公开(公告)号：CN208127241U

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201820318792.0

申请日：2018-03-08

Applicant: 北京大学东莞光电研究院 ,  东莞市中皓照明科技有限公司

Inventor： 陈建 ,  王永志 ,  郑小平 ,  童玉珍 ,  王琦 ,  刘南柳

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58

Abstract: 本实用新型公开了一种高光效白光LAMP-LED结构，解决了现有技术在白光LAMP LED封装过程中焊线不良、出光效率不佳的问题。本实用新型包含有倒装LED芯片，倒装LED芯片安装在平头Γ型支架的平台上；半球形LED荧光粉发光层将倒装LED芯片与平头Γ型支架上端包裹；环氧树脂胶透镜包裹在半球形LED荧光粉发光层外围；倒装LED芯片与平头Γ型支架的平台通过固晶锡膏连接；平头Γ型支架由匹配的一对平头Γ型正极支架、平头Γ型负极支架组成。本实用新型利用平头Γ型支架作为白光LED封装支架，简化了固晶焊线测序并提高产品的可靠性，因此大大提高了白光LAMP LED出光效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN204714948U

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201520345573.8

申请日：2015-05-26

Applicant: 北京大学东莞光电研究院

Inventor： 陈蛟 ,  李成明 ,  刘南柳 ,  巫永鹏 ,  罗睿宏 ,  李顺峰 ,  张国义

IPC: C30B29/40 ,  C30B35/00

Abstract: 本实用新型公开了一种GaN晶体生长装置，包括高压釜，该高压釜内装设有坩埚，该坩埚内填充有晶体生长溶液，坩埚内放置有位于晶体生长溶液内的GaN籽晶，所述坩埚内设有浮在晶体生长溶液上的漂浮体，GaN籽晶生长面的背面与该漂浮体连接，漂浮体利用浮力带着GaN籽晶漂浮在晶体生长溶液上。本实用新型通过使GaN籽晶漂浮于高N浓度生长溶液顶部区域,GaN晶体可在生长溶液顶部区域的N过饱和溶液下高速率高质量生长，相对于传统的低N浓度生长溶液底部区域GaN晶体生长，顶部区域不仅为GaN晶体生长提供了丰沛的N源而快速生长，而且还有利于避免生长溶液顶部区域GaN自发形核产生多晶的问题。