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公开(公告)号:CN103235389B
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:CN201310158630.7
申请日:2013-05-02
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 基于光纤耦合的光纤旋转准直器及其机械轴和光轴同轴调试方法,本发明属于光纤传感领域。现有光纤准直器进行光轴与机械轴同轴调试时需要将平面反射镜固定在旋转设备上同时借助外部光源,导致了光轴与机械轴同轴自准直的方法调试难度大的问题。本发明在光纤准直器的激光出射方向设置一个平面反射镜,调节平面反射镜直到光功率计接收到光信号的功率最大,旋转机械旋转装置的活动部180度,调节平面反射镜直到光功率计接收到的激光信号功率最大,反向调节平面反射镜的方位角与俯仰角,至旋转准直器机械轴与平面反射镜垂直,然后调节旋转螺栓使光纤准直器的光轴与机械轴重合,完成机械轴和光轴同轴的调试。本发明适用于光纤通信领域。
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公开(公告)号:CN103644991A
公开(公告)日:2014-03-19
申请号:CN201310737810.0
申请日:2013-12-27
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01L1/24
Abstract: 基于DFB激光器解调的双光纤光栅的应力传感器及应力测量方法,本发明属于光纤光栅传感器测量领域。它是为了解决现有光纤光栅传感器常用的解调技术中,在测量静态拉力时,光纤光栅不具有温度自动补偿功能,进而导致测量过程受温度影响的问题。本发明所述的基于DFB激光器解调的双光纤光栅的应力传感器及应力测量方法,分束器将DFB激光器发出的窄带激光分成强度相同的两束激光,并分别经过两个光电探测器探测将光信号转化为电信号,数据处理模块将此电信号转化波长的调谐量,实现温度自动跟踪补偿;同时电压只与应力有关而与温度无关,从而使测量过程不会受温度影响。本发明适用于在光纤光栅传感器常用的解调技术中测量静态拉力或动态拉力。
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公开(公告)号:CN103389172A
公开(公告)日:2013-11-13
申请号:CN201310316860.1
申请日:2013-07-25
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01K11/32
Abstract: 基于长周期光栅解调普通光纤光栅的温度传感器,属于光纤光栅传感器测量领域。为了解决现有光纤光栅传感器的边带解调技术的解调精度受光源功率起伏影响的问题,本发明所述宽带光源发出的宽带光经长周期光栅后成为具有双边带的透射光,然后被分光器均分成两束光,其中一束光经第一耦合器后被第一光纤光栅温度传感器反射到第一光电探测器,第一光电探测器将光信号转化为电信号,另一束光经第二耦合器后被第二光纤光栅温度传感器反射到第二光电探测器,第二光电探测器将光信号转化为电信号,数据采集器采集第一光电探测器和第二光电探测器测得的数据,数据处理器对采集的数据进行处理。本发明主要用于光学领域。
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公开(公告)号:CN103293361A
公开(公告)日:2013-09-11
申请号:CN201310216281.X
申请日:2013-06-03
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 基于双磁路可温度补偿的电流传感器及其电流检测方法,涉及一种互感器。第一矩形的环形铁芯和二矩形的环形铁芯均设置有气隙,第一磁致伸缩材料设置在第一矩形的环形铁芯的气隙内,第二磁致伸缩材料设置在第二矩形的环形铁芯的气隙内,第一传感探头粘贴在第一磁致伸缩材料上,第二传感探头粘贴在第二磁致伸缩材料上;电流检测方法:对第一偏置电流螺线管加偏置电流i1,对第二偏置电流螺线管加偏置电流i2;对待测电流螺线管加待测电流i3;得到第一传感探头的偏移量Δλ1和第二传感探头的偏移量Δλ2;根据Δλ1、Δλ2、中心波长λ0、弹光系数Pe、应变ε1随待测电流变化的斜率k和电场到磁场的转换率系数得到待测电流。本发明适用于测量电流值。
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公开(公告)号:CN101196489B
公开(公告)日:2012-06-06
申请号:CN200610151098.6
申请日:2006-12-05
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G01N27/414 , H01L51/00
Abstract: 有机薄膜三极管传感器、制作方法及用途,近年来,气体和气味分析的有机气体传感器和感应器阵列的使用已经吸引的很多研究者的关注。本发明是通过测量有机三极管传感器工作电流的变化,实现特定气体微量的测定的有机三极管传感器。有机薄膜三极管传感器,其组成包括:铝蒸发膜构成的栅极,所述的铝蒸发膜栅极两侧具有有机半导体的酞菁铜薄膜,两者之间形成肖特基壁垒,源极和漏极采用与酞菁铜蒸发膜成欧姆性接触的金蒸发膜,所述的漏极为多孔的金电极,所述的漏极和酞菁铜之间具有有机气体敏感膜。
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公开(公告)号:CN102303756A
公开(公告)日:2012-01-04
