公开(公告)号：CN1244161C

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN01137433.0

申请日：1995-09-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757

Abstract: 在制造薄膜晶体管的方法中，添加含有用于促进硅晶化的金属元素的溶液，使其与非晶硅膜接触，然后通过加热处理形成硅化物层。而且，通过蚀刻硅化物层形成了作为晶体生长核的区之后，照射激光同时加热处理。结果，从作为晶体生长核的区，在非晶硅膜中完成晶体生长，从而形成对应于单晶的单畴区。此外，在添加溶液之前，可以对非晶硅膜进行等离子体处理。

公开(公告)号：CN1630024A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410048959.9

申请日：1997-01-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L21/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 通过除去或者减少利用金属元素得到结晶硅膜中的该金属元素，得到具有优良特性的结晶硅膜，并且利用该结晶硅膜得到具有优良特性的半导体器件。通过第1加热处理，在非晶硅膜中，掺入促进硅结晶的金属元素，得到使该非晶硅膜结晶的结晶硅膜以后，在氧化气氛中进行第2加热处理、除去或者减少在该结晶硅膜中存在的金属元素，除掉形成的热氧化膜，在除掉该热氧化膜区域的表面上，再次进行热氧化，通过形成热氧化膜等得到半导体器件及其制造方法。该氧化气氛，采用含氧的氧化气氛，和含有卤素的氧化气氛等。

公开(公告)号：CN1619771A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410097810.X

申请日：1995-09-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757

Abstract: 在制造薄膜晶体管的方法中，添加含有用于促进硅晶化的金属元素的溶液，使其与非晶硅膜接触，然后通过加热处理形成硅化物层。而且，通过蚀刻硅化物层形成了作为晶体生长核的区之后，照射激光同时加热处理。结果，从作为晶体生长核的区，在非晶硅膜中完成晶体生长，从而形成对应于单晶的单畴区。此外，在添加溶液之前，可以对非晶硅膜进行等离子体处理。

公开(公告)号：CN1197164C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN00104152.5

申请日：1994-06-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫永昭治 ,  大谷久 ,  寺本聪

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 在非晶硅膜中引入一种或多种选自III、IV或V族的元素，然后在600℃或更低的温度下加热晶化。在平行于基片的方向上，晶体在已引入元素的区域生长。在结晶半导体层的一个部位，按以下方式形成半导体器件的有源区，即根据所期望的有源区迁移率，来选取晶体生长方向与器件电流方向之间的关系。

公开(公告)号：CN1194378C

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN02127863.6

申请日：1995-08-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪

IPC: H01L21/00 ,  G02F1/136 ,  G02F1/13

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明披露了有源矩阵型显示设备。在其中的一个技术方案中，有源矩阵型显示设备，包括：多个排成矩阵形设置在衬底上的像素；一驱动器电路，用于驱动在所述衬底上的多个像素，所述驱动器电路包括至少一个缓冲器电路；至少两个晶体管，在所述至少一个缓冲器电路中；其中，借助公共栅极引线、公共源极引线、和公共漏极引线与至少两个晶体管的连接，至少两个晶体管彼此并联连接，以及其中，至少两个晶体管的沟道形成区域独立地分别设置在至少两个独立的半导体层中。

公开(公告)号：CN1553519A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN200410069450.2

申请日：1995-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  荒井康行 ,  寺本聪

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  G02F1/136

CPC classification number: G02F1/133305 ,  G02F1/136227 ,  H01L29/78636

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：一个薄的或柔性的衬底；形成在所述衬底上的薄膜晶体管，一个树脂层位于所述衬底和所述薄膜晶体管之间，所述薄膜晶体管具有含硅的沟道形成区；和覆盖所述薄膜晶体管的含树脂的层。

公开(公告)号：CN1553271A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN200410069449.X

申请日：1995-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  荒井康行 ,  寺本聪

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78

CPC classification number: G02F1/133305 ,  G02F1/136227 ,  H01L29/78636

Abstract: 本发明提供了一种便携式电子装置，包括：一个薄的或柔性的衬底；形成在所述衬底上的薄膜晶体管，一个树脂层位于所述衬底和所述薄膜晶体管之间，所述薄膜晶体管具有含硅的沟道形成区；和覆盖所述薄膜晶体管的含树脂的层。

公开(公告)号：CN1156913C

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN01103443.2

申请日：1995-08-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02686 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1229

Abstract: 在一块衬底上所形成的单片有源矩阵电路中，至少用于驱动矩阵区的构成外围电路的一部分薄膜晶体管(TFT)的有源区添加了浓度为1×1016-5×1019cm-3的促进硅结晶化的金属元素，没有金属元素添加到矩阵区的TFT有源区。至少构成外围电路的一部分TFT的沟道形成区和用于短阵区的TFT的沟道形成区是由具有单畴结构的硅半导体薄膜形成。

公开(公告)号：CN1149682C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN00104151.7

申请日：1994-06-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫永昭治 ,  大谷久 ,  寺本聪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 在非晶硅膜中引入一种或多种选自III、IV或V族的元素，然后在600℃或更低的温度下加热晶化。在平行于基片的方向上，晶体在已引入元素的区域生长。在结晶半导体层的一个部位，按以下方式形成半导体器件的有源区，即根据所期望的有源区迁移率，来选取晶体生长方向与器件电流方向之间的关系。

公开(公告)号：CN1139104C

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN99118056.9

申请日：1994-06-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  寺本聪

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02667 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/154

Abstract: 制造TFTs的方法从在形成于衬底上的底层上选择性地形成镍膜开始。在镍膜上再形成非晶硅膜而且加热使之晶化。用红外光辐照该晶化了的膜使之退火。从而获得结晶度优良的结晶硅膜。用这种结晶硅膜来构成TFTs。