公开(公告)号：CN115274857A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202211205447.3

申请日：2022-09-30

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 余山 ,  赵东艳 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王帅鹏 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文 ,  张同

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种LDMOS器件、LDMOS器件制造方法及芯片，属于芯片领域。该LDMOS器件包括：半导体衬底以及形成在半导体衬底上的源极结构、栅极结构和漏极结构；所述半导体衬底内形成有漂移区和体区，所述源极结构与体区相接，所述漏极结构与所述漂移区相接，所述栅极结构形成在所述源极结构与所述漏极结构之间；所述漏极结构包括漏极掺杂区和漏极金属，所述漏极掺杂区形成在所述漂移区内且距离半导体衬底上表面第一预设距离，所述漏极金属与所述漏极掺杂区相连；所述漏极掺杂区上方还形成有空气腔，所述空气腔环绕在所述漏极金属的四周。空气腔内填充空气介质，空气介质围绕漏极金属，降低漏端的电场，提高击穿电压。

公开(公告)号：CN114937695B

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210875537.7

申请日：2022-07-25

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 陈燕宁 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  董广智 ,  付振 ,  刘芳 ,  余山 ,  郁文 ,  邓永峰 ,  王凯

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明提供一种双沟道LDMOS器件及其制备方法以及芯片，属于半导体集成电路技术领域。该LDMOS器件包括半导体衬底以及设置在半导体衬底上的漂移区、体区、源极区、漏极区和栅极结构；栅极结构设置在半导体衬底上方，且栅极结构的下表面一端与第一体区相接，另一端与第一漂移区相接；栅极结构的上表面一端与第二体区相接，另一端与第二漂移区相接；第二体区位于第一体区上方；第二漂移区位于第一漂移区上方；第一漏极区形成在第一漂移区内，第二漏极区形成在第二漂移区内；第一源极区形成在第一体区内，第二源极区形成在第二体区内；第一漏极区与第二漏极区通过第一金属连接结构连通，第一源极区与第二源极区通过第二金属连接结构连通。

公开(公告)号：CN114823482B

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210698562.2

申请日：2022-06-20

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 赵东艳 ,  王于波 ,  吴波 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  邓永锋 ,  王凯 ,  余山 ,  付振 ,  郁文 ,  刘倩倩 ,  王帅鹏

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种横向扩散金属氧化物半导体的制备方法和器件，该方法包括：提供一衬底，在衬底上形成第一衬垫层和第二衬垫层；以图形化的光罩的正光刻胶作为掩膜，刻蚀第一衬垫层和第二衬垫层以形成场氧的开口；对衬底进行热氧化处理，以在开口内形成场氧；去除第二衬垫层；使用相同图形化的光罩的负光刻胶作为掩膜，刻蚀去除第一衬垫层；对衬底再次进行热氧化处理，形成牺牲氧化层；使用相同图形化的光罩的负光刻胶作为掩膜，刻蚀去除牺牲氧化层。本公开解决了现有LDMOS制造工艺中，在相关步骤会消耗场氧而造成场氧上表面的厚度减少进而导致击穿电压降低的技术问题，提高了LDMOS器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN114744027B

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210652972.3

申请日：2022-06-10

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅LDMOSFET器件制造方法及碳化硅LDMOSFET器件。所述方法包括：在P型碳化硅衬底上形成碳化硅外延层，在碳化硅外延层上粘接P型硅层；对P型硅层进行刻蚀处理，形成两个延伸至碳化硅外延层的沟槽；分别沿两个沟槽的底部对碳化硅外延层进行离子掺杂形成沟道区；离子掺杂形成N型漂移区，填充沟槽形成P型体区；对填充沟槽进行刻蚀，形成场板隔离介质层；在刻蚀后的填充沟槽内填充多晶硅形成多晶硅栅极；在P型体区和N型漂移区形成源漏区。本发明采用碳化硅衬底，利用碳化硅的高击穿特性，提高器件的击穿电压；通过沟道区将两个多晶硅栅极串联形成组合栅结构，降低器件的导通电阻。

公开(公告)号：CN114583049B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210479541.1

申请日：2022-05-05

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网重庆市电力公司电力科学研究院

Inventor： 赵东艳 ,  王于波 ,  王凯 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  余山 ,  邓永峰 ,  吴波 ,  郁文 ,  刘倩倩

