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公开(公告)号：CN112466407A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011337537.9
申请日：2020-11-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用CGSim软件模拟获取大尺寸黄铜矿类单晶的方法，它涉及计算机模拟生长单晶的方法，它要解决现有的大尺寸黄铜矿类ABP2单晶生长的研究周期长﹑无法直接观察此类单晶生长及应力分布的问题。本方法：实际测量单晶生长装置的各个部分的实际结构、材质和尺寸，根据实测结果利用CGSim模拟仿真平台建立二维旋转轴对称模型，通过校准验证获得稳定热场的模型；在该模型中设定晶体生长参数进行模拟生长，获得随着晶体高度变化晶体的热应力分布情况，利用平均热应力预测晶体生长状态，完成大尺寸黄铜矿类单晶的模拟生长。通过计算机模拟生长大尺寸的ABP2晶体，效率高、操作简单，成本低，可用于黄铜矿类单晶的生长领域。
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公开(公告)号：CN111909685A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010835719.2
申请日：2020-08-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种超疏水三通路同步检测上转换荧光探针检测试片及其制备方法，涉及染料检测试片及制备方法，它是要解决单一上转换荧光探针无法进行多种待测物的同时检测和单液滴循环检测的技术问题，本发明的检测试片由基片、多层核壳结构的上转换纳米晶层和超疏水SiO2覆盖层组成，其中多层核壳结构的上转换纳米晶层的纳米晶是在晶核表面依次沉积第一功能层、第一隔离层、第二功能层、第二隔离层、第三功能层和第三隔离层形成的。制法：一、制备多层核壳结构的上转换纳米晶；二、制备硅烷改性疏水SiO2颗粒；三、制备超疏水上转换薄膜。本发明的检测试片可实现三种混合染料的同步检测，检测限达到约0.1μg/mL，可用于染料的检测领域。
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公开(公告)号：CN110734552A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201911053435.1
申请日：2019-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C08G77/54 , C08G77/50 , C01B32/977
Abstract: 一种高纯碳化硅多晶粉源前驱体的制备方法，本发明涉及硅碳树脂的制备方法，本发明是要解决现有的碳化硅多晶粉源的制备方法的纯度低、成本高的技术问题。本方法：在超声振荡条件下，将高纯聚合类单体和高纯催化类单体的混合液滴入温度为60～80℃超纯水中反应，反应完毕后过滤，得到硅碳树脂；再用高纯氩气对硅碳树脂除杂处理，过滤、干燥后，得到高纯碳化硅多晶粉源。本发明制备的高纯碳化硅多晶粉源中金属杂质含量在0.01～0.05ppm之间，金属杂质累计含量低于1ppm，且成本低，可用于高纯碳化硅热解制备领域。
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公开(公告)号：CN110344115A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910744593.5
申请日：2019-08-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种pH控制生长大尺寸鸟粪石晶体的方法，它涉及一种鸟粪石晶体的生长方法。本发明的目的是要解决由于鸟粪石成核速率过快，导致鸟粪石晶体生长速率较慢，难以调控晶体生长获得较大尺寸的问题。方法：一、确定pH介稳区；二、配置鸟粪石溶液；三、添加晶种；四、调控pH，得到鸟粪石晶体。优点：获得大尺寸且晶习理想的鸟粪石晶体，结构完整、形貌统一、纯度高。本发明主要用于pH控制生长大尺寸鸟粪石晶体。
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公开(公告)号：CN110042461A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910358621.X
申请日：2019-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种增加热传递大尺寸磷化锗锌晶体的生长方法，本发明涉及磷化锗锌晶体的生长方法。本发明是要解决现有的采用垂直布里奇曼法生长的磷化锗锌晶体易开裂，晶体内部出现裂纹、挛晶缺陷的技术问题。本方法：一、将籽晶和ZnGeP2多晶料放入PBN坩埚中，装入石英安瓿中真空封装；二、将石英安瓿放入晶体生长炉中，升温；三、加热使ZnGeP2多晶料和籽晶部分融化；三、籽晶再生长；四、晶体生长；五、降温，得到磷化锗锌晶体。制备过程中通过调节惰性气体的流量及温度对晶体的生长速率及晶体内部热量的散失速率进行调节。该磷化锗锌晶体内部无裂纹、挛晶缺陷，晶体元件的2μm吸收系数降低至0.02cm-1，可用于大能量激光输出器件中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107675251B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201710900796.X
