公开(公告)号：CN110914960B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201880046310.3

申请日：2018-07-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

Abstract: TFT基板的制造方法是源极电极(7S)和漏极电极(7D)各自包含下部源极金属层(S1)和上部源极金属层(S2)的TFT基板(101A)的制造方法。TFT基板的制造方法包含：将第1抗蚀剂层(81)作为蚀刻掩模对上部导电膜(S2’)进行蚀刻，从而形成上部源极金属层的工序；对下部导电膜(S1’)进行蚀刻，从而形成下部源极金属层的工序；将第1抗蚀剂层除去，以覆盖上部源极金属层的方式形成第2抗蚀剂层(82)的工序；以及将第2抗蚀剂层作为蚀刻掩模，通过干式蚀刻对接触层(6)进行蚀刻，从而形成源极接触部(6S)和漏极接触部(6D)的工序。

公开(公告)号：CN110364542B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN201910228691.3

申请日：2019-03-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪 ,  松原邦夫

IPC: H01L27/146

Abstract: 抑制由于水分的浸透导致的光电转换元件的漏电电流而发生的检测精度降低。有源矩阵基板(1)在多个像素的每一个像素中具备：光电转换元件(12)，其具有一对电极(14a、14b)和设置于电极(14a、14b)之间的半导体层(15)；无机膜(105a)，其覆盖光电转换元件(12)中的一个电极(14b)侧的表面的一部分和光电转换元件(12)的侧面；保护膜(105b)，其对水分具有耐腐蚀性，覆盖与光电转换元件(12)的侧面重叠的无机膜(105a)的部分；以及有机膜(106)，其覆盖无机膜(105a)和保护膜(105b)。

公开(公告)号：CN110164884B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201910112791.X

申请日：2019-02-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种能够抑制由偏压配线的剥离引起的检测不良的有源矩阵基板、具备该其的X射线摄像面板及其制造方法。有源矩阵基板(1)具有配置为矩阵状的多个检测部。多个检测部中的每一个均具备：光电转换层(15)；一对第一电极(14a)和第二电极(14b)；保护膜(106)，其覆盖光电转换层(15)的侧端部，并与第二电极(14b)的至少一部分重叠；以及偏压配线(16)，其设置于光电转换层(15)的外侧，并对第二电极(14b)施加偏压。第二电极(14b)的与偏压配线(16)重叠的电极部分具有至少一个电极开口部(141h)。偏压配线(16)在光电转换层(15)的外侧与第二电极(14b)的电极部分接触，同时，在电极开口部(141h)中与保护膜(106)接触。

公开(公告)号：CN110050351B

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN201780076001.6

申请日：2017-12-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/13 ,  H01L21/336 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22

Abstract: TFT基板(105)具有电介质基板(1)和在电介质基板上排列的多个天线单位区域(U)，多个天线单位区域各自具有TFT(10)和连接到TFT的漏极电极(7D)的贴片电极(7PE)。TFT基板具有：源极金属层(7)，其支撑于电介质基板，包含TFT的源极电极(7S)、漏极电极、连接到源极电极的源极总线(SL)、以及贴片电极；栅极金属层(3)，其形成在源极金属层上，包含TFT的栅极电极(3G)和连接到栅极电极的栅极总线(GL)；栅极绝缘层(4)，其形成在源极金属层与栅极金属层之间；以及层间绝缘层(11)，其形成在栅极金属层上。

公开(公告)号：CN109891598B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201780066430.5

申请日：2017-10-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01Q3/36 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22

Abstract: TFT基板(105)具有：栅极金属层(3)，其包含TFT(10)的栅极电极(3G)和贴片电极(3PE)；栅极绝缘层(4)，其形成于栅极金属层上，具有到达贴片电极的第1开口部(4a)；源极金属层(7)，其形成于栅极绝缘层上，包含TFT的源极电极(7S)、漏极电极(7D)以及从漏极电极延伸设置的漏极延设部(7de)；层间绝缘层(11)，其形成于源极金属层上，具有在从电介质基板(1)的法线方向观看时与第1开口部重叠的第2开口部(11a)和到达漏极延设部的第3开口部(11b)；以及导电层(19)，其形成于层间绝缘层上，包含贴片漏极连接部(19a)。贴片漏极连接部在第1开口部内与贴片电极接触，在第3开口部内与漏极延设部接触。