IPC: H01L49/02

Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种MIM电容器的制作方法及MIM电容器。所述MIM电容器的制作方法包括：在基板上形成下极板；在下极板上沉积温度系数低的导热电阻材料，形成第一薄膜电阻层；在第一薄膜电阻层上形成介质层；在介质层上沉积温度系数低的导热电阻材料，形成第二薄膜电阻层，使第一薄膜电阻层和第二薄膜电阻层全包覆介质层；在第二薄膜电阻层上形成上极板。本发明通过两层温度系数低的薄膜电阻层将MIM电容器的介质层全包覆住，可以降低MIM电容器整体的温度系数，提高MIM电容器的温度线性度性能。

公开(公告)号：CN114496802B

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210388660.6

申请日：2022-04-14

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

Inventor： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  王帅鹏 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOSFET器件的制作方法及LDMOSFET器件。所述LDMOSFET器件的制作方法包括：在衬底上形成第一氧化层；在第一氧化层上粘接硅片，对粘接的硅片进行刻蚀处理，去除硅片两侧边缘的硅材料；在刻蚀后的硅片上形成体区和漂移区；在漂移区的上方形成第二氧化层，在漂移区的侧方形成第三氧化层；在第二氧化层上形成多晶硅栅极，在第三氧化层的侧方形成多晶硅侧板。本发明通过第一氧化层、第二氧化层、第三氧化层构成LDMOSFET器件的三场板结构，不仅可以降低器件的表面电场，还可以降低器件的内部电场，在确保低导通电阻的前提下，提高LDMOSFET器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN114373800B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202210276656.0

申请日：2022-03-21

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路。晶体管包括：衬底，衬底由上至下依次包括第一衬底层、第一氧化层、重掺杂层、第二氧化层和第二衬底层，第一衬底层和第一氧化层凸出于重掺杂层的表面，第一衬底层和第二衬底层具有第一导电类型，重掺杂层具有第二导电类型；第一衬底层内形成有阱区、体区、漂移区、源极、漏极和栅极；氧化隔离层，形成于第一衬底层和第一氧化层的两侧，且氧化隔离层的底部与重掺杂层接触；氧化隔离层外侧形成有重掺杂多晶硅区，重掺杂多晶硅区的底部与重掺杂层接触，重掺杂多晶硅区具有第二导电类型；重掺杂多晶硅区内形成有接电极。通过本发明提供的晶体管能够降低表面电场，提高击穿电压。

公开(公告)号：CN114361244B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210270476.1

申请日：2022-03-18

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种LDMOSFET器件、制作方法及芯片，属于芯片领域。所述LDMOSFET器件包括：半导体衬底、栅极、源极区、漏极区、体区以及漂移区，所述体区以及漂移区形成在所述半导体衬底内，所述栅极形成在半导体衬底的上方，且一端与所述体区相连，另一端位于所述漂移区上方，所述源极区形成在所述体区内且位于栅极的一侧；所述漏极区形成在所述栅极的另一侧，所述漏极区形成在所述半导体衬底上方与所述漂移区相接。该LDMOSFET器件将漏极区设置在半导体衬底的上方，不占漂移区的部分区域，不影响漂移区击穿电压的提升效果，不增加导通电阻。

公开(公告)号：CN114220847B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202210159453.3

申请日：2022-02-22

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明实施例提供一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路，所述LDMOSFET包括：衬底，所述衬底上设有外延层；所述外延层上方依次设有第一重掺杂N+离子、P型硅、N型硅及第二重掺杂N+离子；所述P型硅中设有轻掺杂N型离子，所述N型硅中设有轻掺杂P型离子。所述LDMOSFET不需要高能量离子注入，具有工艺简单，成本低的特点。

公开(公告)号：CN114464673A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202210375514.X

申请日：2022-04-11

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种双栅LDMOSFET器件、制造方法及芯片。该方法包括：在表面为N型硅层的半导体衬底上方依次外延N型外延层和P型外延层；通过光刻及干法刻蚀形成贯穿N型外延层、P型外延层和N型硅层的沟槽；干法刻蚀去除两沟槽间预设区域内的P型外延层和N型外延层，以露出预设区域内的N型硅层作为漏极；沉积二氧化硅材料，通过光刻及刻蚀处理，在沟槽与所述N型外延层和N型硅层对应的内壁上形成场氧层；栅氧化形成氧化物材料层，通过离子刻蚀形成绝缘氧化层和覆盖沟槽与P型外延层对应处内壁和场氧层的栅氧化层；在沟槽中沉积多晶硅，形成多晶硅层；光刻及离子注入，在P型外延层中形成源极。该方法减少了离子注入和高温推结的步骤。