申请日：2017-09-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高纯硒化镉多晶材料的气相合成方法，它涉及一种硒化镉多晶材料的合成方法。本发明的目的是要解决现有硒化镉合成方法存在反应温度高，耗时长，且生产的硒化镉纯度低的问题。气相合成方法：一、称取单质硒和单质镉；二、气相合成：①、反应区加热；②、冷凝区控温；③、单质硒气化；④、单质镉气化；⑤、气相合成，硒化镉多晶以固态形式沉积，未充分反应的气态单质硒与气态单质镉流至冷凝区并沉积，冷却至室温，得到硒化镉多晶粉体。优点：降低了反应温度，缩短合成时间。提高硒化镉多晶粉体纯度，纯度＞99％。本发明主要用于气相合成高纯硒化镉多晶。
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公开(公告)号：CN107320996B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710763526.9
申请日：2017-08-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01D9/02
Abstract: 一种多组分混合物膜辅助冷却结晶分离方法，它涉及一种多组分混合物的分离方法。本发明的目的要解决现有多组分混合物的结晶分离过程中，分离不彻底，溶解性相近的物质无法分离的问题。分离方法：一、确定多组分混合物中含有物质的种类及含量；二、确定溶解度；三、确定溶剂的加入量；四、确定饱和状态或过饱和状态物质数量；五、设备组装；六、物料搅拌至溶解；七、启动输送泵；八、放入活化晶种，完成饱和状态或过饱和状态物质分离；九、再次分离多组分混合物。优点：产品收率接近100％。本发明主要用于多组分混合物的分离。
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公开(公告)号：CN109499569A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811441338.5
申请日：2018-11-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01J23/656 , B01J23/68 , B01D53/86 , B01D53/56
Abstract: 一种选择性催化还原NO的贵金属负载MnO2催化剂及其制备方法，本发明涉及催化还原NO的催化剂及其制备方法。本发明是要解决现有的金属氧化物催化剂工作温区窄导致脱除NOx的效果差、贵金属成本高和使用条件苛刻的技术问题。本发明的选择性催化还原NO的贵金属负载MnO2催化剂是纳米管状MnO2的表面负载纳米贵金属颗粒，其中贵金属为Pt、Pd或Au。制法：在高锰酸钾溶液中加入盐酸，然后水热法合成纳米管状MnO2；再向MnO2滴加贵金属酸，然后在流动空气的管式炉中煅烧，得到催化剂。该催化剂的活性温区是230～700℃，价格低廉。可用于NOx处理领域。
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公开(公告)号：CN109346848A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811284361.8
申请日：2018-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 一种SiC-铁氧体/碳质材料高温吸波复合材料及其制备方法，它涉及吸波复合材料，综是要解决现有的吸波材料加工复杂、成本较高、吸波效果差的技术问题。本发明的吸波复合材料是由铁氧体、碳化硅和碳质材料组成；制备方法：一、碳化硅表面预处理；二、将亲水性碳化硅、制备铁氧体的可溶性盐、氟化物、沉淀剂、碳质材料、硅烷偶联剂、醇和水混合均匀，经水热合成后得到前驱体；再将前驱体焙烧，得到该吸波复合材料。它在8-12GHz的X波段达到90％吸收，其反射损耗均低于-10dB，最大反射损耗达到-28dB。可用于地面核反应堆系统的监控、原油勘探、环境监测及航空、航天、雷达、通讯系统、大功率的电子转换器及汽车马达领域。
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公开(公告)号：CN106192010B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201610669688.1
申请日：2016-08-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种非线性晶体硒化镓元器件的制作方法，本发明涉及晶体元器件的制作方法。本发明是要解决现有的GaSe晶体透过率低及其在使用时易变形、劈裂的技术问题。本方法：一、将GaSe晶锭表面刻蚀后清洗烘干；二、将晶锭放入小舟中，再把小舟放于石英管中部，在小舟两端放置GaSe多晶粉末；或者在小舟一端放GaSe多晶粉末，另一端放Se；对石英管抽真空后熔封，放入单温区电阻炉中；三、退火；四、将退火后晶锭切割并沿c轴方向修整成GaSe晶体块；五、将GaSe晶体块用胶固定在金属底座的孔洞的位置，套上聚四氟乙烯外套，加上上盖，再用固定螺母将底座与上盖连接起来，得到GaSe元器件，该器件可用于激光器中。
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