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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110690537A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910800837.7
申请日：2019-08-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 具有对称阻抗式移相微结构的太赫兹移相器，涉及太赫兹技术，本发明沿WR3标准波导E面的切分面并列设置有3个移相微结构体，所述切分面由波导轴线和与其平行的E面中线确定；每个移相微结构体由设置于石英介质基片上的4个子模块构成，每个子模块包括一个肖特基二极管和一个探针，肖特基二极管一端连接探针，另一端连接键合盘，4个探针以正交矩阵式排列，探针长轴沿平行且垂直于波导轴线的两条直线排列；探针位于波导的内腔。本发明的太赫兹移相器模型实现了0°、60°、120°、180°的四个不同相移量，并且表现出非常出色的线性度，每个状态对应的平均插入损耗小1.3dB，平均回波损耗大于10dB。
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公开(公告)号：CN110686574A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910857702.4
申请日：2019-09-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 微波点火试验装置，涉及微波技术。本发明包括顺次连接的磁控管、环形器、横截面为矩形的微波谐振腔；所述微波谐振腔的腔体内设置有两对内导体，其中，第一对内导体包括两个尺寸相同、顶面相对且共轴设置的圆台导体，圆台导体的底面固定设置于微波谐振腔相对的两个内壁；第二对内导体包括两个尺寸相同、顶面相对且共轴设置的圆台导体，圆台导体的底面固定设置于微波谐振腔相对的两个内壁，第二对内导体中的一个圆台内导体的顶面开设有凹槽；第一对内导体中的圆台导体底面半径大于第二对内导体中的圆台导体底面半径。本发明结构简单，易于实现，可重复进行试验，且不需要真空设备。
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公开(公告)号：CN109710972A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811395072.5
申请日：2018-11-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及微波电路技术，具体涉及一种半模基片集成波导(HMSIW)放大模块。本发明实现在半模基片集成波导本体中，在与电磁场传播的垂直方向的HMSIW本体中线处开一条槽线，并在虚拟磁壁一侧安装放大器，通过金丝跳线输入放大器，经过放大器放大后，再通过金丝跳线输出到另一边的HMSIW传输线。本发明在一定频段内，可以使HMSIW特性阻抗与放大器输入输出阻抗匹配，从而可以省去HMSIW与放大器之间的匹配网络，进而简化电路的结构，减小电路的尺寸。
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公开(公告)号：CN108736120A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810534254.X
申请日：2018-05-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/22
Abstract: 本发明涉及微波电路技术，具体涉及一种基于表面贴电阻的半模基片集成波导,HMSIW衰减器。本发明在HMSIW本体中，沿着与电磁场传播的垂直方向等距离开3条槽线，并在其中引入等间距的耗能元件-电阻，增加传播通道上的损耗。当电磁波在HMSIW本体中传播的时候，被槽线隔断的HMSIW表面结构将阻挡电磁波的继续传播，此时表面贴电阻在传播TE0.5，0模的同时对信号进行一定程度的衰减。其衰减量的大小与电阻值成正比关系：当电阻值是零欧时，近似于常规的HMSIW结构，无衰减；当电阻值无穷大时，等效于HMSIW本体被槽线隔断，传输通道断开。本发明提供了一种新的HMSIW衰减器结构，且增加了带宽和平坦度。
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