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公开(公告)号：CN108034866B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201810059357.5
申请日：2018-01-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高性能氮化硅铝基复合材料及其制备方法，它涉及一种高性能氮化硅铝基复合材料及其制备方法。本发明是要解决常规方法增强体添加含量受限的问题。高性能氮化硅铝基复合材料按体积分数由5％～45％Si3N4增强体和55％～95％铝基体制成。方法：一、计算粉体质量并称量；二、粉体球磨混合；三、粉体过筛；四、预压；五、在保护气氛下进行放电等离子体烧结(SPS)。本发明用于制备铝基复合材料。
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公开(公告)号：CN107825776B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201711064898.9
申请日：2017-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B32B9/00 , B32B9/04 , B32B7/08 , B32B15/20 , B32B15/04 , B32B37/06 , B32B37/08 , B32B37/10 , B32B38/16 , B32B38/00 , B22D23/04
Abstract: 一种无残余热解碳的层状铝基复合材料的制备方法，涉及一种无残余热解碳的层状铝基复合材料的制备方法。本发明为解决现有层状铝基复合材料制备过程中厚度控制方法复杂、厚度控制不准确、成本高、层状复合材料界面结合性能弱、复合材料制备过程中预制体易坍塌的问题以及制备的层状铝基复合材料中存在残余热解碳的问题。一、称料；二、SiC浆料制备；三、SiC纳米线生片流延成型；四、预制体制备；五、去脂处理、预热及残余热解碳去除；六、液态铝浸渗。本发明实现了热解碳的氧化去除并预热时间缩短，厚度控制方法简单厚度准确、工艺简单，铝金属箔分隔了SiC纳米线层且能保证复合材料层状结构的完整性；复合材料界面结合优异。
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公开(公告)号：CN107022691B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201710311754.2
申请日：2017-05-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种以多层石墨烯微片为原材料制备石墨烯增强铝基复合材料的方法，涉及一种石墨烯增强铝基复合材料的方法。本发明为了解决目前石墨烯增强铝基复合材料制备过程中单层或少层石墨烯在铝基复合材料中的分散难度大和石墨烯增强铝基复合材料成本高的问题。制备方法：一、称取多层石墨烯微片、铝金属和工业纯铝块体；二、多层石墨烯微片分散与预制块成型；三、铝金属浸渗；四、大塑性变形处理；五、成分均匀化处理。本发明是以低价格多层石墨烯微片为增强体原材料，因此成本较直接用少层石墨烯为增强体的复合材料明显降低；制备的石墨烯增强铝基复合材料综合性能优异，易于实现产业化生产及应用。本发明适用于制备石墨烯增强铝基复合材料。
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公开(公告)号：CN107058917B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710316026.0
申请日：2017-05-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C49/06 , C22C49/14 , C22C47/00 , C22F1/04 , C22C101/14
Abstract: 一种基于半固态挤压制备定向排列SiC纳米线增强铝基复合材料的方法。本发明涉及一种基于半固态挤压制备定向排列SiC纳米线增强铝基复合材料的方法。本发明的目的是为了解决采用常规热挤压处理使SiC纳米线定向排列过程中对SiC纳米线损伤严重的问题。方法：一、非定向SiC纳米线增强铝基复合材料的制备；二、非定向SiC纳米线增强铝基复合材料及热挤压模具的预热；三、半固态挤压制备定向排列SiC纳米线增强铝基复合材料。本发明在固相线以上、液相线以下对SiC纳米线增强铝基复合材料进行热挤压处理。铝基体的晶粒边界发生熔化，铝基体处于固‑液混合状态，对SiC纳米线约束力小。SiC纳米线可以实现低损伤的定向排列。
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公开(公告)号：CN107058787B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201710311753.8
申请日：2017-05-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种以石墨微片为原材料制备石墨烯增强铝基复合材料的方法，涉及一种制备铝基复合材料的方法。本发明为了解决目前石墨烯增强铝基复合材料成本高、复合材料铸造件性能差以及石墨烯片层打开不充分的问题。制备方法：一、称料；二、石墨微片分散与预制块成型；三、铝金属真空渗；四、大塑性变形处理；五、成分均匀化处理。本发明以低成本石墨微片为原材料，首先制备石墨微片增强铝基复合材料，制备的少层石墨烯增强铝基复合材料的综合性能优异，弹性模量超过90GPa，抗拉强度超过400MPa，热导率超过230W/(m·K)。本发明适用于制备石墨烯增强铝基复合材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108358636A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810262476.0
