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公开(公告)号：CN102097497A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010607188.8
申请日：2010-12-27
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/04
Abstract: 一种高转换效率的太阳能电池，属于半导体材料应用领域。本发明是在太阳能电池原有的增透膜中形成有周期性的纳米结构（如纳米线光栅、纳米孔阵列）。这种纳米结构能够降低增透膜的等效折射率，使增透膜的折射率能够与衬底相匹配从而提高膜的抗反性，增加太阳能电池的光吸收，从而提高太阳能电池的转换效率；理论分析表明采用纳米结构增透膜后太阳能电池的转换效率在400nm-1000nm有较大的提高，特别是在短波段有很大的提高；本发明只需要在传统太阳能电池加工工艺的基础上使用光刻和刻蚀就能够实现，和传统的太阳能电池的加工工艺相兼容，能够广泛应用于光伏产业。
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公开(公告)号：CN100582802C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200710092521.4
申请日：2007-08-03
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R31/311
Abstract: 本发明涉及一种LED芯片/晶圆的非接触式检测方法，特别是一种用于未封装的单个LED芯片或者有多个LED芯片的晶圆的检测方法。它通过检测控制和信号采集处理单元(9)控制光源(7)发射激励光束(4)照射在待测LED芯片/晶圆(2)的PN结(1)上，PN结(1)上形成的自发光(3)由会聚透镜组(6)会聚至光电转换器(8)，光电转换器(8)将光信号转换成电信号，送入检测控制和信号采集处理单元(9)进行处理来实现对LED芯片/晶圆的检测。采用本发明所述方法可以对LED芯片/晶圆的PN结功能状态进行检测；还可以不接触LED芯片/晶圆实现对LED芯片/晶圆性能参数的检测。
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公开(公告)号：CN101609130A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910104327.2
申请日：2009-07-14
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R33/06
Abstract: 一种采用连杆的磁致伸缩材料和石英音叉复合磁传感器，它由石英音叉、底座、“L”型支架、磁致伸缩材料杆、弹性连杆组成；石英音叉固定在底座上，底座与“L”型支架的横向臂固定连接；磁致伸缩材料杆固定在“L”型支架的竖向臂上并与需要连接的石英音叉振动臂同侧，且磁致伸缩材料杆与“L”型支架所在平面空间垂直；磁致伸缩材料杆与石英音叉的其中一振动臂通过弹性连杆连接。本发明的有益技术效果是：提供了一种磁电转化系数更高，灵敏度也相对更高的复合结构磁传感器。
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公开(公告)号：CN100573173C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200710078657.X
申请日：2007-06-27
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种LED芯片的检测方法，特别是一种用于LED封装过程中LED芯片及其封装质量检测方法。它通过检测控制和信号采集处理单元(1)控制光源(2)发射激励光线(3)照射在形成回路的LED芯片(5)的受光面上，检测控制和信号采集处理单元(1)的检测探头(7)与形成回路的LED支架(6)的两支脚接触测量回路中的电流或利用磁场特性非接触测量回路中的电流，来实现LED芯片及其封装质量的检测。本发明可以对LED芯片的PN结功能状态以及封装过程中的电极引出连接工序质量进行检测。本发明也可以实现对LED芯片性能参数的检测。
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公开(公告)号：CN101581760A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910138901.6
申请日：2007-08-03
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R31/311
Abstract: 本发明涉及一种LED芯片/晶圆的非接触式检测方法，特别是一种用于未封装的单个LED芯片或者有多个LED芯片的晶圆的检测方法。它通过检测控制和信号采集处理单元(9)控制光源(7)发射激励光束(4)照射在待测LED芯片/晶圆(2)的PN结(1)上，光照的同时，将所述PN结置于交变的磁场(11)中，PN结(1)上形成的交变自发光(3)由会聚透镜组(6)会聚至光电转换器(8)，光电转换器(8)将光信号转换成电信号，送入所述检测控制和信号采集处理单元(9)进行处理来实现对LED芯片/晶圆的检测。采用本发明所述方法可以对LED芯片/晶圆的PN结功能状态进行检测；还可以不接触LED芯片/晶圆实现对LED芯片/晶圆性能参数的检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101552313A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910103915.4
