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公开(公告)号：CN115168992A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210759707.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/15 , G06T17/00 , G06F113/26
Abstract: 本发明提供了一种航天器表面材料空间环境效应模拟与显示方法及模型，涉及航天器仿真计算技术领域，所述方法包括：建立航天器的三维模型，并将航天器表面剖分成多个多边形网格单元；将影响航天器外表面原子氧通量的第一空间环境参数或影响航天器外表面紫外辐照强度的第二空间环境参数输入到所述三维模型，计算原子氧和/或紫外辐照模拟粒子碰触的所述多边形网格单元，得到航天器表面原子氧和/或紫外辐照通量数据，并经过数据处理后，得到航天器表面原子氧和/或紫外辐照通量云图及航天器表面材料剥蚀/掏蚀深度变化曲线和/或航天器表面材料剥蚀/掏蚀效应云图。本发明操作简单，计算准确、显示直观，且方便观察。
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公开(公告)号：CN115146461A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210778641.4
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供一种基于对日定向卫星电池板实时运动状态的仿真方法，包括以下步骤：获取卫星中电池板的安装位置，并在卫星本体坐标系下对所述安装位置进行描述；获取任意时刻J2000坐标系下的太阳光线矢量，并将其变换为卫星本体坐标系下的太阳光线矢量；将所述电池板的法线矢量和所述卫星本体坐标系的太阳光线矢量投影至投影平面上，分别得到电池板法线矢量投影和太阳光线矢量投影；计算所述电池板法线矢量投影和所述太阳光线矢量投影之间的夹角。本发明提供的基于对日定向卫星电池板实时运动状态的仿真方法能够获得对日定向卫星电池板的实时运动状态，计算效率较高，结果准确，能够提高电池板的效率，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN111856237B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202010735729.9
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种深能级瞬态谱测试方法、装置及存储介质，涉及测试技术领域，包括：对半导体材料施加连续的脉冲同步信号；获取所述半导体材料的瞬态电容变化波形；根据所述瞬态电容变化波形进行多次指数拟合，确定所述半导体材料的指数深能级瞬态谱。本发明相对于率窗等抽样算法、傅里叶等统计算法，直接采用波形数据进行计算，而非估算的结果，可靠性更强，同时利用指数拟合的方法，还原瞬态电容变化波形的特征，寻找最优拟合结果，测试结果更为准确。
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公开(公告)号：CN108460196B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201810135807.4
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367 , G06F111/08 , G06F119/02 , G06F119/16
Abstract: 双极器件异种辐照源电离损伤等效评价试验方法，涉及材料和器件的辐照试验，属于核科学与技术领域，为了实现对不同类型粒子辐照条件下双极晶体管的性能退化特征的预测。本发明基于一种辐照源建立性能退化模型等效模拟其他辐照源辐射损伤的地面等效模拟试验方法，其应用对象包括双极晶体管及其他类型的双极工艺器件；仅通过选择某一特定种能量和种类的带电粒子，在合适的辐照通量条件下进行辐照试验，就可建立双极器件性能退化模型；结合Monte Carlo方法计算分析其他类型辐照源的损伤能力，即可将不同类型辐照源的辐射损伤进行归一化，达到预测在轨性能退化的目的。有益效果为准确地预测双极晶体管在轨电离损伤性能退化规律，步骤简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN108345026B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810136597.0
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01T1/36
Abstract: 一种计算带电粒子防护层后能谱的方法，本发明涉及计算带电粒子防护层后能谱的方法。本发明的目的是为了解决现有技术存在轨道带电粒子防护层后能谱的计算速度慢，计算时间长，以及空间粒子辐射会使电子器件的工作寿命缩短，造成巨大损失的问题。过程为：确定轨道入射粒子的微分能谱；确定防护材料及防护材料厚度；确定入射粒子的入射角度；若入射粒子为电子，计算E′1与射程及防护材料厚度的关系；若入射粒子为质子或离子，计算E′2、E′3、E′4和E′5分别与射程及防护材料厚度的关系；计算入射粒子与防护材料的非弹性截面；分别计算电子、质子和离子防护层后的微分能谱。本发明用于空间环境效应、核科学与应用技术领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112629429A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011407050.3
