公开(公告)号：CN119008084A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410571718.X

申请日：2024-05-10

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田边凌祐 ,  鸦田泰介 ,  藤野望

IPC: H01B5/14

Abstract: 本发明涉及透明导电性膜。本发明的透明导电性膜(X)具备：透明基材(10)和透明导电层(20)。透明基材(10)具有第一面(10a)和与该第一面(10a)相对的第二面(10b)。透明导电层(20)位于透明基材(10)的第一面(10a)上。第一面(10a)具有1.50nm以上的表面粗糙度Ra。透明导电层(20)含有原子序数大于氩的稀有气体原子。

公开(公告)号：CN118737527A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410371852.5

申请日：2024-03-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  田边凌祐

IPC: H01B5/14 ,  H01B1/08

Abstract: 提供透光性导电层及透光性导电片。透光性导电层(2)具备第1主面(21)、与第1主面(21)在厚度方向上相对的第2主面(22)。此外，透光性导电层(2)的厚度超过50nm，透光性导电层(2)具有晶粒，晶粒的平均晶粒直径为105nm以下。

公开(公告)号：CN118737526A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410362871.1

申请日：2024-03-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田边凌祐 ,  竹安智宏 ,  藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: H01B5/14

Abstract: 一种透明导电性薄膜。本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(H)依次具备透明基材(10)和透明导电层(20)。透明导电层(20)从透明基材(10)侧起依次具有第一非晶质层(21)、结晶质层(22)和第二非晶质层(23)。第一非晶质层与第二非晶质层的总厚度相对于透明导电层(20)的厚度的比例为40％以上。

公开(公告)号：CN118675796A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410291825.7

申请日：2024-03-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 鸦田泰介 ,  藤野望

IPC: H01B5/14

Abstract: 提供一种透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)朝着厚度方向一侧依次具备基材层(2)和透明导电层(3)。在与厚度方向正交的面方向上，基材层(2)或透明导电性薄膜(1)的、与165℃下加热处理60分钟后的热收缩率为最大的方向正交的方向上的、以30℃的尺寸为基准时的30℃以上且160℃以下的线膨胀率的最大值为0.30％以下。透明导电层(3)的密度小于7.00g/cm3。透明导电层(3)含有原子序数比氩大的稀有气体原子。

公开(公告)号：CN118629698A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410258611.X

申请日：2024-03-07

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 锅野昇平 ,  藤野望

IPC: H01B5/14

Abstract: 提供适于抑制透明导电层弯曲时的破裂的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(X)在厚度方向(H)依次具备：保护薄膜(20)、基材薄膜(10)和透明导电层(30)。透明导电层(30)的与基材薄膜(10)相反侧的表面(30a)中，粒径25nm以上的晶粒在全部晶粒中的个数比例为50％以下。

公开(公告)号：CN116547139B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202280007620.0

申请日：2022-09-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: H01B5/14 ,  H01B1/20 ,  C23C14/08 ,  B32B9/00 ,  B32B7/025 ,  B32B7/023

Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)在厚度方向(D)依次具备透明树脂基材(10)和结晶质的透明导电层(20)。透明导电层(20)包含氧化锡比例不足10质量％的铟锡复合氧化物层。透明导电层(20)具有第1电阻值R1(Ω/□)，在160℃且30分钟的加热条件下的加热处理后具有第2电阻值R2(Ω/□)。第1电阻值R1与第2电阻值R2的差R1‑R2为1.5Ω/□以上。

公开(公告)号：CN118466075A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410176700.X

申请日：2024-02-08

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  锅野昇平 ,  竹安智宏

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/155 ,  G02F1/1676

Abstract: 本发明的调光薄膜(X)在厚度方向(H)上依次具备基材薄膜(10)、电极层(20)、调光层(30)和电极层(40)。电极层(20)的调光层(30)侧的表面(20a)具有高度3nm以上的隆起部(21)。

公开(公告)号：CN116348284B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202280006989.X

申请日：2022-08-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: B32B3/30 ,  H05B3/84 ,  H05B3/20 ,  G06F3/041 ,  B32B27/00 ,  B32B7/025

Abstract: 层叠体(1)具备基底层(3)、以及与基底层(3)的厚度方向的一个面(31)邻接的结晶质的透明导电层(4)。基底层(3)包含树脂。透明导电层(4)的厚度方向的一个面(41)具备高度为3nm以上的第一隆起(42)。基底层(3)的一个面(31)任选具备高度为3nm以上的第二隆起(32)，第二隆起(32)在厚度方向上投影时不与第一隆起(42)重合。

公开(公告)号：CN118007076A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311462012.1

申请日：2023-11-06

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  岩松祥平

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54 ,  C23C14/56

Abstract: 提供适于抑制透明导电层的由加热所引起的电阻值上升的透明导电性薄膜的制造方法。本发明的透明导电性薄膜的制造方法为制造沿厚度方向(H)依次具备长条的基材薄膜(10)和透明导电层(20)的透明导电性薄膜(X)的方法。该制造方法包括成膜工序。成膜工序中，通过使用包含非活性气体和反应性气体的混合气体的反应性溅射法，在减压气氛下在基材薄膜(10)上形成透明导电层(20)。成膜工序包括：在减压气氛中，在水分压降低后使反应性气体相对于非活性气体的混合比例降低，和/或在水分压上升后使混合比例上升。

公开(公告)号：CN116348293A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202280006988.5

申请日：2022-08-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤野望 ,  鸦田泰介

IPC: B32B27/00

Abstract: 层叠体(1)具备基底层(3)、以及与基底层(3)的厚度方向的一个面(31)邻接的结晶质的透明导电层(4)。透明导电层(4)的厚度方向的一个面(41)具备高度为3nm以上的第一隆起(42)。基底层(3)的一个面(31)任选具备高度为3nm以上的第二隆起(32)。第二隆起(32)在厚度方向上投影时不与第一隆起(42)重合。透明导电层(4)含有原子序数比氩大的稀有气体。