公开(公告)号：CN103839857A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201410084660.2

申请日：2009-06-04

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 宫崎充 ,  胜冈诚司 ,  松田尚起 ,  国泽淳次 ,  小林贤一 ,  外崎宏 ,  筱崎弘行 ,  锅谷治 ,  森泽伸哉 ,  小川贵弘 ,  牧野夏木

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67219 ,  B24B37/345 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67754

Abstract: 一种基板处理装置、基板处理方法、基板把持机构以及基板把持方法。具备：对基板（W）进行研磨的研磨部（3）；搬运基板（W）的搬运机构（5、6）；以及对研磨后的基板（W）进行清洗、干燥的清洗部（4）。清洗部（4）具有用于清洗多个基板的多个清洗线。该清洗线具备多个清洗模块（201A、201B、202A、202B），通过多个搬运机器人（209、210）来搬运基板。

公开(公告)号：CN101254586B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200810092011.1

申请日：2008-01-30

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 齐藤贤一郎 ,  锅谷治 ,  永田公秀 ,  户川哲二

IPC: B24B29/00 ,  H01L21/304 ,  B24B49/04 ,  B24B53/12

CPC classification number: B24B53/017 ,  B24B49/14 ,  B24B49/18

Abstract: 用于将基片例如半导体晶片抛光至镜面光洁度的抛光设备。抛光设备包括具有抛光面的抛光台、被构造成保持并将基片压靠在抛光面上的顶环、被构造成提升和降低顶环的顶环轴、以及被构造成检测顶环轴伸长的伸长检测装置。抛光设备进一步还具有被构造成在抛光时设置顶环的垂直位置并控制提升和降低机构以按设定垂直位置使顶环降低到预设抛光位置的控制器。控制器基于已经由伸长检测装置检测到的顶环轴的伸长来修正预设抛光位置。

公开(公告)号：CN103447939A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310216923.6

申请日：2013-05-31

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 福岛诚 ,  安田穗积 ,  並木计介 ,  锅谷治 ,  富樫真吾 ,  山木晓

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34

CPC classification number: B24B37/005 ,  B24B7/228 ,  B24B37/042 ,  B24B37/07 ,  B24B37/32 ,  B24B49/16

Abstract: 一种研磨装置以及研磨方法，研磨装置具有：基板保持装置（1），具有将基板W相对研磨面（2a）按压的基板保持面（45a）以及配置为包围基板W且与研磨面（2a）接触的保持环（40）；旋转机构（13），使基板保持装置（1）以其轴心为中心旋转；至少一个局部负荷施加机构（110），向保持环（40）的一部分施加局部负荷。保持环（40）能够和基板保持面（45a）独立地倾斜运动，局部负荷施加机构（110）不和基板保持装置（1）一体旋转。根据本发明的研磨装置以及研磨方法，能够精密地控制晶片的研磨轮廓、特别是晶片边缘部的研磨轮廓。

公开(公告)号：CN101241843B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN200810081220.6

申请日：2004-02-25

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 户川哲二 ,  锅谷治

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/304 ,  B24B37/34

CPC classification number: H01L21/6838 ,  B24B37/30 ,  B24B49/16 ,  H01L21/67092

Abstract: 本发明提供一种衬底抛光方法，包括：经由多个流体通道将流体提供给多个压力室；将多个传感器分别设置在所述多个流体通道中，用于检测流过所述多个流体通道的所述流体的流动状态；当在所述多个流体通道的两个相邻流体通道中的二个所述传感器检测到所述流体的固定流动方向时，则判断为发生流体泄露并停止抛光所述衬底。

公开(公告)号：CN101934491B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201010267843.X

申请日：2005-10-31

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 锅谷治 ,  户川哲二 ,  福岛诚 ,  安田穗积

IPC: B24B29/00 ,  H01L21/304 ,  B24B49/02 ,  B24B53/12 ,  B24B41/047

CPC classification number: B24B37/20 ,  B24B37/005 ,  B24B37/10 ,  B24B37/105 ,  B24B37/30 ,  B24B37/32 ,  B24B47/22 ,  B24B49/00 ,  B24B49/16

Abstract: 抛光设备(1)具有抛光垫(22)、用于夹持半导体晶片(W)的顶环(20)、可操作地沿垂直方向移动顶环(20)的垂直运动机构(24)、当顶环(20)的下表面接触抛光垫(22)时可操作地检测顶环(20)的距离测量传感器(46)、可操作地基于距离测量传感器(46)检测到的位置计算顶环(20)抛光半导体晶片(W)的最佳位置的控制器(47)。垂直运动机构(24)包括可操作地将顶环(20)移动到最佳位置的滚珠丝杆机构(30，32，38，42)。

