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公开(公告)号：CN115261022A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210948164.1
申请日：2022-08-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种单粒子双模NIR激发上转换荧光防伪材料及其制备方法和应用，本发明涉及上转换荧光防伪材料及其制备方法和应用。它是要解决现有荧光防伪材料存在的防伪密级程度低的技术问题。本发明的单粒子双模NIR激发上转换荧光防伪材料为以单粒子纳米棒形式存在的NaYF4:Yb3+/Tm3+/Nd3+@NaYF4:Yb3+/Er3+，纳米棒的中间区域为NaYF4:Yb3+/Tm3+/Nd3+、两端区域为NaYF4:Yb3+/Er3+。制法：先合成核纳米棒，再酸洗分散，再外延生长，得到单粒子双模NIR激发上转换荧光防伪材料，该材料在不同激光激发下发光情况不同，并且单粒子中部与两端各发射蓝光和绿光，可用于防伪领域。
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公开(公告)号：CN114589616B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210423800.9
申请日：2022-04-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种加热与振动协同化学机械抛光CaF2晶片的装置及方法，本发明涉及晶片抛光的装置及方法。它是要解决现有的CaF2晶体元件抛光方法的作业时间长、表面质量差的技术问题。本装置包括第一电机、抛盘、加热垫、抛光垫、支撑架、第二电机、工件盘、振动装置、配重块、气动夹持装置；第一电机带动抛盘逆时针转动；加热垫和抛光垫置于抛盘表面，第二电机带动工件盘顺时针转动；在工件盘上方设置振动装置和配重块，气动夹持装置用于调整配重块对工件盘的压力。方法：一、粗磨；二、沥青盘抛光；三、精抛；四、精整；抛光后的CaF2晶片表面的粗糙度Ra达到0.07～0.08nm，可用作透镜、棱镜和红外成像设备的窗口等光学领域。
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公开(公告)号：CN114670111A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210423799.X
申请日：2022-04-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种固结磨料联合超声雾化抛光CaF2晶体的装置和方法，它涉及晶体的抛光装置和方法。它是要解决现有的CaF2晶体的抛光方法存在的易引入污染物、操作繁琐的技术问题。本装置包括第一电机、抛盘、抛光垫、支撑架、第二电机、工件盘、配重块、气动夹持装置和超声雾化器；第一电机带动抛盘逆时针转动，第二电机带动工件盘顺时针转动；气动夹持装置用于调整配重块对工件盘的压力；抛光方法：一、粗磨；二、沥青盘抛光；三、冰块型固结磨料抛光垫抛光；四、精抛；五、精整。本发明的方法抛光后的CaF2晶片的粗糙度Ra达到1.30～4.8nm，可用于高能探测、红外追踪和光学元件领域。
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公开(公告)号：CN110294687B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201910675181.0
申请日：2019-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C07C231/24 , C07C233/65
Abstract: 一种溶剂调控戊炔草胺晶习的方法，它涉及一种调控戊炔草胺晶习的方法。本发明的目的是要解决现有戊炔草胺的晶习不统一的问题。方法：一、配置饱和溶液；二、升温处理；三、结晶即得到戊炔草胺晶体。优点：通过溶剂调控戊炔草胺晶习的工艺，技术操作简单，产品晶体结构完整、形貌均一、纯度高。本发明主要用于调控戊炔草胺晶习。
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公开(公告)号：CN110668446B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201911053850.7
申请日：2019-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/963
Abstract: 耐高温SiC气凝胶的制备方法，它涉及一种气凝胶的制备方法。本发明是为了解决现有制备SiC气凝胶的方法产率低、气凝胶的微观结构易破坏的技术问题。本方法如下：一、制备A液、B液并将A液、B液混合得水解液；二、制备湿凝胶；三、制备气凝胶；四、将气凝胶与镁粉反应后，清洗、干燥，即得SiC气凝胶。本发明采用镁热还原，在惰性气体保护下，将气凝胶前驱体还原为SiC气凝胶。成功避免了R1SiO1.5还原过程中SiO气体的产生，最大程度上保持产物形貌完整。经超临界干燥制备了孔道结构均一、形状完整的有机硅气凝胶。本发明属于气凝胶的制备领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113957455A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111317272.0
