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公开(公告)号：CN114203900B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202111287968.3
申请日：2021-11-02
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种多功能忆阻器及其调控方法，其调控方法包括：在底电极上形成原始薄膜，所述原始薄膜为包括含In和Se的化合物薄膜；通过氧等离子体工艺对所述原始薄膜进行处理，将原始薄膜表层氧化为氧化层，形成阻变层，所述阻变层包括氧化层和剩余的原始薄膜；在所述阻变层上制备顶电极，形成忆阻器；其中，在形成阻变层期间，通过调控氧等离子体工艺的处理参数，调控阻变层内导电细丝的形态，改变忆阻器的易失性或非易失性。本申请可以基于一种材料，通过改变器件制备期间的工艺参数，得到不同性能的忆阻器，基于同一种材料实现忆阻器的多功能调控，有利于简化大规模集成电路的工艺与结构。
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公开(公告)号：CN117976660B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410361538.9
申请日：2024-03-27
Applicant: 湖北江城实验室
IPC: H01L23/544 , H01L23/528 , H01L21/66 , G01R31/26
Abstract: 公开了一种半导体结构及其热测试方法，半导体结构包括：堆叠结构，堆叠结构包括测试结构以及位于测试结构相对的两侧并与测试结构接触的发热层和感测层，发热层内设置有第一导电层，感测层内设置有第二导电层，第一导电层包括第一输入端和第一输出端，第二导电层包括第二输入端和第二输出端；至少一个第一测试焊盘、至少一个第二测试焊盘、至少一个第三测试焊盘以及至少一个第四测试焊盘，分立设置在堆叠结构的上表面；多个互连结构，在堆叠结构内沿竖直方向延伸延伸；其中，第一测试焊盘和第二测试焊盘通过互连结构分别与第一输入端和第一输出端对应电连接，第三测试焊盘和第四测试焊盘通过互连结构分别与第二输入端和第二输出端对应电连接。
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公开(公告)号：CN114284312B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111597040.5
申请日：2021-12-24
IPC: H10B63/10
Abstract: 本发明公开了一种OTS选通管的操作方法，属于微纳米电子技术领域，包括：在OTS选通管两端施加脉冲，提取每次施加脉冲后OTS选通管的阈值电压Vth；若Vth连续P次增大或Vth连续P次减小，则从下次起施加反向脉冲，并对Vth增大或减小的次数重新计数。通过对OTS选通管两端施加双向脉冲，在操作次数增加时，双向脉冲对应的场致效应在不同局域缺陷态富集电子，形成不同电子分布，从而抑制单向脉冲操作下在局域缺陷态富集电子，减小了阈值电压漂移；且本发明所提供的操作方法为电学操作方法，该操作方法简单可控，在对选通管制备工艺要求没有提高的前提下，有效解决了OTS选通管器件的阈值漂移问题，大大优化了OTS选通管的性能。
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公开(公告)号：CN117446871A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311330935.1
申请日：2023-10-13
Applicant: 湖北江城实验室
Abstract: 本公开涉及纳米材料技术领域，提供了一种二维氧化铁纳米片及其制备方法。其中，二维氧化铁纳米片的制备方法包括：首先，将云母片放置于管式炉的下游区域；然后，将氧化铁粉末和六水合氯化铁晶体混合均匀，放置于管式炉的加热区域；最后，对管式炉进行加热，通过化学气相沉积工艺，在云母片上制得二维氧化铁纳米片。
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公开(公告)号：CN113643741B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202110939199.4
申请日：2021-08-16
Abstract: 本发明提供了一种基于1S1R的逻辑运算单元及运算方法，属于存储器存内计算技术领域；现有技术中存内计算单元结构复杂和运行稳定性不足；本发明提供了一种基于1S1R的逻辑运算单元，从下至上依次包括底电极层、选通管层、阻变存储器层和顶电极层，其性能稳定，功耗低，可实现16种逻辑运算。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114335448B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202210005661.8