申请日：2020-12-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01B11/16
Abstract: 本发明提供了一种真空和变温环境下整星热变形测量装置、系统及方法，涉及卫星热变形测量技术领域。本发明所述的真空和变温环境下整星热变形测量装置，包括真空罐以及设置在所述真空罐内的石英测试件和激光位移传感器，所述石英测试件适于安装在载荷安装基板上，所述激光位移传感器安装在所述石英测试件上，所述激光位移传感器用于测量所述载荷安装基板的变形量。本发明所述的技术方案，通过在地面模拟真空环境，修正由压力差效应导致的激光测量光路的偏移、由温差引起的惠斯通桥电路平衡点的偏移以及时间漂移，调试出具备真空和变温环境下使用条件的激光位移传感器，提高了激光位移传感器的测量精度，进而有效提高了高分辨率卫星的分辨率。
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公开(公告)号：CN112356534A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011238152.7
申请日：2020-11-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B32B15/08 , B32B15/20 , B32B27/18 , B32B27/28 , B32B37/02 , B32B37/06 , B32B37/10 , C08L61/16 , C08K3/38
Abstract: 本发明提供了一种辐射防护复合材料及其制备方法，所述辐射防护复合材料以聚醚醚酮‑含硼纳米复合材料作为面层，以铝‑含硼纳米复合材料作为中间层，其中，所述中间层的相对两侧均设有所述面层。本发明通过以聚醚醚酮‑含硼纳米复合材料作为面层，以铝‑含硼纳米复合材料作为中间层，形成具有三层结构的复合材料，聚醚醚酮‑含硼纳米复合材料能对铝‑含硼纳米复合材料起到较好的防护作用，避免铝‑含硼纳米材料腐蚀，产生二次电子，造成二次辐射，且聚醚醚酮‑含硼纳米复合材料也具有优异的质子、中子和电子等空间带电粒子辐射防护性能，能减少复合材料中铝‑含硼纳米材料的用量，从而减少辐射防护复合材料的质量。
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公开(公告)号：CN112345795A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011238916.2
申请日：2020-11-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明提供了一种加速度计，涉及微机电系统领域。所述加速度计包括：上基板和敏感层，所述上基板包括衬底和介质层，所述介质层设置在所述衬底上且靠近所述敏感层，所述介质层与所述敏感层之间设置有间隔层，所述间隔层的厚度大于所述介质层的厚度，小于所述敏感层的厚度。这样，通过在介质层和敏感层之间设置有间隔层，且将间隔层的厚度设置为大于所述介质层的厚度，小于所述敏感层的厚度，使得在一定程度上能够加大了介质层和敏感层之间的间距，从而可以降低电离辐照诱导的氧化物俘获正电荷因库伦作用对敏感层电容的影响，增大了加速度计的抗辐照加固性能。
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公开(公告)号：CN111865225A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735158.9
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及放大电路技术领域，提供一种微弱脉冲信号放大电路和微尘探测器，包括输入电容、冲击传感器和电荷灵敏放大子电路，输入电容和冲击传感器各自与电荷灵敏放大子电路的输入端电连接，使输入电容和冲击传感器各自直接与电荷灵敏放大子电路的输入端耦合，在冲击传感器处于探测状态下，输入电容具备防止输出微弱电荷脉冲信号至电荷灵敏放大子电路的性能，避免了冲击传感器通过输入电容与电荷灵敏放大子电路耦合，防止输入电容跟随冲击传感器工作，克服了现有微弱脉冲信号放电电路中的输入电容在冲击传感器与电荷灵敏放大子电路之间造成信号干扰的缺陷。
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公开(公告)号：CN111856236A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010735198.3
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26 , G01N27/414
Abstract: 本发明提供了一种提取电子器件氧化层中负电荷的方法，包括以下步骤：S100、选择N型半导体材料制备成衬底；S200、在衬底上制备P型外延层；S300、在外延层上形成N+源区、N+漏区和P+阱区；S400、在外延层上生长氧化层；S500、对氧化层进行刻蚀，漏出阱区和衬底，在未刻蚀部分制备电极，形成N+源极、N+漏极和栅极；S600、将源极和漏极接地，栅氧电场保持正偏置，阱区负偏置，衬底负偏置，检测栅极处的空穴电流；S700、在偏置过程中，检测平带电压变化，提取氧化物层俘获负电荷的状态。本发明基于MOS场效应管制备工艺，在N型半导体材料衬底上形成负电荷测试结构，并通过调置不同电极之间的电压，快速检测负电荷状态，达到高效高灵敏度检测氧化层中负电荷的目的。
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