申请日：2009-05-22
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开一种磁场激励的LED在线检测方法，用交变磁场穿过由LED芯片与支架、焊线构成的闭合回路产生交变电流，通过检测该交变电流激发LED芯片产生的发光特性来实现对LED芯片的功能状态、性能参数以及封装过程中的电极引出的胶粘和焊接等工艺程序的质量问题的检测。本发明的有益技术效果是：克服了以往的检测技术所存在的需要直接接触LED芯片或仅能针对成品进行检测的技术弊端。能在LED芯片完成整个封装过程中，不接触LED芯片本身而快速地检测LED芯片的功能状态和性能参数以及封装过程中的电极引出的胶粘和焊接等工艺程序的质量问题。
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公开(公告)号：CN100544182C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200610095090.2
申请日：2006-09-01
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种用于传感器的自供电机构。它包括磁致伸缩层(1)和压电层(3)，其特征在于：在所述磁致伸缩层(1)和所述压电层(3)之间增设有放大机构(2)。本发明由于在现有的磁电复合机构中增设了放大机构，其品质因素明显提高，能量得以汇集，磁电转换效率因而增大。此自供电机构还可用于微功耗电路。
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公开(公告)号：CN101404468A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810233113.0
申请日：2008-11-25
Applicant: 重庆大学
IPC: H02N2/18 , H01L41/113 , H01L41/12
Abstract: 本发明公开了一种采用压磁/压电复合换能结构的振动能量采集器，它包括：支撑机构、压磁/压电复合磁电换能器、永磁体磁路、弹性机构；其中，压磁/压电复合磁电换能器处于永磁体磁路的气隙磁场空间内；压磁/压电复合磁电换能器和永磁体磁路中的一者通过弹性机构与支撑机构弹性连接，并可随弹性机构作往复运动，另一者固定在支撑机构的底座上；即：或者压磁/压电复合磁电换能器固定在底座上，永磁体磁路通过弹性机构与支撑机构连接；或者永磁体磁路通过非导磁材料固定在底座上，压磁/压电复合磁电换能器通过弹性机构与支撑机构连接；本发明的有益技术效果是：提供了一种适用于微弱振动的、磁电转化效率较高的自供能装置。
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公开(公告)号：CN101105519A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710092521.4
申请日：2007-08-03
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R31/311
Abstract: 本发明涉及一种LED芯片/晶圆的非接触式检测方法，特别是一种用于未封装的单个LED芯片或者有多个LED芯片的晶圆的检测方法。它通过检测控制和信号采集处理单元(9)控制光源(7)发射激励光束(4)照射在待测LED芯片/晶圆(2)的PN结(1)上，PN结(1)上形成的自发光(3)由会聚透镜组(6)会聚至光电转换器(8)，光电转换器(8)将光信号转换成电信号，送入检测控制和信号采集处理单元(9)进行处理来实现对LED芯片/晶圆的检测。采用本发明所述方法可以对LED芯片/晶圆的PN结功能状态进行检测；还可以不接触LED芯片/晶圆实现对LED芯片/晶圆性能参数的检测。
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公开(公告)号：CN1645080A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510020194.2
申请日：2005-01-15
Applicant: 重庆大学
IPC: G01M3/24
Abstract: 本发明涉及一种用于压力流体管网中检测管道泄漏以及准确定位漏点的便携式管道泄漏检测仪。本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：便携式管道泄漏检测仪，由主机、USB集线器、网络集线器、若干个数据采集单元和振动传感器、温度传感器、振动激励装置构成，主机通过USB集线器或网络集线器与各数据采集单元连接。本发明的有益效果是：泄漏检测可以在离线或在线方式下完成；可实现放大倍数，滤波器的中心频率、频带宽度等各种参数的自动调整；可以根据当前温度值修正管道振动传输速度；附加的振动激励装置，用以准确地测量两个振动传感器之间的管道实际长度，或者校准管道振动传输速度。
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