申请号:CN201110253598.1
申请日:2011-08-30
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种生产可交联高压电缆料的吸收料仓,它涉及一种吸收料仓,具体涉及一种生产可交联高压电缆料的吸收料仓。本发明为了解决现有吸收料仓底部加装活动构件,导致运动构件运动中产生污染物进入料仓内部,影响了聚合物颗粒料的洁净度的问题。本发明包括仓体和仓体支架,仓体固定安装在仓体支架上,还包括均化锥组件、中心分流锥、中间分流环、外分流环、底层阻力锥和仓料门组件,均化锥组件固定安装在仓体内腔的上部,外分流环固定安装在仓体内腔的下部,中间分流环插装在外分流环内,中心分流锥、底层阻力锥由上至下插装在中心分流环内,仓料门组件安装在仓体的底部,仓料门组件用于开启和关闭出料口。本发明用于生产可交联高压电缆料。
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公开(公告)号:CN1897321B
公开(公告)日:2011-01-12
申请号:CN200610067520.X
申请日:2006-02-27
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L51/05
Abstract: 亚微米厚度有机半导体薄膜三极管,涉及一种有机半导体材料为主体制作的亚微米厚度有机半导体薄膜三极管。目前欧美等发达国家研究的有机薄膜三极管主要是采用OTFT结构。本发明的亚微米厚度有机半导体薄膜三极管,其组成包括:玻璃基板(1),玻璃基板上具有金(2)、酞菁铜(3)、铝(4)、酞菁铜(5)、金(6)的层状结构复合层,铝膜的厚度为20±10nm,酞菁铜的厚度上层为70±5nm,下层为130±5nm。本产品用作有机的甚至是软体衬底的显示器,随着高性能新型有机半导体材料的开发,本产品可用作高速、高电流密度特性的三极管,可以用于有机显示器、液晶面板的驱动单元,电子标签,有机集成电路芯片等更广泛的领域。
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公开(公告)号:CN1303755C
公开(公告)日:2007-03-07
申请号:CN200510009926.8
申请日:2005-04-26
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 带有反馈有源低通滤波装置的变频器,它涉及变频器滤波技术领域,它可以滤去现有变频器输出电压中存在的共模信号。1的输出端与C5、2的输入端连接,C5与C6、Vs1的负极端、Vs2的正极端、R4和L1的非同名端连接,C6与1的输出端和2的输入端连接,2的输出端分别与(L21~L23)的同名端连接,(L21~L23)的非同名端分别通过(C1~C3)与(R1~R3)连接,(R1~R3)的另一端都与T1、T2的基极和C4连接,C4与R4连接,T1的集电极与Vs1的正极端连接,T1的发射极与L1的同名端和T2的发射极连接,T2的集电极与Vs2的负极端连接。本发明能消除变频器带来的负面效应,具有能集成模块形式的优点。
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公开(公告)号:CN118496424A
公开(公告)日:2024-08-16
申请号:CN202410760000.5
申请日:2024-06-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C08F255/02 , C08F220/36 , C08K3/04
Abstract: 本发明公开了一种高压直流电缆用半导电屏蔽材料及其制备方法,属于高压电缆材料及其制备技术领域。本发明将含有极性基团的反应型抗氧剂加入到基体树脂中,经自由基引发剂引发,通过熔融接枝反应键合到基体树脂大分子链上,提高基体树脂大分子链的极性,同时接枝抗氧剂的极性基团与炭黑表面的羟基发生反应,形成氢键或共价化学键,增强基体树脂大分子链与炭黑间的相互作用,进而提高炭黑在基体树脂中的分散性,降低屏蔽/绝缘层界面处的电场畸变,连同抗氧剂的氨基等极性基团与电荷载流子的相互作用,限制电荷,降低电荷载流子的注入,增加空间电荷注入的阈值场强,从而降低绝缘层中空间电荷的积累,有效抑制绝缘层电场畸变,提高绝缘层介电性能。
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公开(公告)号:CN115651105A
公开(公告)日:2023-01-31
申请号:CN202211314113.X
申请日:2022-10-25
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C08F110/02 , C08F8/00 , C08L51/06
Abstract: 一种接枝改性型交联聚乙烯抗水树绝缘料及其制备方法和应用,它属于电力电缆绝缘料制备技术领域,涉及一种交联聚乙烯抗水树绝缘料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有抗水树交联聚乙烯绝缘料中改性添加剂容易发生的迁移和析出,导致绝缘电学性能的下降问题。一种接枝改性型交联聚乙烯抗水树绝缘料按重量份数由100份低密度聚乙烯、1.0~5.0份过氧化二异丙苯、0.1~3.0份抗氧剂和0.1~3.0份改性添加剂制备而成。一种接枝改性型交联聚乙烯抗水树绝缘料的制备方法是按照一步法或两步共混法制备。本发明使用改性添加剂,极大提高材料抗水树性能,提高了材料的电阻率和耐电强度,并会通过降低材料中的电导电流幅值和介质损耗角正切。
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