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公开(公告)号：CN101197148A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710192706.2
申请日：2004-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/00736 , G11B7/0953 , G11B7/1267 , G11B7/24038 , G11B2007/0013 , G11B2020/1275 , G11B2020/1277 , G11B2220/235 , G11B2220/2537
Abstract: 一种能够控制最佳记录功率的信息存储介质，一个层中的最佳功率控制(OPC)区不影响不同层中的OPC区。所述信息存储介质包括至少一个信息存储层，所述信息存储层包括用于获得光记录条件的最佳功率控制区。相邻的信息存储层中的OPC区被布置在所述信息存储介质的不同半径之内。因此，即使当所述信息存储介质被偏心或具有制造误差时，也可以防止由一个信息存储层中的OPC区对相邻的信息存储层中的OPC区的影响所导致的所述信息存储介质的记录性质的降低。
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公开(公告)号：CN101197147A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710192704.3
申请日：2004-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B7/00736 , G11B7/0953 , G11B7/1267 , G11B7/24038 , G11B2007/0013 , G11B2020/1275 , G11B2020/1277 , G11B2220/235 , G11B2220/2537
Abstract: 一种能够控制最佳记录功率的信息存储介质，一个层中的最佳功率控制(OPC)区不影响不同层中的OPC区。所述信息存储介质包括至少一个信息存储层，所述信息存储层包括用于获得光记录条件的最佳功率控制区。相邻的信息存储层中的OPC区被布置在所述信息存储介质的不同半径之内。因此，即使当所述信息存储介质被偏心或具有制造误差时，也可以防止由一个信息存储层中的OPC区对相邻的信息存储层中的OPC区的影响所导致的所述信息存储介质的记录性质的降低。
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公开(公告)号：CN100390874C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200480005561.5
申请日：2004-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李坰根
IPC: G11B7/007
CPC classification number: G11B20/1217 , G11B7/0053 , G11B7/00736 , G11B7/24082 , G11B27/3027 , G11B27/329
Abstract: 一种具有导入区、用户数据区和导出区的信息存储介质，其中，在所述导入区和所述导出区中的至少一个的至少一部分中记录关于附加信息是否被记录为摆动凹坑的信息。
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公开(公告)号：CN100390871C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200410030074.6
申请日：2002-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/0045
CPC classification number: G11B7/126 , G11B7/00454 , G11B7/00456 , G11B7/0062
Abstract: 一种用于在光记录介质上记录数据的方法和装置。该方法包括通过利用具有一包含多脉冲的擦除模式的记录波形来形成标记或间隙。通过这样操作，该方法能防止标记形状的畸变并改进标记形状，从而改进了记录/再现特性。一种用于利用波形存储数据的信息存储介质，其包括：第一状态，对应于波形的记录模式；和第二状态，对应于波形的擦除模式，其中擦除模式包括一多脉冲；以及利用一冷却脉冲连接该记录模式和该擦除模式。
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公开(公告)号：CN101075464A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710126913.8
申请日：2005-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B20/12
CPC classification number: G11B7/00736 , G11B19/122 , G11B20/1217 , G11B20/1252 , G11B20/1262 , G11B2007/0006 , G11B2007/0013 , G11B2020/1229 , G11B2020/1259 , G11B2020/1275 , G11B2020/1278 , G11B2220/215 , G11B2220/235 , G11B2220/2537
Abstract: 一种记录和/或再现设备，一种记录和/或再现方法，以及一种信息存储介质，其中，该记录和/或再现设备包括：写和/或读单元，将数据写入具有一个或多个信息记录层的信息存储介质或从具有一个或多个信息记录层的信息存储介质读取数据；和控制单元，控制写和/或读单元以通过参考包括与信息存储介质的记录特征相应的记录相关参数信息和记录相关参数被应用到记录特征信息的一个或多个盘信息结构来将数据写入信息存储介质。根据该设备和方法，适合记录和/或再现设备的记录特征的参数以及不同规格之间的兼容性可被实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101071607A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710126808.4
