-
公开(公告)号：CN1549302A
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN03130642.X
申请日：2003-05-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了半导体微器件的一种键合方法及其键合强度的检测方法。键合方法包括以下步骤：1)设计并制备需要键合的硅结构片的键合面膜层结构；2)必要的界面处理；3)进行键合面间的键合对准；4)实施键合。本发明还提供了两种键合强度的检测方法，分别为压臂法和张开型测试法。本发明的方法具有工艺简便、可操作性强、精度高、键合温度低以及成本低等优势，可广泛应用于半导体微器件中的键合或封装中，具有很高的实用价值。
-
公开(公告)号：CN1534273A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN03121169.0
申请日：2003-03-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种对准键合精度检测系统，其特征在于它包括：一显微镜，一螺旋游标测量目镜，一CCD摄像机，一图像显示器，一红外光源，所述螺旋游标测量目镜连接在所述显微镜的垂直目镜的接口上，所述CCD摄像机连接在所述螺旋游标测量目镜上，所述图像显示器通过视频电缆与所述CCD摄像机连接，所述红外光源设置在所述显微镜的承片台下方。本发明利用在近红外区硅片具有较好的红外通过能力，CCD摄像机对红外光具有较好的成像质量，以及螺旋游标测量目镜对键合误差具有较精确的测量效果等特点，将其与显微镜结合成一体，为微电子机械系统(MEMS)加工技术提供了一种有效的测量手段。它可以广泛用于各种硅MEMS器件加工工艺过程的质量监控中，还可以作为可见光黑白图像的摄像测量显微镜使用。
-
公开(公告)号：CN109425743B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201710756577.9
申请日：2017-08-29
Applicant: 北京大学
IPC: G01N33/68
Abstract: 由于FAM19A4蛋白可能与多种生理和病理情形相关并在其中扮演重要角色，因此对特定样本如血液、体液及细胞培养上清等之中的可溶性FAM19A4蛋白进行定量检测具有重要意义。本发明首先涉及一种FAM19A4蛋白作为疾病诊断标志物的用途，所述疾病为感染性疾病和自身免疫病；本发明还涉及一种定量检测可溶性FAM19A4蛋白的方法和试剂盒。该方法和试剂盒利用双抗体夹心法原理使用微球固相载体和流式细胞术检测可溶性FAM19A4蛋白，可用于临床病人的血清、血浆、尿液、胸腹水、关节液、脑脊液、羊水、卵泡液等类型的体液以及基础研究和小鼠模型中各种生物学样品如细胞培养液、小鼠血液中FAM19A4蛋白的定量检测。
-
公开(公告)号：CN104003349B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410191944.1
申请日：2014-05-08
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种利用SOI片制备MEMS器件的表面牺牲层工艺方法，其步骤包括：1)在SOI基片上光刻定义MEMS器件结构区，并刻蚀器件层单晶硅和埋氧层氧化硅至衬底表面，埋氧层作为第一层牺牲层；2)淀积氧化硅作为第二层牺牲层；3)根据MEMS器件结构光刻定义氧化硅区域，并对氧化硅进行刻蚀；4)进行光刻，以氧化硅和光刻胶作双层掩膜刻蚀隔离槽；5)去除光刻胶，以氧化硅为掩膜刻蚀制作凸点槽和锚点槽；6)淀积第二层结构层，进行刻蚀以形成MEMS器件结构；7)制作通孔和引线；8)冷阱释放。本发明采用单晶硅作为主体结构层，加入预应力和凸点防止结构层黏附，工艺难度低，成品率高，可广泛应用于MEMS器件的制作。
-
公开(公告)号：CN102980694B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210500461.6
申请日：2012-11-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种无应变膜结构的MEMS压阻式压力传感器，包括制作于基片上并构成惠斯通电桥的四组压敏电阻，其中两组相对的压敏电阻沿 晶向排列，另外两组相对的压敏电阻沿 晶向排列。其制作步骤为：在基片正面采用压敏电阻所需剂量的掺杂浓度进行P型离子注入轻掺杂并高温热退火；在基片正面通过光刻定义P型重掺杂的引线接触区，通过离子注入进行重掺杂并高温热退火；制作引线孔和金属引线；通过光刻定义压敏电阻和接触区的形状，通过刻蚀的方式制作压敏电阻条；划片。本发明的压力传感器没有应变膜结构，能够降低传感器的芯片尺寸，增加抗过载能力；其制作方法与标准体硅压阻式压力传感器的工艺兼容，成本低且成品率高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104677529A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510064104.3
