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公开(公告)号：CN113505016B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110771728.4
申请日：2021-07-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网江西省电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明涉及芯片技术领域，提供一种总线传输故障检测方法、总线系统及芯片。所述总线传输故障检测方法包括：对接收到的地址信号和数据信号中的校验值进行验证；根据校验值验证结果确定地址信号和数据信号的传输故障，所述地址信号和所述数据信号通过基于AHB‑Lite协议的总线传输；对AHB‑Lite协议定义的控制信号进行传输校验，根据传输校验结果确定控制信号的传输故障。本发明的方案能够保证AHB‑Lite总线传输的正确性。
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公开(公告)号：CN111767584B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202010517006.1
申请日：2020-06-09
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明提供一种内置随机数发生器的安全微处理器，属于芯片设计领域。本发明的微处理器应用于安全芯片中，所述安全芯片中配置有用于产生随机数种子的真随机数发生器，所述微处理器包括：安全控制模块，用于对所述微处理器的侧信道攻击进行防护；伪随机数发生器，用于根据所述真随机数发生器产生的随机数种子生成所述安全控制模块所需的随机控制信号。本发明内置伪随机数发生器和安全控制模块，微处理器自身具有对抗侧信道攻击的能力。在进行安全芯片设计时，直接调用微处理器就可以实现微处理器和安全芯片的对抗侧信道攻击功能，降低安全芯片设计的难度，为芯片安全功能的成功率提供保障。
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公开(公告)号：CN113254083B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110717773.1
申请日：2021-06-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网宁夏电力有限公司营销服务中心(国网宁夏电力有限公司计量中心) , 国家电网有限公司
IPC: G06F9/38
Abstract: 本发明涉及处理器领域，提供一种指令处理方法、指令处理系统及处理器、芯片。所述指令处理方法包括：取指级取回指令并缓存；译码级读取取指级缓存的指令并对读取的指令进行译码处理，判断译码后的指令中是否存在IT指令，在确定存在IT指令时对所述IT指令的后续相关联的IT区块指令进行处理；执行级执行译码后的指令，将当前执行结果状态信息反馈到所述译码级。本发明在一时钟周期可以读取多条指令，至少节约一个时钟周期，提高流水线执行效率，从而提高处理器的效率。
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公开(公告)号：CN113253796B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110744854.0
申请日：2021-07-01
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G06F1/12
Abstract: 本发明涉及芯片领域，提供一种异步输入信号的同步方法及装置、中央处理器、芯片。所述异步输入信号的同步方法用于双核锁步系统，所述双核锁步系统包括第一内核和第二内核，所述方法包括：将异步输入信号同时输入第一同步器和第二同步器；对所述第一同步器的输出信号和所述第二同步器的输出信号进行校验。本发明采用两个同步器进行对比检测，根据两个同步器的输出信号的对比校验结果信息可捕捉到任意一个同步器出现的故障，保障双核锁步系统的安全性和可靠性。
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公开(公告)号：CN108347264B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201711481655.5
申请日：2017-12-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H04B3/46
Abstract: 本发明公开了一种电力线宽带载波通信测试电路中的阻抗变换设备。其包括上位机、微控制器、功率放大电路、继电器组、模拟阻抗电路组以及滤波电容组。微控制器与上位机之间进行数据通信。微控制器的对应管脚根据上位机的指令输出高低电平，电平信号经功率放大电路进行功率放大，驱动继电器组的触点闭合或断开。模拟阻抗电路组中每个模拟阻抗电路由电阻和电容串联构成并且每个模拟阻抗电路与继电器组的一部分继电器一一对应相连。滤波电容组中每个滤波电容与继电器组的另一部分继电器一一对应相连，用于过滤低频信号。该阻抗变换设备可以更加真实模拟实际场景阻抗特性，提高电力线宽带载波通信测试的准确度和全面性，降低测试成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113254082A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110699799.8
申请日：2021-06-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网宁夏电力有限公司营销服务中心(国网宁夏电力有限公司计量中心) , 国家电网有限公司
