅绝缘膜(201)设置在沟槽(TR)上。栅绝缘膜(201)具有沟槽绝缘膜(201A)和底部绝缘膜(201B)。沟槽绝缘膜(201A)覆盖侧壁(SW)和底部(BT)中的每个。底部绝缘膜(201B)设置在底部(BT)上，使沟槽绝缘膜(201A)夹在其间。底部绝缘膜(201B)的碳原子浓度低于沟槽绝缘膜(201A)的碳原子浓度。栅电极(202)接触沟槽绝缘膜(201A)在侧壁(SW)上的一部分。因此，可实现低阈值电压和大击穿电压。

公开(公告)号：CN104508828A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380040551.4

申请日：2013-07-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 斋藤雄 ,  增田健良 ,  林秀树

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/049 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  Y10S438/931

Abstract: 在碳化硅衬底(100)中形成具有侧壁(SW)和底部(BT)的沟槽(TR)。形成沟槽绝缘膜(201A)以覆盖所述底部(BT)和所述侧壁(SW)。形成硅膜(201S)以填充所述沟槽，在所述硅膜(201S)和所述沟槽之间设有所述沟槽绝缘膜(201A)。对所述硅膜(201S)进行腐蚀以保留设置在所述底部(BT)上的一部分所述硅膜(201S)，在所述一部分所述硅膜(201S)和所述底部(BT)之间设有所述沟槽绝缘膜(201A)。将所述沟槽绝缘膜(201A)从所述侧壁(SW)移除。通过将所述硅膜(201S)氧化，形成底部绝缘膜。在所述侧壁(SW)上形成侧壁绝缘膜。

公开(公告)号：CN103918081A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201280054480.9

申请日：2012-10-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  增田健良

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/329 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：制备由碳化硅制成的且具有形成的n型区域(14、17)的衬底，使该衬底包括一个主表面(10A)的步骤；在包括主表面的区域中形成p型区域(15、16)的步骤；通过在不小于1250℃的温度下加热其中形成有p型区域(15、16)的衬底，由此从n型区域(14、17)跨p型区域(15、16)在主表面上形成氧化物膜(20)的步骤；去除该氧化物膜(20)以暴露主表面的至少一部分的步骤；和在通过去除氧化物膜(20)暴露的主表面上并与之相接触地形成肖特基电极(50)的步骤。

公开(公告)号：CN103907193A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201280053367.9

申请日：2012-10-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 林秀树 ,  增田健良

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明包括具有第一导电类型的第一、第三和第四区域(10、14、以及15)，以及具有第二导电类型的第二区域(13)。第二区域(13)设置有暴露第一区域(10)的多个通孔。第三区域(14)包括接触部分(14M)、连接部分(14W)、以及填充部分(14Jb)。接触部分(14M)接触第二区域(13)的第一部分(13a)。连接部分(14W)从接触部分(14M)延伸到第二区域(13)中的多个通孔中的每一个。填充部分(14Jb)填充第二区域(13)中的多个通孔中的每一个。第四区域(15)被设置在第二区域(13)的第一部分(13a)上。

公开(公告)号：CN102150271B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201080002563.4

申请日：2010-03-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  原田真 ,  增田健良 ,  穗永美纱子

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/94

Abstract: 一种MOSFET？1，包括：碳化硅(SiC)衬底(2)，所述碳化硅(SiC)衬底(2)的主表面相对于{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角；半导体层(21)，所述半导体层(21)形成在SiC衬底(2)的主表面上；和绝缘膜(26)，所述绝缘膜(26)形成为与半导体层(21)的表面接触。该MOSFET？1具有不大于0.4V/Decade的亚阈值斜率。

公开(公告)号：CN103843141A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201180063838.X

申请日：2011-10-05

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  日吉透 ,  和田圭司

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068

Abstract: MOSFET（1）包括碳化硅衬底（10）、有源层（20）、栅氧化物膜（30）和栅电极（40）。有源层（20）包括当向栅电极（40）供给电压时在其中形成反型层的p型体区（22）。反型层的电子迁移率μ，与和受主浓度Na的倒数成比例的电子迁移率μ的依赖关系相比，更强地依赖于p型体区（22）的沟道区（29）中的受主浓度Na。p型体区（22）的沟道区（29）中的受主浓度Na不小于1×1016cm-3且不大于2×1018cm-3。沟道长度（L）等于或小于0.43μm。沟道长度（L）等于或长于沟道区（29）中的耗尽层的扩展宽度d。用d=D·Na-C表示扩展宽度d。

公开(公告)号：CN103782391A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201280043216.5

申请日：2012-09-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 日吉透 ,  增田健良 ,  和田圭司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: 当在平面图中观察时，终端区（TM）围绕元件区（CL）。热蚀刻碳化硅衬底（SB）的第一侧以在终端区（TM）处的碳化硅衬底（SB）中形成侧壁（ST）和底表面（BT）。侧壁（ST）具有{0-33-8}和{0-11-4}中的一种面取向。底表面（BT）具有{000-1}的面取向。在侧壁（ST）和底表面（BT）上，形成绝缘膜（8T）。第一电极（12）形成在元件区（CL）处的碳化硅衬底（SB）的第一侧上。第二电极（14）形成在碳化硅衬底（SB）的第二侧上。

公开(公告)号：CN103748688A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201280039067.5

申请日：2012-08-31

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  和田圭司 ,  日吉透

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L21/265 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: MOSFET（1）设置有具有形成于主表面（10A）中的沟槽的半导体衬底、栅极氧化物膜（30）、栅电极（40）以及源极互连（60）。半导体衬底（10）包括n型漂移层（12）和p型体层（13）。沟槽被以使得穿透体层（13）并到达漂移层（12）的方式形成。该沟槽包括以使得二维地看时围绕活性区的方式定位的外周边沟槽（22）。在从外周边沟槽（22）看，在与活性区相反侧的主表面（10A）上，形成其中暴露体层（13）的电位固定区（10C）。源极互连（60）被以使得当二维地看时位于活性区上的方式定位。电位固定区（10C）被电连接到源极互连（60）。

公开(公告)号：CN103718299A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280037160.2

申请日：2012-08-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 日吉透 ,  增田健良 ,  和田圭司

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397

Abstract: 通过沉积法在碳化硅层上形成掩膜层（17）。图案化掩膜层（17）。使用图案化的掩膜层（17）作为掩膜，通过蚀刻移除碳化硅层的一部分，形成具有侧壁（20）的栅沟槽（6）。在栅沟槽（6）的侧壁（20）上形成栅绝缘膜（8）。在该栅绝缘膜上形成栅电极。碳化硅层具有六方和立方晶体类型中的一种，并且在碳化硅层为六方晶型的情况下栅沟槽的侧壁基本包括{0-33-8}面和{01-1-4}面中的一个，并且在碳化硅层为立方晶型的情况下栅沟槽的侧壁基本包括{100}面。

公开(公告)号：CN103608905A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280028971.6

申请日：2012-06-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀井拓 ,  增田健良

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068

Abstract: 一种用于制造MOSFET（100）的方法，包括步骤：在有源层（7）上形成栅氧化物膜（91），在该栅氧化物膜（91）上形成栅电极（93），形成与有源层（7）欧姆接触的源接触电极（92），以及在形成源接触电极（92）之后形成由二氧化硅制成的层间绝缘膜（94）以便覆盖栅电极（93）。形成源接触电极（92）的步骤包括形成包含铝的金属层以便接触有源层（7）以及使金属层合金化的步骤。