申请日：2022-01-04
Abstract: 本发明公开了一种具有多层纳米片结构的镍钴氢氧化物及其制备方法和应用。本发明具有多层纳米片结构的镍钴氢氧化物是以金属镍盐、金属钴盐、六亚甲基四胺、葡萄糖通过一步水热法制备而成。将本发明制备的具有多层纳米片结构的镍钴氢氧化物作为电极活性材料，其具有较大的比容量以及良好的倍率性能，采用上述镍钴氢氧化物材料制成电极材料后，其比电容在1A/g恒定电流下为400～800C/g，扫描速率从1A/g到10A/g其电容保持率为85％左右。
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公开(公告)号：CN114990629B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210858005.2
申请日：2022-07-20
IPC: C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明属于材料科学技术领域及电催化技术领域，具体涉及一种三相界面结构钴铁基催化剂及其制备方法和应用，本发明通过一步湿化学法得到的三相界面催化剂CoFe/CoFeOx/Fe3O4形成了稳定的界面结构，在界面处有着更快的电荷转移，降低了析氧反应过电势，利用本发明催化剂的界面处的快速电荷转移能够显著提升电化学动力学过程，从而实现高效稳定的电解水析氧。本发明合成的催化剂能耗小、工艺简单、成本低，在一定程度上解决了钴铁体系类材料合成方法具有局限性、能耗大、工艺复杂、成本高、等问题。
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公开(公告)号：CN114114783B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202111498288.6
申请日：2021-12-09
IPC: G02F3/00
Abstract: 本发明公开了一种三维空间全光多逻辑功能器件及全光多逻辑运算方法，其器件包括第一光输入装置、第二光输入装置、光输出装置以及逻辑运算装置，其中，逻辑运算装置包括分别沿三个不同的方向排布的多片全光逻辑功能薄膜，且每个方向包括至少两片平行相对的全光逻辑功能薄膜以构成对应方向的光逻辑门，各全光逻辑功能薄膜的透射率随控制光的输入改变而改变；第一光输入装置用于将沿不同方向入射的控制光分别传送至不同的全光逻辑功能薄膜，第二光输入装置用于使输入光垂直穿透任意方向平行相对的全光逻辑功能薄膜并从光输出装置输出得到输出光。通过本申请中的三维空间全光多逻辑功能器件，可以实现三维空间内多个方向的光运算。
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公开(公告)号：CN115994568A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211538004.6
申请日：2022-12-02
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料浮栅晶体管的存算一体神经网络构建方法，浮栅晶体管具有非易失性，可以实现信息的长效、低功耗存储；采用crossbar阵列构建神经网络结构，实现矩阵乘和运算；神经网络层与层之间引入模拟电路，同时作为连接层、激活函数和反相器，因此不需要经过模数转换和软件处理，降低了功耗，同时间接引入负权重，提升了计算精度。本发明提供的浮栅晶体管的存算一体神经网络可以取代传统的忆阻器阵列加软件处理模式，实现了神经网络全硬件结构设计，有望于拓展二维材料半导体器件的大规模集成与应用。
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公开(公告)号：CN115915775A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310002675.9
申请日：2023-01-03
Abstract: 发明公开了一种基于共价有机框架薄膜的忆阻器，其结构从下至上为：衬底、导电底电极、共价有机框架薄膜、有机聚合物薄膜和导电顶电极。忆阻器制备包括以下步骤：在0‑80℃下，将特定的芳香二醛混合溶液和芳香多胺混合溶液混合，滴加在所需导电底电极上或直接将带有导电底电极的衬底浸于混合溶液中，即可在底电极上得到均匀的共价有机框架薄膜用于忆阻器。之后制备聚合物胶体溶液，将其旋涂于共价有机框架薄膜表面，最后使用掩膜版采用热蒸镀或溅射制备顶电极。本发明首次提出一种新型忆阻器的制备方法，该制备方法过程简单，价格经济，无需高精度的精密仪器，在无需复杂环境的条件下即可在衬底上原位生长制备大面积的共价有机框架(COF)薄膜。
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