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公开(公告)号：CN113437245B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202010207475.3
申请日：2020-03-23
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种纳米复合材料及其制备方法、发光二极管。本发明提供的制备方法包括：提供金属氧化物纳米颗粒和立方烷类化合物，且立方烷类化合物中的至少一个氢原子被过渡金属原子取代；在惰性气体气氛下，将金属氧化物纳米颗粒和立方烷类化合物分散在有机溶剂中，进行混合处理，获得包含有纳米复合材料的混合溶液；将混合溶液进行固液分离，获得纳米复合材料。由此制得的纳米复合材料包括：金属氧化物纳米颗粒以及连接金属氧化物纳米颗粒的立方烷类化合物，提高了空穴迁移率，进而有效平衡空穴‑电子传输速率。
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公开(公告)号：CN112397656B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201910762635.8
申请日：2019-08-19
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。该复合材料，包括氧化锡纳米颗粒和结合在所述氧化锡纳米颗粒表面的乙二胺四乙酸镧；其中，所述乙二胺四乙酸镧中的镧离子与氧化锡纳米颗粒表面的氧离子相结合。该复合材料中的乙二胺四乙酸镧不仅能够提高氧化锡纳米颗粒的分散性，防止氧化锡纳米颗粒团聚，而且可以提高氧化锡的电子传输效率，将该复合材料用于量子点发光二极管的电子传输层，可以促进电子‑空穴有效地复合，降低激子累积对器件性能的影响，从而提高器件性能。
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公开(公告)号：CN114479826A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011164654.X
申请日：2020-10-27
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请属于光电技术领域，尤其涉及量子点复合材料及其制备方法，以及发光器件。其中，量子点复合材料包括：量子点材料和金属二维烯材料和/或硫化金属二维烯材料。本申请量子点复合材料中，金属二维烯材料和/或硫化金属二维烯材料可以为量子点材料表面的电荷提供高迁移率的传输通道，减小量子点表面的电荷积累；同时可以提高量子点材料的散热性能，当应用于发光器件时，可降低器件发光区域的工作温度，从而提高器件的稳定性和安全性，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN112625674B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201910905509.3
申请日：2019-09-24
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述复合材料包括核壳纳米颗粒和修饰在所述核壳纳米颗粒表面的硫醇；其中，所述核壳纳米颗粒由ZnO纳米核和包覆在所述ZnO纳米核表面的CdS壳层组成，所述硫醇中的巯基与所述核壳纳米颗粒表面的镉离子相结合。将该复合材料用于量子点发光二极管的电子传输层，可以促进电子‑空穴有效地复合，降低激子累积对器件性能的影响，从而提高器件性能。
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公开(公告)号：CN114335397A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011083082.2
申请日：2020-10-12
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请属于材料技术领域，尤其涉及一种电子传输材料的制备方法，包括以下步骤：将钛源、稀土金属源和硫源溶解后，进行水热反应，得到掺杂有稀土金属的TiS2纳米材料；在氢气气氛下，对所述掺杂有稀土金属的TiS2纳米材料进行加热反应，得到掺杂有稀土金属和氢原子的TiS2电子传输材料。本申请电子传输材料的制备方法，工艺简单，适用于工业化大规模生产和应用，制得的稀土金属和氢原子双掺杂的TiS2电子传输材料，通过稀土金属和氢原子的协同共掺杂，可有效调节TiS2材料的禁带宽度和导电性能，使掺杂有稀土金属和氢原子的TiS2材料有更好的n型半导体特性，更适用于光电器件的电子传输材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114276811A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202011040711.3
申请日：2020-09-28
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种复合量子点及其制备方法、量子点发光薄膜和量子点发光二极管。所述复合量子点包括量子点，在所述量子点的表面还结合有包覆层，且所述包覆层的材料包括卤化硫化合物。所述量子点发光薄膜和量子点发光二极管含有本发明复合量子点。本发明复合量子点能够充分利用卤化硫化合物与水、氧之间的反应消耗水、氧以实现对量子点的保护作用以避免氧、水与量子点接触，从而保护量子点免受氧、水对其造成的不利影响，同时卤化硫化合物与水、氧之间的反应生成的硫会附着在量子点的表面以抑制量子点被氧化。本发明量子点发光薄膜和本发明量子点发光二极管具有良好的发光稳定性、发光效率，使用寿命和提高其光电性能。
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公开(公告)号：CN113903865A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202010638917.X
申请日：2020-07-06
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明属于发光器件技术领域，尤其涉及一种氧化锌纳米材料的制备方法，包括步骤：获取氧化锌溶液，将第一配体物质与所述氧化锌溶液混合后，进行第一混合反应，得到第一配体修饰的氧化锌；获取硫醇类物质，将所述硫醇类物质与所述第一配体修饰的氧化锌混合后，进行第二混合反应，得到表面含有非晶相的氧化锌纳米材料。本发明氧化锌纳米材料的制备方法，通过配体交换使氧化锌纳米颗粒表面膨胀、变形，诱导部分结晶相转变为非晶化，同时形成更多的非配位键与悬浮键，提升氧化锌纳米材料的电子传导，从而提高氧化锌纳米薄膜的电子传输效率。
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公开(公告)号：CN113707778A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202010434627.3
申请日：2020-05-21
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，尤其涉及一种复合材料的制备方法，包括步骤：在含卤素气体的氛围下，对石墨炔进行热卤化处理，得到卤化石墨炔；获取金属化合物溶液和卤化石墨炔的有机溶液，将所述卤化石墨炔的有机溶液与所述金属化合物溶液混合处理，得到卤化石墨炔掺杂金属化合物的复合材料。本发明提供的复合材料的制备方法，操作简单，适用于工业化大规模生产和应用功能，卤化石墨炔掺杂金属化合物的复合材料，提高了电子传输层的电子传输能力，促进电子‑空穴在发光层中有效地复合，降低激子累积对器件性能的影响，从而提高发光器件的光电性能。
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公开(公告)号：CN109980088B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201711466430.2
申请日：2017-12-28
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明涉及空穴传输材料技术领域，具体提供一种空穴传输材料及其制备方法和应用。所述空穴传输材料由石墨炔和掺杂于所述石墨炔中的碱金属组成。其制备方法包括以下步骤：将石墨炔和碱金属前躯体进行混料处理，制备得到石墨炔‑碱金属前躯体；在惰性气氛下，将所述石墨炔‑碱金属前躯体进行煅烧处理，使碱金属前躯体转化为碱金属并掺杂于所述石墨炔上，得到空穴传输材料。本发明的空穴传输材料相对于纯的石墨炔而言，价带和导带整体下降，禁带宽度有所增大，能带位置整体下移，可以有效的提高载流子的浓度，非常适合用作发光器件、太阳能电池等领域中涉及的空穴传输层。
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