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公开(公告)号：CN1675709A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN03819002.8
申请日：2003-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B20/18
CPC classification number: G11B20/1883 , G11B20/1217 , G11B20/18 , G11B20/1879 , G11B2020/1896 , G11B2220/20
Abstract: 提供了一种允许缺陷管理的高密度一次写入记录介质以及一种用于管理缺陷的方法和设备。根据该高密度一次写入记录介质，数据以轨道或簇被写入该记录介质，写入的数据被验证，并且如果发现缺陷，则缺陷部分被跳过，并且相应于该缺陷部分的数据和随后写入的数据被重新写入下一个可用记录位置。使用滑移替换的缺陷管理方法应用于在其中缺陷被发现的高密度一次写入记录介质，由此通过将在该记录介质中发现的缺陷滑移来允许连续记录，并且还提高了该记录介质的可靠性。
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公开(公告)号：CN1666266A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN03815467.6
申请日：2003-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/007
CPC classification number: G11B20/1217 , G11B7/00736 , G11B7/24038 , G11B2007/0013 , G11B2020/1265 , G11B2020/1268 , G11B2020/1274 , G11B2020/1277 , G11B2020/1288 , G11B2220/213 , G11B2220/216 , G11B2220/2537 , G11B2220/2579
Abstract: 在信息存储介质中，关于用户数据被记录在其中的用户数据区的信息被记录在用户数据区的基本记录单元的正前区域和正后区域的至少一个中。在一种对于信息存储介质记录和/或再现数据的方法中，关于用户数据被记录在其中的用户数据区的信息从用户数据区的正前和正后两个区域的至少一个中被读出，并且使用读出的信息来识别用户数据区。
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公开(公告)号：CN1218311C
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN02143278.3
申请日：2002-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/00736 , G11B7/0055 , G11B7/0062 , G11B2007/0006 , G11B2007/0013
Abstract: 提供一种用于存储关于擦除脉冲功率的信息的光记录介质。所述光记录介质允许数据记录于其上，允许从其上擦除数据并从其上再现数据。在所述光记录介质中，记录擦除模式信息，所述擦除模式信息包括关于用于擦除数据的擦除模式的开始和最后脉冲的功率电平的信息。将擦除模式的开始和最后脉冲记录在光记录介质的仅可再现区域，该开始和最后脉冲可以根据盘记录层的种类、盘种类或多层记录层的每一层被不同地设置。因此，用于选择对于插入记录设备中的光记录介质的最优擦除功率所需的时间可以显著地减少。
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公开(公告)号：CN1661692A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510008631.9
申请日：2005-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/0901 , G11B7/0053 , G11B7/00718 , G11B7/24082 , G11B19/125 , G11B19/128
Abstract: 一种用于将数据记录在具有至少一个具有多个凹槽和槽脊的记录层的信息存储介质上或从该信息存储介质再现数据的方法和系统。从信息存储介质读取凹槽信号并且根据读取的凹槽信号来识别凹槽记录或槽脊记录。基于识别的信息来记录和/或再现数据。该方法和系统从凹槽抖动信号来确定凹槽记录或槽脊记录，由此去除为了获得跟踪信息而单独地记录跟踪信息或执行跟踪的需要。
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公开(公告)号：CN1217328C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN00120018.6
申请日：2000-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B27/24 , G11B7/007 , G11B7/00718 , G11B7/00745 , G11B7/0938 , G11B27/3027 , G11B2220/216 , G11B2220/2575 , G11B2220/2579
Abstract: 为了在减小记录道间距以便记录大容量的数据时稳定和精确地寻址基本记录和/或再现单元(扇区或帧)，提供了一种光记录介质和光记录介质的记录/再现方法。在记录或再现之前，从具有的物理凹点处于每个凸凹记录道中间的首标上读取相应扇区的一般信息(例如，变频振荡、扇区编号、扇区类型、和误差检测信息)。本发明提供了一种物理凹点形式的首标结构和在4千字节的基本记录单元内的用户区中包含有2千字节最小记录单元的扇区结构，因此减少了开销而且便于产生伺服控制信号和便于制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1656542A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN03812503.X
申请日：2003-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/004
CPC classification number: G11B7/00736 , G11B7/00375 , G11B7/004 , G11B19/041 , G11B20/1217 , G11B20/18 , G11B2020/1248 , G11B2020/1265 , G11B2020/1294 , G11B2220/2537