IPC: G06F9/38
Abstract: 本发明涉及处理器领域，提供一种条件分支指令处理方法及系统、CPU、芯片。所述条件分支指令处理方法包括：译码级对接收自取指级的指令进行译码，并将译码后的指令发送至执行级，其中译码后的指令包含条件分支指令以及条件分支指令的目标地址；译码级在接收到反馈自执行级的下一时钟周期可继续执行指令的确认信号的情况下，将条件分支指令的目标地址发送至取指级；取指级在接收到来自执行级的条件分支指令跳转确认信号的情况下，预取所述条件分支指令的目标地址的数据。本发明基于流水线结构实现条件分支指令处理，无需同时取顺序地址和目标地址的数据，降低功耗浪费，条件分支不跳转时流水线也不会停顿，提升系统性能。
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公开(公告)号：CN109100635B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201810756556.1
申请日：2018-07-11
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/28 , G01R31/317
Abstract: 本发明公开了一种对多通道金属屏蔽布线层进行完整性检测的电路及方法。该电路包括随机数产生电路和信号比对电路。随机数产生电路用于产生随机数序列，每一路随机数均通过两个传输通道进行传输，所述两个传输通道分别为所述多通道金属屏蔽布线层和所述芯片的下层金属线；信号比对电路对所述两个传输通道输出至所述信号比对电路的随机数信号进行比对，当比对失败的次数超过一定数值，则认为该芯片的多通道金属屏蔽布线层受到攻击并产生报警信号。所述对多通道金属屏蔽布线层进行完整性检测的电路及方法能够准确地检测多通道金属屏蔽布线层是否受到攻击，避免走线内信号干扰造成的误判。
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公开(公告)号：CN112649699A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011455709.2
申请日：2020-12-10
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 中国科学院微电子研究所 , 中国科学院大学
IPC: G01R31/08
Abstract: 本发明涉及芯片测试领域，提供一种确定器件故障点的测试方法及装置。所述确定器件故障点的测试方法包括：按时间顺序对器件的介质层施加恒定电压和脉冲电压；监测所述脉冲电压的变化情况，根据所述脉冲电压的变化情况确定所述器件的介质层是否被击穿；在确定所述器件的介质层被击穿这一时刻停止施加所述脉冲电压，根据所述介质层的击穿情况确定所述器件最早发生故障的故障点。本发明在器件介质层被击穿的最早时期，能够立即感知到电压的变化，并立即停止施加电压。此时器件介质层击穿损坏不严重，可根据损坏情况精确定位器件最早发生故障的故障点的位置，从而分析出导致失效的具体原因，促进设计改进和制造工艺改进。
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公开(公告)号：CN109147862B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201811003043.X
申请日：2018-08-30
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种NVM测试加速方法及系统，该NVM测试加速方法包括如下步骤：通过测试命令打入第一NVM操作指令，其中，第一NVM操作指令包括数据和地址信息；对第一NVM操作指令进行解码和处理以提取出数据和地址信息；基于第一NVM操作指令，产生满足NVM存储器擦、写以及读操作时序信息的第一控制信号，其中，基于第一NVM操作指令，第一控制信号被选择为并行控制多个NVM存储器；基于第一控制信号，并根据数据和地址，进行NVM存储器的对应操作并生成输出数据；以及基于第一NVM操作指令，对输出数据进行比较处理，并输出代表比较结果的失败信号。本发明的NVM测试加速方法能够大幅降低测试时间，从而降低测试成本，并显著提升测试效率。
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公开(公告)号：CN110989758A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911312751.6
申请日：2019-12-18
Applicant: 西安交通大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种带高阶补偿电路的基准源电路结构，包括：pnp型三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5，p型MOS管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8，n型MOS管M9，M10，电阻R1、R2、R3，以及单端输出运放A1；p型MOS管M1、M2、M3，单端输出运放A1，电阻R1，以及pnp型三极管Q1、Q2、Q3、Q4构成正温度系数电流产生电路，用于产生包含一阶项和高阶项的电流；其中，Q1并联在Q2上，Q3并联在Q4；p型MOS管M5、M6、M7、M8、M9、M10，电阻R3，以及pnp型三极管Q5构成零温度系数电流产生电路，用于为Q3提供电流偏置；p型MOS管M4，电阻R2，以及pnp型三极管Q5构成输出支路，用于输出基准电压。本发明的结构设计简便且温度系数较低。
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