公开(公告)号：CN1395286A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：CN01139471.4

申请日：1995-09-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中嶋节男 ,  山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC: H01L21/00 ,  G02F1/133 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/423 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/093

Abstract: 在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液(乙酸镍溶液)的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶(单域区)的区域。

公开(公告)号：CN1091953C

公开(公告)日：2002-10-02

申请号：CN95109812.8

申请日：1995-08-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78654

Abstract: 用激光照射局部形成可以被认为是单晶体的区域106，并用这些区域至少构成沟道形区域112。通过具有这种结构的薄膜晶体管，就能得到与利用单晶体构成的薄膜晶体管类似的特性。此外，通过并联连接多个这样的薄膜晶体管，就能得到实际上与沟道宽度增加的单晶体薄膜晶体管相同的特性。

公开(公告)号：CN1078386C

公开(公告)日：2002-01-23

申请号：CN95117182.8

申请日：1995-08-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/70 ,  H01L21/335 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02686 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1229

Abstract: 在一块衬底上所形成的单片有源矩阵电路中，至少用于驱动矩阵区的构成外围电路的一部分薄膜晶体管(TFT)的有源区添加了浓度为1×1016-5×1019cm-3的促进硅结晶化的金属元素，没有金属元素添加到矩阵区的TFT有源区。至少构成外围电路的一部分TFT的沟道形成区和用于短阵区的TFT的沟道形成区是由具有单畴结构的硅半导体薄膜形成。

公开(公告)号：CN1078384C

公开(公告)日：2002-01-23

申请号：CN95115160.6

申请日：1995-09-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02672 ,  C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 提供具有可与单晶硅片性能相比似的特性的薄膜晶体管(TFT)。由硅氧化物制成的缓冲膜被形成在第一非晶硅膜上。将含有诸如镍之类的金属元素(用以促进硅结晶)的乙酸镍溶液涂敷到第一非晶硅膜。对该叠层进行热处理以形成硅化镍层。然后对硅化镍层绘制图样。形成第二非晶硅膜并对其热处理以生长晶体。这样便形成可视为单晶体的单域区。由这些单域区形成TFT的有源层。

公开(公告)号：CN1221223A

公开(公告)日：1999-06-30

申请号：CN98115594.4

申请日：1994-09-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 竹村保彦 ,  寺本聪

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863

Abstract: 本发明的薄膜晶体管具有形成在绝缘表面上的至少包括源、漏和沟道区的有源层。在沟道与源区之间及在沟道与漏区之间都形成高阻区。至少在高阻区设置能俘获正电荷的膜,以便在高阻区诱发N型导电。所以可改善N沟型TFT对热电子的可靠性。

公开(公告)号：CN1162188A

公开(公告)日：1997-10-15

申请号：CN96123975.1

申请日：1996-12-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  宫永昭治

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3221

Abstract: 半导体器件的制造方法，非晶硅膜中引入镍元素后，进行第1热处理使其结晶。获得结晶硅膜后用与第1热处理相同的方法进行第2热处理，所用处理气氛中加HCl等气体，除去结晶硅膜中所含Ni元素，用该方法能获得结晶度高和其中含金属元素浓度低的结晶硅膜。

公开(公告)号：CN1153312A

公开(公告)日：1997-07-02

申请号：CN96101623.X

申请日：1996-01-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 西毅 ,  寺本聪

IPC: G02F1/133

CPC classification number: G02F1/1333 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/133516

Abstract: 以低成本连续制造液晶元件的一种方法，采用卷绕在其相应的滚筒上的两个树脂衬底。用印制法形成滤色层和电极图形。此外，定向膜层也是印制的。这些制造工序通过转动各种滚筒连续进行。

公开(公告)号：CN1129850A

公开(公告)日：1996-08-28

申请号：CN95115160.6

申请日：1995-09-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02672 ,  C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 提供具有可与单晶硅片性能相比拟的特性的薄膜晶体管(TFT)。由硅氧化物制成的缓冲膜被形成在第一非晶硅膜上。将含有诸如镍之类的金属元素(用以促进硅结晶)的乙酸镍溶液涂敷到第一非晶硅膜。对该叠层进行热处理以形成硅化镍层。然后对硅化镍层绘制图样。形成第二非晶硅膜并对其热处理以生长晶体。这样便形成可视为单晶体的单域区。由这些单域区形成TFT的有源层。

公开(公告)号：CN1115499A

公开(公告)日：1996-01-24

申请号：CN94109535.5

申请日：1994-06-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫永昭治 ,  大谷久 ,  寺本聪

IPC: H01L29/02 ,  H01L29/78 ,  H01L27/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种绝缘栅场效应晶体管包括一硅沟道区，该硅用加热退火法晶化而适当的金属元素诸如镍之类协助晶化。该晶化在硅膜中横向从直接引入镍的部分发生。该TFT按这种方式设置，使TFT的源-漏方向与晶体生长的方向相一致或在所要求的方向与晶体生长方向相交叉。

公开(公告)号：CN1102908A

公开(公告)日：1995-05-24

申请号：CN94108851.0

申请日：1994-06-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  寺本聪

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/02667 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/154

Abstract: 制造TFTs的方法从在形成于衬底上的底层上选择性地形成镍膜开始。在镍膜上再形成非晶硅膜而且加热使之晶化。用红外光辐照该晶化了的膜使之退火。从而获得结晶度优良的结晶硅膜。用这种结晶硅膜来构成TFTs。