公开(公告)号：CN101305107A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200680030852.9

申请日：2006-08-22

Applicant: 溶剂热结晶成长技术研究组合

Inventor： 山村美彦 ,  佐藤慎也 ,  西谷信一

IPC: C22C19/05 ,  B01J3/00 ,  B01J3/04

CPC classification number: B01J3/008 ,  B01J19/02 ,  B01J2219/0236 ,  B01J2219/0277 ,  B01J2219/029 ,  C22C19/052 ,  C22C19/053 ,  C22C19/055 ,  C22C19/056 ,  Y02P20/544

Abstract: 本发明希望提供对超临界氨表现出优良的耐腐蚀性并适用于超临界氨反应器的材料。Ni基耐腐蚀合金包括15质量％或更大～50质量％或更小的Cr，以及Mo和W中的任一种或两种，其中[(Mo含量)+0.5×(W含量)]为1.5质量％或更大～8.5质量％或更小，1.8×[Cr的％含量]/{[Mo的％含量]+0.5×[W的％含量]}的值为3.0或更大～70.0或更小，其余为Ni和不可避免的杂质。优选地，Fe含量小于3质量％，以及C含量小于0.05质量％。该合金用于构造超临界氨反应器，或者将该材料涂覆到与超临界氨流体接触的表面上。该合金对超临界氨和添加到该超临界氨中的矿化剂表现出优良的耐腐蚀性。可以改进装置的安全性和可靠性，可以降低生产成本，可以延长装置寿命，以及可以降低运行成本。

公开(公告)号：CN101076397A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200580030677.9

申请日：2005-08-11

Applicant: 奥图泰有限公司

Inventor： A·施米特 ,  M·伦克尔

IPC: B01J19/12 ,  B01J19/02 ,  H05B6/80 ,  B01J8/24

CPC classification number: C04B35/66 ,  B01J8/1836 ,  B01J19/02 ,  B01J19/126 ,  B01J2208/00442 ,  B01J2208/00495 ,  B01J2219/00155 ,  B01J2219/0218 ,  B01J2219/0277 ,  B01J2219/1269 ,  B01J2219/1272 ,  C04B35/18 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/77 ,  H05B6/6402 ,  H05B6/707

Abstract: 本发明涉及用于热处理可流化物质的流化床反应器，其包括至少一个向流化床反应器内供应微波辐射的设施和确定反应器并具有绝热层的金属反应器壁。为了增加这种反应器的能量利用，按照本发明提出了在反应器壁内侧提供绝热层，其中从反应器壁处看，所述绝热层包括包含耐火砖和/或耐火混凝土的外层以及包含轻质耐火砖和/或绝热混凝土的内层。

公开(公告)号：CN1273640C

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN01822518.7

申请日：2001-11-23

Applicant: 兰姆研究公司

Inventor： R·J·奥丹尼尔 ,  C·C·常 ,  J·E·多尔蒂

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/44 ,  C23C16/26 ,  H01L21/00 ,  H01J37/32 ,  B01J19/02

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B01J19/02 ,  B01J2219/0204 ,  B01J2219/0263 ,  B01J2219/0277 ,  B01J2219/0295 ,  C23C16/4404 ,  H01J37/32477 ,  Y10S423/39 ,  Y10S423/40 ,  Y10S977/844 ,  Y10S977/847 ,  Y10T29/41

Abstract: 半导体工艺设备如等离子体腔的一种包括一个含富勒烯的表面的抗腐蚀部件，及其制造方法。

公开(公告)号：CN1202112C

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN02149867.9

申请日：2002-11-07

Applicant: 瓦克化学有限公司

Inventor： 赫尔穆特·霍尔费尔德 ,  西格弗里德·普夫劳姆 ,  弗朗茨·里纳

IPC: C07F7/12

CPC classification number: C07F7/127 ,  B01J3/042 ,  B01J19/123 ,  B01J19/2415 ,  B01J2219/00033 ,  B01J2219/0277 ,  B01J2219/0883 ,  B01J2219/0884

Abstract: 本发明涉及一种用于甲基硅烷氯化的方法，其包括以所用通式(II)的甲基硅烷的重量为基准，在有至少0.1重量%的氯化氢存在及引发氯化的电磁辐射作用的情况下，使混有氯的甲基硅烷与以通式(II)的甲基硅烷为基准的化学计量使用量的氯反应，实施该反应的温度低于通式(II)甲基硅烷的沸点，本发明还涉及一种适于实施该方法的设备。

公开(公告)号：CN1042345A

公开(公告)日：1990-05-23

申请号：CN89108253.0

申请日：1989-10-31

Applicant: 聚塑料株式会社

Inventor： 柿崎秀夫 ,  中村博 ,  秋山稔 ,  秋元敦史

IPC: C07C47/02

CPC classification number: C22C9/06 ,  B01J19/02 ,  B01J2219/0277 ,  C22C19/002

Abstract: 一种处理含甲醛的气体或液体的设备，其特征是所述设备与含甲醛的气体或液体相接触的表面的部分或全部用主要由铜和/或镍组成的合金制成。