公开(公告)号：CN110197852A

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201910459149.9

申请日：2019-05-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 宋庆文 ,  张玉明 ,  汤晓燕 ,  袁昊 ,  张艺蒙 ,  王栋

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/872 ,  H01L29/16 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种半沟槽离子注入的混合PiN肖特基二极管，包括：N+衬底区；漂移层，位于N+衬底区上，漂移层的表面至少包括两个沟槽及相邻两个沟槽之间的一个凸起结构；P型区，包括：沟槽底部P型区和沟槽侧壁P型区，沟槽底部P型区位于沟槽底部下方，沟槽侧壁P型区位于凸起结构下方；金属层，包括：第一部分金属层和第二部分金属层，所述第一部分金属层与一部分所述漂移层形成肖特基接触，所述第二部分金属层与所述P型区形成欧姆接触；第一部分阳极，位于肖特基接触、欧姆接触的表面。本发明采用沟槽底部P型区与沟槽侧壁P型区的半沟槽离子注入的混合结构，使导通电阻减小，从而提高器件的性能及可靠性。

公开(公告)号：CN110190117A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910459150.1

申请日：2019-05-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 宋庆文 ,  王栋 ,  张玉明 ,  汤晓燕 ,  袁昊 ,  张艺蒙

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明公开了一种改善正向特性的槽型混合PiN肖特基二极管，包括：N+衬底区；漂移层，位于N+衬底区上；P型区，包括：沟槽底部P型区和沟槽侧壁P型区，沟槽侧壁P型区第一侧边与沟槽第一侧壁、沟槽底部P型区第一侧边贴合，沟槽底部P型区顶端、沟槽侧壁P型区顶端分别与沟槽底部、凸起结构底部贴合；金属层，位于沟槽与凸起结构表面，金属层包括：第一金属层部分和第二金属层部分，第一金属层部分与P型区表面形成欧姆接触区，第二金属层部分与漂移层表面形成肖特基接触区；第一部分阳极，位于金属层的表面。本发明采用P型区的混合结构，并增加第二肖特基接触，增大肖特基接触面积，使器件在正向导通下，电流密度增大，同时导通电阻减小。

公开(公告)号：CN110098264A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201910458045.6

申请日：2019-05-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张玉明 ,  宋庆文 ,  汤晓燕 ,  袁昊 ,  张艺蒙 ,  范鑫

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明涉及一种结型势垒肖特基二极管，包括从下至上依次设置的底层金属层、N+衬底层和N-外延层，其中，N-外延层上设置有隔离介质层和顶层金属层，隔离介质层环绕在N-外延层上表面的四周，顶层金属层设置在N-外延层和隔离介质层的上表面；N-外延层的上表面设置有若干个P型离子注入区，P型离子注入区的与顶层金属层接触，相邻P型离子注入区之间的间距从结型势垒肖特基二极管的边缘到中心呈增大趋势。本发明的结型势垒肖特基二极管，在保证反向漏电流和正向导通电阻没有退化的前提下，有效抑制了局部电迁移现象的发生，从而提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN105977905B

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201610516632.2

申请日：2016-07-04

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张艺蒙 ,  许耀 ,  宋庆文 ,  汤晓燕 ,  张玉明

IPC: H02H3/10 ,  H02H3/20 ,  H02H3/24 ,  G01R19/165

Abstract: 本发明公开了一种基于SiC MOSFET的过流及过欠压驱动保护系统，包括过流检测单元、过欠压检测单元、控制单元、驱动单元、钳位及软关断单元、第一MOSFET。本发明兼顾SiC MOSFET的过流保护，栅极过欠压保护以及检测系统抗干扰性强的特点，实现了错误状态数累积达到预设值时，栅极钳位并且软关断SiC MOSFET。错误状态数未达到预设值时，栅极钳位并采取周期性复位，提升了SiC MOSFET在应用电路中的稳定性以及检测反馈系统的抗干扰性。

公开(公告)号：CN109152132A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810932637.2

申请日：2018-08-16

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张艺蒙 ,  屈莎莎 ,  张玉明 ,  宋庆文 ,  汤晓燕

IPC: H05B33/08

Abstract: 本发明涉及一种多路LED调光电路，包括：调光控制单元、反馈控制单元、电压调节器和LED通道阵列；其中，调光控制单元第一输出端分别连接LED通道阵列的第一输入端和反馈控制电路的第一输入端，调光控制电路的第二输出端连接LED通道阵列的第二输入端；反馈控制单元的第一输出端连接电压调节器的输入端；电压调节器的输出端连接LED通道阵列的第三输入端；LED通道阵列的输出端连接反馈控制单元的第二输入端。本发明可以有效的抑制调光MOS管导通时LED的过冲电流，使得流过LED灯串的电流更加稳定，延长了LED灯的寿命，避免了LED灯的闪烁。

