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公开(公告)号:CN116731270A
公开(公告)日:2023-09-12
申请号:CN202310703274.6
申请日:2023-06-14
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及光刻技术领域,尤其是涉及一种功能性酚醛树脂及其制备方法和在钙钛矿量子点图案化中的应用。一种功能性酚醛树脂,具有由如下通式Ⅰ或Ⅱ表示的结构的至少一种:#imgabs0#本发明的功能性酚醛树脂,可用于制备光刻胶,将钙钛矿量子点的前驱体与功能性酚醛树脂和多巯基化合物混合后,可通过光照固化后原位生成钙钛矿量子点;本发明的方法可以满足高精度和大面积图案化要求,且成本低、光刻步骤简单,实现较高的分辨率,并且得到的图案化钙钛矿量子点环境稳定性好。
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公开(公告)号:CN113566979B
公开(公告)日:2023-06-13
申请号:CN202110652579.X
申请日:2021-06-11
Applicant: 北京理工大学 , 致晶科技(北京)有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明涉及一种压电谐振红外传感器、其阵列及其制造方法。压电谐振红外传感器包括:基底、电极和压电材料,其中,所述压电材料的上表面上形成有量子点薄膜,所述量子点薄膜能响应于红外光照射而加快所述压电材料的温度上升。本发明提高了压电谐振红外传感器对红外光的探测率,降低了噪声,并且实现了对红外光波长的准确探测。
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公开(公告)号:CN110872233B
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN201811020108.1
申请日:2018-09-03
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本申请公开了一种有机铵盐,所述有机铵盐包括有机铵离子和卤族元素阴离子;所述有机铵盐的化学式如式A所示。以及一种钙钛矿材料,由所述有机铵盐制备得到。该材料稳定性好、紫外抗老化效果好、吸收系数高、成膜性好,其制备方法能够大规模制备及应用。
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公开(公告)号:CN115639155A
公开(公告)日:2023-01-24
申请号:CN202211192970.7
申请日:2022-09-28
Applicant: 北京理工大学
IPC: G01N21/17
Abstract: 本公开涉及测量固体材料的光热转换效率的系统和方法。系统包括:光源,用于发射光;分光镜,用于将所述光源发射的光分成两束光,其中一束光照射待测固体材料样品,以加热所述样品;第一光功率计,用于接收所述两束光中的另一束光,并记录第一光功率值;以及热像仪,用于记录所述样品的温度变化值,其中,根据所述第一光功率值、所述温度变化值和预先获得的所述样品的散热系数来计算所述样品的光热转换效率。由于固体材料升温速率快、稳定,受周围环境影响更小,因此本发明的测量光热转换效率的方法更加快速且准确可靠。
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公开(公告)号:CN113122222B
公开(公告)日:2022-10-04
申请号:CN201911367365.7
申请日:2019-12-26
Applicant: 致晶科技(北京)有限公司 , 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿量子点光学膜的封装方法,方法至少包括:(1)将PVDC源涂布在阻隔性膜的表面,得到PVDC涂布膜;(2)PVDC涂布膜覆盖在钙钛矿量子点光学膜的表面,热压封装,即可得到封装后的钙钛矿量子点光学膜。该方法充分发挥了PVDC乳液具有阻隔性和可热封的特性,不仅可以优化生产工艺,节约成本,还由于不使用胶水、底涂等,减小了小分子物质对钙钛矿量子点的影响,提高钙钛矿量子点光学膜的稳定性。
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公开(公告)号:CN114637166A
公开(公告)日:2022-06-17
申请号:CN202011478005.7
申请日:2020-12-15
Applicant: 北京理工大学 , 致晶科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种在钙钛矿量子点薄膜上制备可擦除图案的方法,该方法包括:对钙钛矿量子点薄膜进行激光直写,以形成第一量子点图案;对所述钙钛矿量子点薄膜进行加热,使得所述第一量子点图案消失;以及再次对所述钙钛矿量子点薄膜进行激光直写,以形成第二量子点图案。本发明创新地将通过激光直写而图案化的钙钛矿量子点薄膜进行加热,使得已经形成的量子点图案可擦除,从而能够在钙钛矿量子点薄膜上反复制备各种量子点图案,实现循环使用。
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公开(公告)号:CN111977617B
公开(公告)日:2022-05-17
申请号:CN201910430850.8
申请日:2019-05-22
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本申请公开了一种制备镉基合金纳米材料的方法。该方法将含有醇溶性镉基纳米材料、掺杂金属源和有机极性溶剂Ⅰ的物料Ⅰ,进行离子交换反应,得到所述镉基合金纳米材料。该方法可成功地合成出多种组分精确可控、能隙可大范围调谐的CdxM2/m‑xTe合金半导体纳米线、CdxM2/m‑xSe合金半导体纳米片和CdxM2/m‑xSe合金半导体纳米点。
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公开(公告)号:CN111808606B
公开(公告)日:2021-09-10
申请号:CN202010144914.0
申请日:2020-03-04
Applicant: 致晶科技(北京)有限公司 , 北京理工大学
IPC: C09K11/06 , C09K11/66 , C09K11/74 , C09K11/02 , C08L25/06 , C08L69/00 , C08L81/06 , C08L27/08 , C08L33/12 , C08K3/16 , C08K5/17 , C08K5/098 , H01L51/52 , H01L23/29 , G02F1/13357
Abstract: 本申请公开了一种复合材料的制备方法,包括以下步骤:含有聚合物基质、钙钛矿前驱体的混合物经熔融挤出,得到所述复合材料。本申请提出的挤出法原位制备钙钛矿量子点/聚合物复合材料的方法,实现了在挤出加工过程中钙钛矿量子点在聚合物基质中的原位生成,所得复合材料可有多种形态,且原位生成的钙钛矿量子点具有荧光量子产率高、稳定性好、发光波长可调的特点,可以应用于背光显示等领域。
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