公开(公告)号：CN101474772A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200910006163.X

申请日：2005-12-06

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 户川哲二 ,  吉田博 ,  锅谷治 ,  福岛诚 ,  深谷孝一

IPC: B24B29/00 ,  B24B37/04 ,  H01L21/00 ,  B24B41/06

CPC classification number: B24B37/30

Abstract: 一种根据本发明的衬底保持设备，其包括将与衬底的后表面接触的弹性膜，用于固定该弹性膜的至少一部分的附着构件，以及在当衬底与该弹性膜接触时用于保持该衬底的外围部分的保持环。弹性薄膜包括至少一个突出部分，而附着构件包括至少一个啮合部分，该啮合部分与弹性膜的该至少一个突出部分的侧表面啮合。弹性膜进一步包括波纹部分，该波纹部分可以在挤压方向上膨胀，以允许弹性膜挤压衬底，且该波纹部分可以沿着挤压方向收缩。

公开(公告)号：CN100423203C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN02824391.9

申请日：2002-12-06

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 户川哲二 ,  锅谷治 ,  福岛诚 ,  樱井邦彦 ,  吉田博 ,  市村照彦

IPC: H01L21/304

Abstract: 本涉及一种在研磨半导体晶片等基板后进行平坦化的抛光装置中保持该基板(W)并按压在研磨面上的基板保持装置。本发明的基板保持装置具备内部具有容纳空间的顶圈(top ring)主体(2)、和可在顶圈主体的容纳空间内上下运动的上下运动部件(206)，在上下运动部件的下表面上装配具备弹性膜的相接部件(209)，相接部件的弹性膜(291)具备在具有向外凸出的外延凸缘(291a)的同时直接或间接相接于基板的相接部(291b)；和从相接部的外延凸缘基部(291d)向上延伸并连接于上下运动部件的连接部(291c)，连接部由比相接部更富伸缩性的材质形成。

公开(公告)号：CN100415447C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN03800759.2

申请日：2003-04-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 户川哲二 ,  福岛诚 ,  樱井邦彦 ,  吉田博 ,  锅谷治 ,  市村照彦

IPC: B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/30 ,  B24B37/013 ,  B24B37/042 ,  H01L21/30625 ,  Y10S438/977

Abstract: 本发明的抛光方法，用顶部圆环(23)来保持半导体晶片(W)，把该半导体晶片(W)按压到研磨面(10)上进行研磨的抛光方法，其特征在于：把弹性膜(60)安装到能够上下活动的上下活动部件(62)的下面上，在上述顶部圆环(23)内形成压力室(70)，把加压流体供给到上述压力室(70)内，利用上述流体的流体压力把半导体晶片W按压到上述研磨面(10)上进行研磨，从上述上下活动部件(62)的中央部上所形成的开口(62a)中喷射出加压流体，这样使研磨后的半导体晶片W从上述顶部圆环(23)上脱离。

公开(公告)号：CN101241843A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810081220.6

申请日：2004-02-25

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 户川哲二 ,  锅谷治

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/304 ,  B24B1/00 ,  B24B55/00 ,  B24B49/16 ,  B24B37/04 ,  B24B29/00

CPC classification number: H01L21/6838 ,  B24B37/30 ,  B24B49/16 ,  H01L21/67092

Abstract: 本发明提供一种衬底抛光方法，包括：经由多个流体通道将流体提供给多个压力室；将多个传感器分别设置在所述多个流体通道中，用于检测流过所述多个流体通道的所述流体的流动状态；当在所述多个流体通道的两个相邻流体通道中的二个所述传感器检测到所述流体的固定流动方向时，则判断为发生流体泄露并停止抛光所述衬底。

公开(公告)号：CN1698185A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN02824391.9

申请日：2002-12-06

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 户川哲二 ,  锅谷治 ,  福岛诚 ,  樱井邦彦 ,  吉田博 ,  市村照彦

IPC: H01L21/304

Abstract: 本涉及一种在研磨半导体晶片等基板后进行平坦化的抛光装置中保持该基板(W)并按压在研磨面上的基板保持装置。本发明的基板保持装置具备内部具有容纳空间的顶圈(topring)主体(2)、和可在顶圈主体的容纳空间内上下运动的上下运动部件(206)，在上下运动部件的下表面上装配具备弹性膜的相接部件(209)，相接部件的弹性膜(291)具备在具有向外凸出的外延凸缘(291a)的同时直接或间接相接于基板的相接部(291b)：和从相接部的外延凸缘基部(291d)向上延伸并连接于上下运动部件的连接部(291c)，连接部由比相接部更富伸缩性的材质形成。