公开(公告)号：CN107579728A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201710693910.6

申请日：2017-08-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张艺蒙 ,  刘金金 ,  吕红亮 ,  宋庆文 ,  汤晓燕

IPC: H03K17/284 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明涉及一种采用电荷泵的功率场效应管的驱动电路，包括：延时单元(10)，电平移位单元(20)，电荷泵单元(30)和驱动单元(40)，其中，所述延时单元(10)，所述电平移位单元(20)，所述电荷泵单元(30)和所述驱动单元(40)依次串接，所述驱动单元(40)输出驱动电压用于驱动功率场效应管；本发明简化了电路结构，减少了电路元件，并且能够满足源极电压超过150V的功率场效应管的驱动。

公开(公告)号：CN104201212B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201410166403.3

申请日：2014-04-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 宋庆文 ,  杨帅 ,  汤晓燕 ,  张艺蒙 ,  贾仁需 ,  张玉明 ,  王悦湖

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种具有块状沟槽和埋层的浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，其包括金属、SiO2隔离介质、沟槽、一次N‑外延层、P+离子注入区、二次N‑外延层、N+衬底区和欧姆接触区，所述P+离子注入区处于二次N‑外延层的表面，沟槽与P+离子注入区上下对齐，形状相同，或者与P+离子注入区上下对齐，形状相同，浮动结采用圆形、六棱形或方形的块状埋层。本发明具有块状沟槽和埋层的浮动结碳化硅SBD器件，该器件既有沟槽式碳化硅SBD肖特基接触面积大，正向导通电流大的优点，又有浮动结碳化硅SBD击穿电压大的优点。

公开(公告)号：CN105934029B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201610367582.6

申请日：2016-05-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张艺蒙 ,  刘金金 ,  吕红亮 ,  汤晓燕 ,  张玉明

IPC: H05B33/08

CPC classification number: Y02B20/347

Abstract: 本发明公开了一种多路LED恒流驱动电路，包括电压调节器，LED通道阵列和反馈控制单元。反馈控制单元包括一个多路选择器，一个误差放大器和一个比较器，脉冲单元通过控制多路选择器来分时选择其中一条LED支路的采样电压输入反馈控制电路，产生反馈控制信号控制电压调节器的工作，实现精确控制每一条LED支路电流的目的。通过采用一个误差放大器，同时使每条LED支路采样电阻阻值相同来实现控制每条LED支路电流，电压的一致性。本发明通过脉冲电路实现分时复用同一个反馈控制电路的目的，简化了反馈电路元件数目和电路结构。误差放大器降低了电流调节电路上的压降，降低电路损耗。

公开(公告)号：CN106783987A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611210307.X

申请日：2016-12-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 宋庆文 ,  刘思成 ,  汤晓燕 ,  元磊 ,  张艺蒙 ,  张玉明

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/47 ,  H01L29/16 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供了一种纵向沟道的SiC肖特基栅双极型晶体管，包括N+碳化硅衬底，形成于N+碳化硅衬底表面的发射极接触金属层，形成于N+碳化硅衬底上的P+缓冲层，形成于P+缓冲层上P‑漂移区，形成于P‑漂移区上的P+集电区，形成于P+集电区上的集电极接触金属层；还包括形成于P‑漂移区上的至少两个竖直沟槽，每个沟槽上均形成有肖特基栅金属层。本发明提供的器件，在P‑漂移区采用纵向沟道JFET器件的沟道结构并以肖特基接触金属做为器件栅极来代替传统IGBT器件的上部结构，器件沟道区宽度为0.5～1.5μm。本发明器件具有制作工艺简单，成本低和器件电流增益高等优点，可用于开关稳压电源、电能转换、汽车电子以及石油钻井设备等应用。

公开(公告)号：CN106711207A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201611210305.0

申请日：2016-12-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 宋庆文 ,  刘思成 ,  汤晓燕 ,  元磊 ,  张艺蒙 ,  张玉明

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明提供了一种纵向沟道结型栅的碳化硅双极型晶体管及制备方法，主要解决现有技术中碳化硅IGBT器件氧化层带来的界面态问题，而且避免了可能出现的闩锁效应，同时降低了工艺步骤节省了工艺成本。其特点是在P‑漂移区采用纵向沟道JFET器件的沟道结构来代替传统IGBT器件的上部结构，器件沟道区宽度为1～4μm。本发明提供的器件具有制作工艺简单，成本低和器件电流增益高等优点，可用于开关稳压电源、电能转换、汽车电子以及石油钻井设备等应用。