Abstract: 提供了一种关于具有相同的再现通道特征或不同的再现通道特征的记录层的信息的光学信息存储介质和用于该光学信息存储介质的记录/再现方法。标称记录速度信息被记录在只读区中，并且最大和/或最小可记录速度信息被记录在非用户数据区域的区域的可记录区中。该光学信息存储介质针对标称记录速度由于在存储介质的制造期间产生的错误导致不被满足的情况。因此，缺陷盘比例可以被减少，并且由于不准确的记录层信息的应用导致的用户数据的损失可以被防止。
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公开(公告)号：CN1641755A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200510002361.0
申请日：2001-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B27/24 , G11B7/0037 , G11B7/0053 , G11B7/007 , G11B7/00718 , G11B7/00736 , G11B7/0079 , G11B7/08511 , G11B7/0953 , G11B7/24038 , G11B7/24082 , G11B20/1024 , G11B20/1217 , G11B20/14 , G11B27/3027 , G11B2007/0013 , G11B2020/1239 , G11B2020/1287 , G11B2220/216 , G11B2220/235 , G11B2220/2562 , G11B2220/2575
Abstract: 提供一种具有在用户数据区域和导出区域的凹槽的至少一个侧面上形成的摆动，并且配置为用户数据区域和导出区域之间的摆动特性相互不同的光学记录介质。该光学记录介质具有用户数据区域和导出区域，其中，用户数据区域和导出区域均有在其上形成的凹槽和平台，在每个凹槽的至少一个侧面上形成摆动，并且导出区域的摆动与用户数据区域的摆动具有不同的特性。如上所述，在用户数据区域或导出区域的凹槽上形成不同类型的摆动，从而防止执行再现的光拾取器偏离用户数据区域。另外，在多层光学记录介质中，第一记录层的全部区域配置为具有相同条件，从而防止由于第一记录层透光度的不同而造成的再现和/或记录恶化。
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公开(公告)号：CN1210700C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN01130317.4
申请日：2001-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B27/24 , G11B7/0037 , G11B7/0053 , G11B7/007 , G11B7/00718 , G11B7/00736 , G11B7/0079 , G11B7/08511 , G11B7/0953 , G11B7/24038 , G11B7/24082 , G11B20/1024 , G11B20/1217 , G11B20/14 , G11B27/3027 , G11B2007/0013 , G11B2020/1239 , G11B2020/1287 , G11B2220/216 , G11B2220/235 , G11B2220/2562 , G11B2220/2575
Abstract: 提供一种具有在用户数据区域和导出区域的凹槽的至少一个侧面上形成的摆动，并且配置为用户数据区域和导出区域之间的摆动特性相互不同的光学记录介质。该光学记录介质具有用户数据区域和导出区域，其中，用户数据区域和导出区域均有在其上形成的凹槽和平台，在每个凹槽的至少一个侧面上形成摆动，并且导出区域的摆动与用户数据区域的摆动具有不同的特性。如上所述，在用户数据区域或导出区域的凹槽上形成不同类型的摆动，从而防止执行再现的光拾取器偏离用户数据区域。另外，在多层光学记录介质中，第一记录层的全部区域配置为具有相同条件，从而防止由于第一记录层透光度的不同而造成的再现和/或记录恶化。
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公开(公告)号：CN1205613C
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN01135356.2
申请日：2001-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03M13/31 , G11B20/1426 , H03M5/145
Abstract: 提供一种抵抗信道失真的数据调制方法和一种校正由该调制方法编码的数据中的错误的方法。该数据调制方法使用行程长度受限(RLL)调制代码，该行程长度受限(RLL)调制代码应用于将数据写入到光存储介质中，该RLL调制代码由RLL(d，k，m，n，s)表示，其中S＝2或更大，d是最小行程长度，k是最大行程长度，m是调制前的数据比特长度，n是调制后的代码字比特长度，以及s是代码字间的间隔长度。该数据调制和校正方法在改进抵抗失真干扰的检测水平的同时，可以减小写入到光存储介质中的物理地址数据的冗余。
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公开(公告)号：CN1204555C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN01144045.7
申请日：2001-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/0079 , G11B7/00718 , G11B7/1263 , G11B7/24038 , G11B7/24079 , G11B2007/0013
Abstract: 提供一种高密度光记录介质和在该光记录介质上记录数据的方法。所述光记录介质具有有着光反射系数的多个数据记录/再现表面，所述光穿过包含在发射光的光源和从所述多个数据记录/再现表面中选择的一个记录/再现表面之间的数据记录/再现表面的凹坑区、平台/凹槽区、以及记录数据的平台/凹槽区，所述反射系数满足等式：r1≥r2≥r3和[(r1-r3)/r1]≤0.2，假设入射在从多个数据记录/再现表面选择的所述数据记录/再现表面的各个区域上的光反射系数表示为r1、r2和r3。
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