公开(公告)号：CN106201912A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510232662.6

申请日：2015-05-08

Applicant: 华为技术有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 杨任花 ,  王元钢 ,  杨伟 ,  赵俊峰 ,  韦祎 ,  林殷茵

IPC: G06F12/08

Abstract: 本发明实施例公开了一种内存访问方法，用于降低计算机系统的功耗。本发明实施例方法包括：在SCM处于关闭状态且DRAM处于开启状态时，确定计算机系统的负载状态；若计算机系统处于低负载状态，则开启SCM，并将DRAM中的数据写入SCM；当将DRAM中的数据写入SCM后，关闭DRAM。本发明实施例提供的方法在计算机系统处于高负载状态时，使用DRAM作为内存，能够满足高负载计算机系统对容量和速度的需求；在计算机系统处于低负载状态时，使用SCM作为内存，能够减少内存刷新造成的功耗。本发明实施例还提供了相关的计算机系统。

公开(公告)号：CN106158000A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510160721.3

申请日：2015-04-07

Applicant: 华为技术有限公司 ,  电子科技大学

Inventor： 贾泽 ,  陶子豪 ,  杨伟 ,  赵俊峰

IPC: G11C11/16

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673

Abstract: 本发明实施例提供一种自旋转移扭矩磁存储器单元和存储器，该存储器单元包括：第一源极线、第二源极线、位线、字线，以及第一晶体管、第二晶体管和磁性隧道结MTJ；第一晶体管的栅极与字线连接，第一晶体管的源极与第一源极线连接；第一晶体管的漏极与MTJ的一端连接，MTJ的另一端与位线连接；第二晶体管的源极与第二源极线连接，第二晶体管的栅极、漏极分别与第一晶体管的漏极连接。通过根据MTJ工作阻态的不同，控制第一晶体管和第二晶体管导通截止状态的变化，从而使得不同写入阻态时，第一晶体管和第二晶体管导通截止状态不同，实现对MTJ写入电流的差异控制，避免电量的浪费，提高了MTJ的使用可靠性。

公开(公告)号：CN105097010A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410210114.9

申请日：2014-05-16

Applicant: 华为技术有限公司 ,  电子科技大学

Inventor： 贾泽 ,  赵俊峰 ,  杨伟 ,  邹重人

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 本发明实施例公开了一种铁电存储器，可包括：第一存储单元列、第一参考单元、第二参考单元和控制电路；第一参考单元和第二参考单元用于提供参考电压；控制电路，用于在读取第一存储单元列中的第一存储单元中所存储数据时，根据参考电压与第一存储单元的输出信号，获得第一存储单元中所存储的数据；在读取出了第一存储单元所存储的数据之后，将与数据的取值不同的数据写入第一参考单元，并将与读取的第一存储单元中所存储的数据的取值相同的数据写入第二参考单元。本发明实施例提供铁电存储器有利于提高参考单元与存储单元的数据回写效率，均衡参考单元对中的两个参考单元的读写疲劳度。

公开(公告)号：CN105097006A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410155866.X

申请日：2014-04-17

Applicant: 华为技术有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  杨凯 ,  赵俊峰 ,  王元钢 ,  杨伟 ,  傅雅蓉

IPC: G11C11/02

Abstract: 本发明实施例公开了一种存储单元、存储器及存储单元控制方法。本发明实施例包括：封闭环型磁性轨道和至少一个脉冲磁场装置，其中，脉冲磁场装置用于产生磁性脉冲，以使得磁畴或磁畴壁沿封闭环型磁性轨道循环移动，可以有效提高存储密度和读写效率，可以有效降低功耗。

公开(公告)号：CN104795086A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201410028573.5

申请日：2014-01-21

Applicant: 华为技术有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 傅雅蓉 ,  赵俊峰 ,  王元钢 ,  杨伟 ,  林殷茵 ,  杨凯

IPC: G11C5/06

Abstract: 本发明实施例公开了一种存储阵列、存储器及存储阵列控制方法，减少整个存储阵列的功耗，提升存储容量。存储阵列包括：存储单元，其存储区域顶部端口分别与阴极总线、阳极总线相连，其读写装置包括第一端口和第二端口，其存储区域包括第三端口和第四端口，对于一个存储单元，第一端口与第二列选通管相连，第二端口通过第一开关管与行译码器相连，第三端口通过第二开关管连接至第一列选通管和行译码器，第四端口通过第三开关管连接至第一列选通管和行译码器；通过对阴极总线、阳极总线、行译码器与第一列选通管的控制，选通存储单元和输入进行移位操作的信号；通过对行译码器与第二列选通管的控制，选通读写装置和输入进行读写操作的信号。

公开(公告)号：CN104425707A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310382143.9

申请日：2013-08-28

Applicant: 华为技术有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  韦竹林 ,  赵俊峰 ,  杨伟 ,  杨凯 ,  傅雅蓉

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/02 ,  H01L27/22

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L43/02

Abstract: 本发明实施例公开了一种磁性存储轨道的制备方法，包括：通过刻蚀工艺在硅体上刻蚀出H个第一凹形空间，所述H为大于1的整数；在所述H个第一凹形空间中沉积一层磁性材料，并在沉积所述磁性材料后的第一凹形空间中填满硅材料，以构造硅与磁性材料的组合体；将所述组合体第一面所裸露的磁性材料刻蚀掉或者氧化为绝缘体，以得H个U形磁性存储轨道，其中，所述第一面为所述组合体包括的所述第一凹形空间的开口所在的面。相应地，本发明实施例还提供磁性存储轨道的制备设备和磁性存储轨道。本发明实施例可以提高制造磁性存储轨道的效率。

公开(公告)号：CN200966092Y

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200620138446.1

申请日：2006-08-29

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 冯志山 ,  杨伟 ,  颜志国 ,  陈华

IPC: H04M3/42

CPC classification number: H04Q11/0435 ,  H04L12/66

Abstract: 本实用新型提供了一种接入合一单板，包括：多块单板，每块单板用于接入业务，其包括：业务连接器(5、10)，连接承载多种业务的线路；第一连接器(4、9)，连接业务接入请求线路；以及数据处理模块，其耦合于业务连接器与第一连接器之间。