申请日：2021-11-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25B1/04 , C25B11/061 , C25B11/091
Abstract: 一种电解水析氧催化剂FeCoNi LDH/CuO/Cu及其制备方法，它涉及电解水析氧催化剂及其制备方法。它是要解决现有的电解水制氢的贵金属催化剂成本高、稳定性差的技术问题。本发明的电解水析氧催化剂是以泡沫铜为导电基底，CuO纳米线原位生长于泡沫铜表面，FeCoNi LDH纳米片沉积于CuO纳米线上。制法：将洁净的泡沫铜片置于NaOH与(NH4)2S2O8的混合溶液中静置，经烘干、焙烧，得到CuO/Cu；再以三价铁盐、二价镍盐、二价钴盐和硝酸铵配制成电解液，在三电极体系中沉积即得。该催化剂作为电解水中的阳极在电流密度为50mA/cm2时过电势为243.1～271.4mV。可用于电解水领域。
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公开(公告)号：CN108328625B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201810058159.7
申请日：2018-01-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B39/40
Abstract: 一种中空多级孔ZSM‑5分子筛的制备方法，本发明涉及ZSM‑5分子筛的制备方法，本发明是要解决现有的ZSM‑5分子筛孔径分布单一、分散性差、水热稳定性差的技术问题。本方法，先将表面活性剂、水、无机碱和铝源混合均匀，再滴加硅源，在70～90℃搅拌，再加入有机模板剂，再继续在70～90℃搅拌，然后水热晶化，焙烧，得到中空多级孔ZSM‑5分子筛，该分子筛具有介孔微孔复合的多级孔结构，分散度高，可用于催化反应中。
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公开(公告)号：CN109181639B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201811049851.X
申请日：2018-09-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K3/00
Abstract: 一种SiC@SiO2@铁氧体高温吸波复合材料及其制备方法，它涉及高温吸波复合材料及其制备方法。它是要解决现有的吸波材料制备工艺复杂、吸波范围较窄、无屏蔽效应的技术问题。本发明的吸波复合材料是以SiC为核，核外包覆SiO2层，在SiO2层上粘附着铁氧体粒子。制法：一、碳化硅表面预处理；二、合成包覆二氧化硅的碳化硅SiC@SiO2；三、SiC@SiO2经敏化、活化后，在碱液中与制备铁氧体的盐、强还原剂进行反应，然后再焙烧，得到SiC@SiO2@铁氧体高温吸波复合材料。本材料在8～12GHz波段和Ku波段的反射损耗均低于‑5dB，最大反射损耗达到‑14dB，可用于吸波材料领域。
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公开(公告)号：CN109868501B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201910196498.6
申请日：2019-03-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种石英舟和利用该石英舟用于一次完成硒化镓多晶合成与单晶生长的方法，本发明涉及晶体合成装置和方法。本发明是要解决现有的两步生长的单晶杂质高、成本高的技术问题。本发明的石英舟由籽晶阱区、放肩区、封闭区、开放区组成；其中籽晶阱区为一端密封的圆筒状；放肩区为圆台状；封闭区为圆筒状；开放区为半圆筒状；各区依次连接，并且它们的轴线在一条直线上。利用上述的石英舟一次完成硒化镓多晶合成与单晶生长的方法：将硒与镓加入到石英舟的封闭区，再将石英舟放在石英管中真空封装；在单温区炉合成多晶；然后将石英管直接放入垂直下降炉中生长，得到GaSe单晶。该单晶吸收系数小于0.1cm‑1。可用于晶体合成。
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公开(公告)号：CN109346848B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201811284361.8
申请日：2018-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 一种SiC‑铁氧体/碳质材料高温吸波复合材料及其制备方法，它涉及吸波复合材料，综是要解决现有的吸波材料加工复杂、成本较高、吸波效果差的技术问题。本发明的吸波复合材料是由铁氧体、碳化硅和碳质材料组成；制备方法：一、碳化硅表面预处理；二、将亲水性碳化硅、制备铁氧体的可溶性盐、氟化物、沉淀剂、碳质材料、硅烷偶联剂、醇和水混合均匀，经水热合成后得到前驱体；再将前驱体焙烧，得到该吸波复合材料。它在8‑12GHz的X波段达到90％吸收，其反射损耗均低于‑10dB，最大反射损耗达到‑28dB。可用于地面核反应堆系统的监控、原油勘探、环境监测及航空、航天、雷达、通讯系统、大功率的电子转换器及汽车马达领域。
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