公开(公告)号：CN1295349A

公开(公告)日：2001-05-16

申请号：CN00131973.6

申请日：2000-10-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润

IPC: H01L31/12 ,  H01L27/15 ,  H05B33/00 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/3276 ,  G09G3/2018 ,  G09G3/2022 ,  G09G3/2077 ,  G09G3/2081 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/3258 ,  G09G3/3266 ,  G09G3/3275 ,  G09G3/3291 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/043 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0847 ,  G09G2300/0866 ,  G09G2320/0276 ,  G09G2320/0285 ,  G09G2320/029 ,  G09G2320/043 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/78672 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5256 ,  Y10S428/917

Abstract: 本发明披露了一种用于进行时分灰度显示并能够任意地设置EL元件发光的时间间隔的电光装置。从n个维持周期Ts1,Ts2,…,Tsn当中,在至少一个维持周期期间由EL元件发出的光的亮度被设置为总是低于在其它维持周期期间发出的光的亮度,并且所述维持周期通过使亮度被降低的数量被扩展。按照上述结构,所述维持周期可以通过降低由EL元件发出的光的亮度的设置来进行扩展。

公开(公告)号：CN1272683A

公开(公告)日：2000-11-08

申请号：CN99124857.0

申请日：1997-10-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大谷久 ,  小山润 ,  福永健司

IPC: H01L21/00 ,  H04N5/225 ,  G09F9/33

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供一种其性能可与MOSFET性能相比的TFT。用促进结晶化的金属元素结晶的结晶硅膜形成半导体器件的有源层,并在含卤素气氛中热处理,除去金属元素。用众多种形或柱形晶体的集合构成该处理后的有源层。用该结晶结构制成的半导体器件有极高的性能。

公开(公告)号：CN1269573A

公开(公告)日：2000-10-11

申请号：CN99124810.4

申请日：1995-04-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  河崎祐司

IPC: G09G3/36

CPC classification number: G02F1/13454 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  Y10S438/982

Abstract: 每根数据线的数据保持控制信号提供给并联在一起的多个源极跟随器。并联的源极跟随器是至少一个只用激光照射一次的第一跟随器和至少一个照射两次的第二跟随器的组合。用于结晶的激光照射的宽度等于源极跟随器的间隔乘以一个不小于3的整数。

公开(公告)号：CN1052815C

公开(公告)日：2000-05-24

申请号：CN95107139.4

申请日：1995-05-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 河崎祐司 ,  小山润

IPC: H01L27/12 ,  H03K17/10 ,  H03K17/687

CPC classification number: H03K19/00315 ,  H03K17/102

Abstract: 在由薄膜晶体管(TFTS)构成的半导体集成电路中，通过在至少包括一个P-沟型TFT的电路和至少包括一个N-沟型TFT的电路之间设置传输门电路，P-沟道型TFT或者N-沟道型TFT构成非门，或与非门电路。N-沟道型TFT接地。用设置的传输门电路，或P-沟道或N-沟道型TFT产生电压降，因而，减少了接地的N-沟道型TFT的漏电压，并使N-沟道型TFT的漏区附近的电场减弱。

公开(公告)号：CN1163487A

公开(公告)日：1997-10-29

申请号：CN97102282.8

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L29/02 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。

公开(公告)号：CN1163444A

公开(公告)日：1997-10-29

申请号：CN96107308.X

申请日：1996-03-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 山根康邦 ,  小山润 ,  千村秀彦

IPC: G09G3/36 ,  H04N5/66

CPC classification number: G09G3/3666 ,  G09G3/3688 ,  G09G2330/021

Abstract: 一种只消耗少量电能的有源矩阵型液晶显示器。该液晶显示器有两个驱动电路分别驱动两套信号线。一套信号线产生观看屏显示图象的上半个画面，而另一套信号线产生下半个图象画面。将产生图象画面的图象信号交替作用到两个驱动电路以便当一个驱动电路工作时，另一个暂停或备用。

公开(公告)号：CN1116756A

公开(公告)日：1996-02-14

申请号：CN95103269.0

申请日：1995-02-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  竹村保彦

IPC: G09G3/36

CPC classification number: G09G3/3648 ,  G09G3/2092 ,  G09G3/3618 ,  G09G3/3666 ,  G09G3/3677 ,  G09G3/3685 ,  G09G2310/0227 ,  G09G2310/06 ,  G09G2320/0247 ,  G09G2320/103 ,  G09G2330/021 ,  G09G2360/18 ,  G09G2370/08

Abstract: 通过降低在某些显示图象中象素的图象重写频率来降低功耗，在这些显示图像中屏幕有一部分在帧与帧之间不发生变化。另外，为了解决随着时间图象信息(例如，象素电压)变差的现象，定时进行刷新操作。跳过多个行进行隔行扫描。经过若干帧进行刷新操作，在这几帧中一部分行在一帧中进行刷新。这样避免了当在一帧中整个屏幕被刷新时会出现的闪烁。

公开(公告)号：CN112447130B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202011381869.7

申请日：2010-09-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  三宅博之

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/3225 ,  G09G3/3266 ,  H10K59/121 ,  H10K59/131

Abstract: 本发明涉及显示装置和包括显示装置的电子设备。本发明的一个目的在于提供具有减少的功耗的显示装置以及提供具有减少的功耗且在暗处能够长时间地使用的自发光型显示装置。利用薄膜晶体管形成电路，在该薄膜晶体管中使用了高度纯净化的氧化物半导体，并且像素能够保持一定的状态(视频信号已被写入的状态)。因此，即使在显示静止图像的情况下，也能容易地执行稳定的操作。此外，可以延长驱动器电路的操作间隔，这使得显示装置的功耗降低。而且，在自发光型显示装置的像素部分中使用蓄光材料以存储光，由此能够在暗处较长时间地使用该显示装置。

公开(公告)号：CN112242173B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202011122456.7

申请日：2010-09-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润

IPC: G11C19/28 ,  G09G3/3208 ,  G09G3/36

Abstract: 本发明涉及半导体器件。移位寄存器或者包含该移位寄存器的显示装置的功率消耗被降低。时钟信号由多条布线，而不是由一条布线来供应给移位寄存器。该多条布线中的任一条仅在移位寄存器的操作时段的部分时间内，而不是在移位寄存器的整个操作时段内供应时钟信号。因此，由供应时钟信号所引起的容量负载能够得以降低，从而使得移位寄存器的功率消耗降低。

公开(公告)号：CN109844684B

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN201780063303.X

申请日：2017-10-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊佐敏行 ,  远藤秋男 ,  冢本洋介 ,  小山润

IPC: G06F1/16 ,  G06F3/041 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H10K50/00 ,  H05B33/02

Abstract: 提供一种包括大显示区域并提高可携带性的电子设备。此外，还提供提高可靠性的电子设备。本发明的一个方式是一种数据处理装置，包括第一薄膜及面板衬底，至少包括第一框体。面板衬底具有柔性并包括显示区域，第一薄膜具有柔性及可见光透过性。第一框体包括第一狭缝，面板衬底包括夹在第一薄膜和第二薄膜之间的区域，第一狭缝具有容纳该区域的功能，面板衬底和第一薄膜中任一个或两个能够沿着第一狭缝滑动。