公开(公告)号：CN109891560B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201780067282.9

申请日：2017-10-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22

Abstract: TFT基板(105)的源极端子部(ST)具有包含于栅极金属层(3)的源极端子用下部连接部(3sA)和包含于导电层(19)的源极端子用上部连接部(19sA)。源极栅极连接部(SG)具有：源极下部连接配线(3sg)，其包含于栅极金属层，连接到源极端子用下部连接部；源极总线连接部(7sg)，其包含于源极金属层(7)，连接到源极总线(SL)；以及源极上部连接部(19sg)，其包含于导电层，源极上部连接部在形成于栅极绝缘层(4)的第3开口部(4sg1)内与源极下部连接配线接触，在形成于层间绝缘层(11)的第5开口部(11sg2)内与源极总线连接部接触。

公开(公告)号：CN110914960A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201880046310.3

申请日：2018-07-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

Abstract: TFT基板的制造方法是源极电极(7S)和漏极电极(7D)各自包含下部源极金属层(S1)和上部源极金属层(S2)的TFT基板(101A)的制造方法。TFT基板的制造方法包含：将第1抗蚀剂层(81)作为蚀刻掩模对上部导电膜(S2’)进行蚀刻，从而形成上部源极金属层的工序；对下部导电膜(S1’)进行蚀刻，从而形成下部源极金属层的工序；将第1抗蚀剂层除去，以覆盖上部源极金属层的方式形成第2抗蚀剂层(82)的工序；以及将第2抗蚀剂层作为蚀刻掩模，通过干式蚀刻对接触层(6)进行蚀刻，从而形成源极接触部(6S)和漏极接触部(6D)的工序。

公开(公告)号：CN110462841A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880022448.X

申请日：2018-03-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L29/786 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

Abstract: TFT基板(105A)具备包含多个天线单位区域(U)的发送接收区域(R1)和位于发送接收区域以外的区域的非发送接收区域(R2)。多个天线单位区域各自具有TFT(10)和电连接到TFT的漏极电极(7D)的贴片电极(3PE)。TFT基板具有：源极金属层(7)，其包含TFT的源极电极(7S)、漏极电极以及源极总线(SL)；栅极金属层(3)，其形成在源极金属层上，包含TFT的栅极电极(3G)、栅极总线(GL)以及贴片电极；栅极绝缘层(4)，其形成在源极金属层与栅极金属层之间；以及导电层(19)，其形成在栅极金属层上，在栅极金属层与导电层之间不具有绝缘层。

公开(公告)号：CN110235251A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201780081173.2

申请日：2017-12-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/144 ,  H01L31/08 ,  H04N5/32 ,  H04N5/369

Abstract: 提供能抑制漏电流的X射线摄像面板及其制造方法。摄像面板(1)基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像。摄像面板(1)在基板上具备将闪烁光转换为电荷的光电转换层(15)。光电转换层(15)在俯视时具有具备多个角落部(15p)的多边形形状。多个角落部(15p)各自具有内角大于90°的多个角。

公开(公告)号：CN110050351A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201780076001.6

申请日：2017-12-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/13 ,  H01L21/336 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22

Abstract: TFT基板(105)具有电介质基板(1)和在电介质基板上排列的多个天线单位区域(U)，多个天线单位区域各自具有TFT(10)和连接到TFT的漏极电极(7D)的贴片电极(7PE)。TFT基板具有：源极金属层(7)，其支撑于电介质基板，包含TFT的源极电极(7S)、漏极电极、连接到源极电极的源极总线(SL)、以及贴片电极；栅极金属层(3)，其形成在源极金属层上，包含TFT的栅极电极(3G)和连接到栅极电极的栅极总线(GL)；栅极绝缘层(4)，其形成在源极金属层与栅极金属层之间；以及层间绝缘层(11)，其形成在栅极金属层上。