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公开(公告)号：CN118851587A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410892525.4
申请日：2024-07-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: C03C17/25
Abstract: 一种低温调控NiZn铁氧体薄膜晶粒生长特性的方法，属于薄膜制备技术领域。本发明通过加入适当的氧化剂NaNO2优化NiZn铁氧体薄膜晶粒生长特性，在不改变溶液pH值、主配方浓度和设备工艺参数的情况下，仅通过调控氧化液中氧化剂浓度这一操作，就实现了无取向的玻璃基板生长的NiZn铁氧体薄膜优化晶粒生长，调控晶粒形貌。同时，本发明方法也不需要高温退火处理，即可得到高结晶度的NiZn铁氧体薄膜，节约能源和制备时间，避免了退火处理引起的材料性能恶化，可实现与半导体工艺、集成器件的高效兼容。
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公开(公告)号：CN118380742A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410602949.2
申请日：2024-05-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/387
Abstract: 一种X波段自偏置环形器，包括基片以及位于基片之上的微带电路；微带电路为双Y结结构，包括中心圆结、间隔设置的大Y结分支和小Y结分支，大Y结分支与小Y结分支上均设置等效容性传输线与等效感性传输线，大Y结的三个臂的末端延伸形成容性传输线作为端口；基片包括铁氧体片、一级介质片和二级介质片，圆形的铁氧体片嵌入圆环状的一级介质片中并与一级介质片紧密贴合，铁氧体片与一级介质片的复合结构嵌入内侧为圆形、外侧为六边形的二级介质片中并与二级介质片紧密贴合；大Y结末端延伸形成的容性传输线端口位于二级介质片上。本发明通过铁氧体片与一级和二级介质片组合形成多级结构，加强了端口间的耦合作用；通过对整个环形器的结构进行坡度设计，增强了环形器的隔离效果。
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公开(公告)号：CN118047601A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410255322.4
申请日：2024-03-06
Applicant: 电子科技大学 , 乳源东阳光磁性材料有限公司
IPC: C04B35/38 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01F1/36
Abstract: 一种宽频高Tc高导锰锌铁氧体及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。本发明采用高比表面积原料，增大球磨过程中粉料接触面积，有利于提高反应活性，降低烧结温度；MnZn铁氧体主配方采用富铁缺锌体系，增强超交换作用，有利于材料居里温度的实现；二次球磨引入联合添加剂，借助助熔阻晶双重作用调控烧结过程晶粒生长机制，借助Co2O3对MnZn铁氧体磁晶各向异性常数进行补偿，提高起始磁导率；引入CaSiO3使之在烧结过程中富集于晶界，提高晶界电阻率，改善磁导率频率特性；烧结过程中，精准控制保温和降温阶段氧分压，影响Fe2+离子生成量，提高样品电阻率，同时适宜的烧结温度和保温时间有利于晶粒生长和材料致密化。
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公开(公告)号：CN117326860A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311279549.4
申请日：2023-09-28
Applicant: 电子科技大学 , 四川京都龙泰科技有限公司
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , H01F1/34
Abstract: 一种单轴型小线宽六角铁氧体材料及其制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。本发明首先预烧生成Cu 18H六角铁氧体粉末，加入SiO2添加剂进行高能球磨，球磨得到的亚微米粉末在磁场成型压机取向后烧结生成高密度、织构化Cu 18H六角铁氧体材料。本发明提供的单轴型小线宽Cu 18H六角铁氧体材料及其制备方法，制备工艺为传统固相反应法，操作简单且工艺成熟；制备的Cu 18H六角铁氧体材料兼具高密度(ρ≥5.3g/cm3)、高饱和磁化强度(4πMs≥1400G)、高剩磁比(Mr/Ms≥0.6)、高磁晶各向异性场(Ha≥9kOe)、低铁磁共振线宽(ΔH≤320Oe)特性，适用于自偏置环形器设计，以减小通信系统收发模块重量和体积。
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公开(公告)号：CN116969751A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311070026.9
申请日：2023-08-24
Applicant: 电子科技大学 , 四川京都龙泰科技有限公司