申请日：2005-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B19/04 , G11B19/02 , G11B19/12 , G11B20/00086 , G11B20/00702 , G11B20/1217 , G11B20/1883 , G11B2020/1278 , G11B2020/1826 , G11B2220/20
Abstract: 一种信息记录介质、一种记录/再现方法和设备、以及一种主机设备，被提供以确保具有新标准和现有标准驱动器系统的功能的信息记录介质之间的兼容性。该信息记录介质包括：数据区域；缺陷管理区域，用于管理在数据区域中发生的缺陷；和访问控制区域，其中记录关于由该介质被载入其中的记录/再现设备可识别的功能的访问控制数据和关于由该记录/再现设备不可识别的功能的访问控制数据，其中，记录在缺陷管理区域中的写保护标志和记录在访问控制区域中的访问控制数据提供用于核查该介质是否可重新初始化的重新初始化核查信息。
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公开(公告)号：CN101064156A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710104855.9
申请日：2003-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B20/10
CPC classification number: G11B7/005 , G11B20/1883 , G11B2007/0013 , G11B2020/1873 , G11B2020/1893 , G11B2220/20 , G11B2220/218 , G11B2220/235 , G11B2220/2537
Abstract: 一种具有临时缺陷管理信息区域和缺陷管理区域的盘，包括：缺陷管理区域，位于引入区域、引出区域和外部区域中的至少一个中；临时缺陷信息区域，形成于数据区域中，并且在其中记录临时缺陷信息；和临时缺陷管理信息区域，位于引入区域和引出区域中的至少一个中。因此，可以将用户数据记录在可记录盘尤其是一次写入盘，同时对其执行缺陷管理，从而实现具有有限记录容量的缺陷管理区域的有效使用。
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公开(公告)号：CN100346414C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN99108661.9
申请日：1999-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B15/04
CPC classification number: G11B19/122 , G11B20/00086 , G11B20/00094 , G11B20/00304 , G11B20/00311 , G11B20/00376 , G11B20/00702 , G11B20/10 , G11B20/1217 , G11B20/1883 , G11B23/0302 , G11B23/288 , G11B27/031 , G11B27/105 , G11B27/329 , G11B2020/1229 , G11B2020/1278 , G11B2020/1285 , G11B2220/20 , G11B2220/215 , G11B2220/216 , G11B2220/218 , G11B2220/2562 , G11B2220/2575
Abstract: 一种用于存储写保护信息的记录介质，和用于保护记录在可记录和/或可重写盘上的数据以避免不需要的重写或擦除的写保护方法。为了写保护通常用在具有写保护识别开关的卡盘中裸露状态的盘，写保护信息记录在导入区、导出区或除了盘用户数据区的记录信息区中。此外即使存储在盘上的写保护信息与用于写保护的盒的识别开关的状态不匹配，也能保护保护数据不被重写或擦除。这样当可记录和/或可重写记录介质用在裸露状态时，能够保证写保护。
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公开(公告)号：CN100342433C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN03821287.0
申请日：2003-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/007
CPC classification number: G11B7/24079 , G11B7/00736 , G11B7/0906
Abstract: 一种光学信息存储介质包括：引入区域；引出区域；和用户数据区域，位于引入区域和引出区域之间并且其中记录用户数据。凹坑被形成在引入区域、用户数据区域、和引出区域中，引入区域包括第一子区域和第二子区域，第一子区域中的相邻轨道之间的第一轨道间距大于第二子区域中的相邻轨道之间的第二轨道间距，并且光学信息存储介质相关信息被记录在第一子区域中。
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公开(公告)号：CN101030418A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710004387.8
申请日：2004-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李坰根
IPC: G11B7/24 , G11B7/007 , G11B7/0045 , G11B7/125
CPC classification number: G11B7/1267 , G11B7/00736 , G11B7/24038 , G11B2007/0013
Abstract: 提供一种信息存储介质中的最优功率控制的方法，所述信息存储介质包括奇数信息存储层中的最优功率控制区域和与奇数信息存储层相邻的偶数信息存储层中的最优功率控制区域，奇数信息存储层的最优功率控制区域和偶数信息存储层中的最优功率控制区域被设置在信息存储介质的不同半径内，所述方法包括：将奇数信息存储层的最优功率控制区域和偶数信息存储层的最优功率控制区域被用来存储数据的方向设置为相反方向。
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