申请日：2018-03-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种碳基耗散防热复合材料的制备方法，它涉及一种耗散防热复合材料的制备方法。本发明是要解决现有的碳/碳及其改性的复合材料制备工艺复杂，制备周期长，成本高的技术问题。本发明：一、将浸渗剂装入石墨坩埚中；二、加工碳基体材料；三、将坩埚放入气压浸渗炉中，将基体材料连接到气压浸渗炉中的提拉杆上；四、加热熔化浸渗剂；五、高压将浸渗剂压入到基体孔隙中。本发明所涉及碳基耐烧蚀耗散防热复合材料制备工艺简单、周期短、复合材料可实现近净成型，也可进行电加工和机械加工，制造成本低、耐烧蚀性能好。本发明应用于轻质耐烧蚀复合材料领域。
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公开(公告)号：CN107652601A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201711065757.9
申请日：2017-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C08J5/18 , C08J2329/04 , C08K3/34 , C08K7/00 , C08K2201/011
Abstract: 一种包含低损伤且定向排列的SiC纳米线的复合材料薄片的制备方法，涉及一种SiC纳米线的薄片的制备方法。本发明为解决目前层状复合材料的制备过程中SiC纳米线断裂严重、SiC纳米线因比表面积高而导致SiC纳米线极易团聚，难以在浆料中均匀分散的问题。方法：一、称料；二、SiC纳米线预分散；三、SiC纳米线低损伤球磨分散；四、除气处理；五、流延成型；六、干燥。本发明方法给出了一种制备低损伤、定向排列的SiC纳米线的薄片的方法，该方法工艺简单，SiC纳米线沿流延成型方向排列，能够解决SiC纳米线极易团聚的问题，对SiC纳米线损伤较小。本发明适用于制备SiC纳米线薄片。
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公开(公告)号：CN107058914A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710311750.4
申请日：2017-05-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C47/00 , C22C49/06 , C22C49/14 , C22C101/14
Abstract: 一种在铝基复合材料中实现SiC纳米线低损伤定向排列的方法，它涉及一种在铝基复合材料中实现SiC纳米线低损伤定向排列的方法。本发明为了解决采用常规热挤压处理使SiC纳米线定向排列过程中对SiC纳米线损伤严重的问题。一种在铝基复合材料中实现SiC纳米线低损伤定向排列的方法按照以下步骤进行：一、制备非定向SiC纳米线增强铝基复合材料；二、非定向SiC纳米线增强铝基复合材料预热；三、SiC纳米线低损伤定向排列处理。本发明提供了一种使SiC纳米线在铝基复合材料中低损伤定向排列的方法，工艺方法简单、易操作、复合材料性能优异，易于实现产业化生产及应用。
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公开(公告)号：CN118404058A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410623831.8
申请日：2024-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B22F1/18 , C23C26/02 , C01B32/194
Abstract: 一种石墨烯熔盐镀锡的方法，本发明涉及一种石墨烯熔盐镀锡的方法。为了解决石墨烯与基体金属之间存在界面反应的问题，提出一种石墨烯熔盐镀锡的方法。本发明中金属锡在熔融盐和高温下液化后与石墨烯均匀混合，降温后直接在石墨烯表面镀覆一层锡金属，不需要对石墨烯进行复杂的预处理，通过对保温时间和保温温度的控制，使锡金属可以很好的覆盖石墨烯表面。此物理过程镀层均匀，综合性能良好，并且镀层均匀，石墨烯与金属锡粉末烧结后力学性能强，适用于改善石墨烯和金属之间的界面结合。
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公开(公告)号：CN115608962B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202211399329.0
申请日：2022-11-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种轻质高刚度敏感设备精密基座的制备方法，本发明属于制导技术领域，具体涉及一种敏感设备精密基座设计及制备方法。本发明的目的是为了满足飞行器对高精度制导的需求。方法：加工石墨芯模、石墨外环、上石墨盖和下石磨盖；裁剪碳纤维布；利用石墨芯模铺设碳纤维布，再缠绕碳纤维布；组装成石墨胎膜，装入钢模具中，利用压力浸渗法将铝合金浸渗入石墨胎膜中，冷却后脱模，利用数控机床上进一步加工，完成。本发明以碳纤维为增强体，以铝合金为基体，采用压力浸渗技术复合而成碳纤维增强铝基复合材料的轻质高刚度敏感设备精密基座。碳纤维增强铝基复合材料具有低的密度，高的比刚度和比强度。本发明制备的敏感设备基座应用于飞行器领域。
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