Abstract: 该发明公开了一种高阻高磁特性六角铁氧体材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。为永磁电机的开发等领域解决如下几方面的关键技术问题：其一，大幅提升六角铁氧体的电阻率，并改善了电阻温度特性；其二，内禀矫顽力和磁感矫顽力均大幅上升，使微特电机在运行中的稳定性得到增强。本发明中在大幅提升材料电阻率的同时，矫顽力也有约7％的提升；在J.European Ceram Soc.2023,43:5521‑5529报道中，材料的电阻率相比掺杂前提升了47.5％，而本发明中材料的电阻率相比于掺杂前提升了325％，在磁性能和电性能方面表现出了显著的优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116409988A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310388195.0
申请日：2023-04-12
Applicant: 电子科技大学 , 东阳富仕特磁业有限公司
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , H01P1/36 , H01P1/38
Abstract: 高介电中等饱和磁化强度石榴石铁氧体材料及制备方法，涉及材料技术。本发明的石榴石铁氧体材料化学式为BiaCabYcZrdVeFe5‑d‑e‑δO12，其中，0≤a≤1.2，0≤b≤1.46，0.34≤c≤1.8，0≤d≤0.45，0≤e≤0.505，0≤δ≤0.3，δ为缺铁量。本发明的石榴石铁氧体材料的介电常数为23～25，且同时具有中等的饱和磁化强度、铁磁共振线宽可低至30Oe、介电损耗低至2.0×10‑4、居里温度高达205℃，未使用除钇以外的其他稀土元素。该材料不仅可以有效降低微波铁氧体器件的尺寸，还可以降低器件的插入损耗，增加器件带宽，且成本低。
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公开(公告)号：CN116397193A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310388306.8
申请日：2023-04-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 高电阻率高截止频率软磁薄膜的制备方法，涉及电子材料技术。本发明包括以下步骤：步骤一、清洗衬底、SiO2靶材和Fe40Co40B20靶材；步骤二、利用磁控溅射镀膜工艺，SiO2靶材与Fe40Co40B20靶材共同溅射，在衬底表面沉积Fe40Co40B20‑SiO2薄膜。本发明全程在室温进行，与现代半导体工艺兼容。通过引入倾斜角，可调控薄膜面内各向异性场，从而提高薄膜的截止频率。通过调控SiO2靶的溅射功率，实现对薄膜电阻率的调控。
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公开(公告)号：CN116313365A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310373680.0
申请日：2023-04-10
Applicant: 电子科技大学 , 绵阳西磁科技有限公司
Abstract: SiO2和NiZn铁氧体联合包覆FeSiAl磁粉心及其制备方法，涉及磁性材料技术，本发明的磁粉心包括FeSiAl磁粉和包覆于FeSiAl磁粉表面的包覆层，其特征在于，所述包覆层的材料包括SiO2和NiZn铁氧体，以FeSiAl磁粉的质量为基准，SiO2的含量为0.2～1wt％，NiZn铁氧体的含量为0.2～1wt％。本发明可改善复合磁粉心的高频特性，同时稳定磁粉心的磁导率；磁粉心的制备工艺简单快速，且不需要进行长时间的化学反应或使用SPS。
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公开(公告)号：CN116313358A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310378565.2
申请日：2023-04-11
Applicant: 电子科技大学 , 深圳市麦捷微电子科技股份有限公司
Abstract: 多种铁氧体联合包覆FeSiAl磁粉心的制备方法，涉及磁性材料技术，本发明包括下述步骤：(1)原料准备：准备NiZn铁氧体粉末和MnZn铁氧体粉末，NiZn铁氧体分子式为NixZn1‑xFe2O4，此处x取值范围为0.2‑0.4；MnZn铁氧体分子式为MnxZn1‑xFe2O4，此处x取值范围为0.5‑0.6；(2)包覆：以FeSiAl粉末的质量为基准，称取FeSiAl粉末、0.2‑1wt％NiZn铁氧体粉末和0.2‑1wt％MnZn铁氧体粉末，将三种粉末加入丙酮溶液中，同时加入粘结剂，持续搅拌后，烘干；(3)成型；(4)退火。本发明可以使复合磁粉心同时具备高磁导率和低损耗两种特性。
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公开(公告)号：CN116283265A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310397521.4
申请日：2023-04-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/30 , C04B35/622 , H01F1/01
Abstract: 低温烧结NiCuZn功率铁氧体及制备方法，涉及电子材料技术。本发明的低温烧结NiCuZn功率铁氧体，包括主成分和添加剂，所述主成分包括47.5～50.5mol％Fe2O3、25～28mol％ZnO和10～12mol％NiO，其余为CuO；以主成分的重量为计算基准，添加剂包括：0.3～0.7wt％V2O5、0.02～0.08wt％BaTiO3。本发明的材料在高频下具有低损耗。
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