申请日：2015-02-06
Applicant: 北京大学
IPC: G01L1/18 , B81B1/00 , B81C1/00 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种压力计芯片结构及其制备方法，优选采用TSV后通孔技术实现。该结构的压力计芯片相比典型器件结构具有芯片尺寸小、自封装的优点；该设计加工工艺流程与常规微纳加工技术兼容，器件加工成本低，具有较高的成品率；该结构的压力计传感器拥有较薄的芯片厚度而且同时适用于芯片正面向上的压焊封装方式和芯片正面向下的倒装焊封装方式，具有较广阔的应用领域。
-
公开(公告)号：CN104614117A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510020963.2
申请日：2015-01-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种压阻式压力计芯片结构及其制备方法，其中，压阻式压力计芯片结构包括压敏电阻、重掺杂接触区、金属引线、硅应变膜、玻璃底座以及硅应变膜和玻璃底座之间的空腔，该结构的压力传感器相比典型器件结构具有工艺简单、芯片尺寸小的优点；同时采用阳极键合和硅片减薄工艺，该设计加工方法与标准体硅压阻式压力传感器的加工工艺兼容，器件加工成本低，具有较高的成品率。
-
公开(公告)号：CN104003349A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410191944.1
申请日：2014-05-08
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种利用SOI片制备MEMS器件的表面牺牲层工艺方法，其步骤包括：1)在SOI基片上光刻定义MEMS器件结构区，并刻蚀器件层单晶硅和埋氧层氧化硅至衬底表面，埋氧层作为第一层牺牲层；2)淀积氧化硅作为第二层牺牲层；3)根据MEMS器件结构光刻定义氧化硅区域，并对氧化硅进行刻蚀；4)进行光刻，以氧化硅和光刻胶作双层掩膜刻蚀隔离槽；5)去除光刻胶，以氧化硅为掩膜刻蚀制作凸点槽和锚点槽；6)淀积第二层结构层，进行刻蚀以形成MEMS器件结构；7)制作通孔和引线；8)冷阱释放。本发明采用单晶硅作为主体结构层，加入预应力和凸点防止结构层黏附，工艺难度低，成品率高，可广泛应用于MEMS器件的制作。
-
公开(公告)号：CN103884605A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410119092.5
申请日：2014-03-27
Applicant: 北京大学
IPC: G01N3/20
Abstract: 本发明涉及一种利用表面断裂强度检测刻蚀表面质量的方法及装置。该方法采用包含刻蚀表面的等强度梁，利用探针台探针对所述等强度梁的刻蚀表面施加位移负载，直至所述等强度梁断裂；然后测量所述等强度梁断裂时刻蚀表面受到的应力，得到表面断裂强度，利用该断裂强度判定刻蚀表面的质量。该装置包括等强度梁和片上多功能针头；所述片上多功能针头包括针尖，支撑针尖的弹性结构，以及测量所述针尖的位移的测力标尺。本发明从断裂强度角度去检测和评价表面质量，能够反映刻蚀表面的粗糙、微裂纹水平，对器件性能、可靠性具有更高的参考价值，操作简单，通用性强。
-
公开(公告)号：CN102980695A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210500895.6
申请日：2012-11-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种MEMS压阻式绝对压力传感器，包括设有四边形槽的基片，以及制作于该槽侧壁的四组压敏电阻，所述四组压敏电阻构成惠斯通电桥，所述四边形槽的两个相对的侧壁沿所述基片的 晶向排列，另外两个相对的侧壁沿所述基片的 晶向排列。其制作步骤为：在基片正面光刻定义P型重掺杂的引线接触区，进行离子注入和高温热退火；在基片正面光刻定义槽的形状并刻蚀四边形槽；通过P型离子注入轻掺杂进行侧壁上压敏电阻的掺杂，并进行高温热退火；制作引线孔和金属引线；划片。本发明不含应变膜，能够降低传感器的芯片尺寸，显著增加传感器的抗过载能力，提高了工艺的可靠性与器件的成品率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
157
records
(took 0.071 seconds)
