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公开(公告)号：CN109817723B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201910067217.7
申请日：2019-01-24
Applicant: 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/417 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L27/32
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，用于降低驱动TFT的漏电流，从而提高显示面板的电学性能。该薄膜晶体管包括依次层叠的有源层和源极及漏极，其中：所述有源层分为沟道区和接触区，位于所述沟道区的有源层为多晶硅材料，位于所述接触区的有源层为非晶硅材料；所述源极和所述漏极位于所述接触区上，且所述源极沿厚度方向的截面与所述沟道区之间具有第一设定距离，所述漏极沿厚度方向的截面与所述沟道区之间具有第二设定距离，所述第一设定距离与所述第二设定距离相同或不同。
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公开(公告)号：CN114694590A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210507350.1
申请日：2019-08-23
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G09G3/3233 , G09G3/3266 , H01L27/32
Abstract: 一种显示装置及其制备方法。该显示装置，包括衬底基板以及形成在衬底基板上的至少一个像素电路；像素电路包括驱动晶体管、第一晶体管以及第二晶体管；驱动晶体管包括控制极、第一极和第二极，且被配置为，根据驱动晶体管的控制极的电压，控制流经驱动晶体管的第一极和驱动晶体管的第二极的用于驱动发光元件发光的驱动电流；第一晶体管包括第一有源区，第二晶体管包括第二有源区，驱动晶体管包括第四有源区，第一有源区以及第二有源区中的至少一个的掺杂浓度大于第四有源区的掺杂浓度。该显示装置可以提高驱动发光元件进行发光的均匀性。
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公开(公告)号：CN110972508B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201980000226.2
申请日：2019-03-04
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本公开涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。所述薄膜晶体管包括：衬底；在所述衬底上依次层叠的第一半导体层、栅极介质层和栅极电极，其中，所述第一半导体层具有位于所述薄膜晶体管的沟道区域中的第一部分和位于所述薄膜晶体管的源/漏极区域中且位于所述第一部分两侧第二部分，并且其中，所述第二部分和所述第一部分的与所述第二部分邻接的第一子部分包括非晶半导体材料，所述第一部分的位于所述第一子部分之间的第二子部分包括多晶半导体材料；位于所述源/漏极区域的且与所述第二部分接触的第二半导体层，其中，所述第二半导体层的导电性高于所述非晶半导体材料的导电性。
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公开(公告)号：CN113950747A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202080000752.1
申请日：2020-05-15
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 合肥京东方卓印科技有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 一种显示基板及其制备方法、显示装置，显示基板包括：多个显示单元；显示单元包括：位于显示区域，且依次设置在衬底上的驱动结构层、发光结构层和彩膜层；发光结构层包括：多个发光结构；每个发光结构包括：像素定义层和有机发光层；有机发光层位于像素定义层的开口区域内和像素定义层上；彩膜层包括：多个滤光片；显示基板包括：位于显示区域的间隔区域，间隔区域位于相邻发光结构的像素定义层的开口区域之间，且间隔区域在衬底上的正投影与像素定义层在衬底上的正投影存在重叠区域；相邻滤光片在衬底上的正投影存在重叠区域；相邻滤光片的重叠区域在衬底上的正投影与间隔区域在衬底上的正投影存在重叠区域。
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公开(公告)号：CN113808542A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111108420.8
申请日：2021-09-22
Applicant: 北京京东方技术开发有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G09G3/3233 , G09G3/3266
Abstract: 本发明提供一种像素电路、驱动方法和显示装置。所述像素电路包括发光元件、驱动电路、第一初始化电路、第二初始化电路、第三初始化电路、第一储能电路、第二储能电路和数据写入电路；所述第一初始化电路在第二扫描信号的控制下，将第二初始电压写入第一节点；所述第二初始化电路在第三扫描信号的控制下，将第一初始电压写入第二节点；所述第三初始化电路在第三扫描信号的控制下，将第三初始电压写入第三节点。本发明能简化驱动IC(集成电路)的设计，并可以使得在发光阶段，所述驱动电路驱动所述发光元件的驱动电流与所述发光元件本身的电容无关。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112823422A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202180000543.1
申请日：2021-03-22
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
Abstract: 本公开提供了显示面板及显示装置，其中，显示面板，包括：衬底基板，晶体管阵列层，像素限定层，触控电极，其中，第一颜色子像素的开口区域的面积小于第三颜色子像素的开口区域的面积，且第二颜色子像素的开口区域的面积小于第三颜色子像素的开口区域的面积；第一颜色子像素中的第二电容在衬底基板的正投影与触控电极在衬底基板的正投影具有第一辅助交叠面积；第二颜色子像素中的第二电容在衬底基板的正投影与触控电极在衬底基板的正投影具有第二辅助交叠面积；第三颜色子像素中的第二电容在衬底基板的正投影与触控电极在衬底基板的正投影具有第三辅助交叠面积；第一辅助交叠面积和第二辅助交叠面积中的至少一个大于第三辅助交叠面积。
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公开(公告)号：CN112331714B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202110000866.2
申请日：2021-01-04
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 一种显示基板及显示装置。该显示基板包括第一导电结构，该第一导电结构包括相对的第一表面和第三表面以及相对的第二表面和第四表面，该第一表面与第二表面的材料相同，该第一表面和第二表面分别与衬底基板的板面形成不同的夹角；该第一表面上设置有第一表面微结构，该第二表面上设置有第二表面微结构；该第一表面微结构具有与衬底基板垂直的第一截面，该第一截面在该第三表面具有第一正投影；该第一正投影的长度小于该第一表面微结构在该第一截面上的长度；该第二表面微结构具有与衬底基板垂直的第二截面，该第二截面在该第四表面上具有第二正投影，该第二正投影的长度小于该第二表面微结构在该第二截面上的长度。该显示基板可以有效提高良率。
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公开(公告)号：CN112562586A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011457395.X
申请日：2020-08-28
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G09G3/3208 , H01L27/32
Abstract: 一种显示面板及显示装置。该显示面板包括衬底基板、透光区、显示区、显示区与透光区之间的周边区、多个像素驱动电路单元、n条第一信号线、触控层以及发光元件。n条第一信号线中相邻两条第一信号线的第一延伸部之间的距离大于相邻两条第一信号线的第一弯折部之间的距离，第一连接部与n条第一信号线的第一延伸部在衬底基板上的正投影交叠面积为S1，第一连接部与n条第一信号线的第一弯折部在衬底基板上的正投影交叠面积为S2，其中，S1≥S2，S1大于零，n为大于1的整数。至少一条第一信号线的第一延伸部长度为L1，在垂直衬底基板的方向上，至少一条第一信号线的第一延伸部与第二电极的距离为H1，距离满足公式：H1≥(S1/n)/L1。
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公开(公告)号：CN112366226A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202110039159.4
申请日：2021-01-13
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 一种显示基板及其制作方法和显示装置。在该显示基板中，各子像素包括：导电遮光结构；缓冲层，位于导电遮光结构远离衬底基板的一侧；半导体层，位于缓冲层远离导电遮光结构的一侧；层间绝缘层，位于半导体层远离缓冲层的一侧；以及导电层，位于层间绝缘层远离半导体层的一侧，且包括导电结构。导电遮光结构包括第一主体部和第一凹陷部，第一凹陷部在垂直于衬底基板的方向上的平均厚度小于第一主体部在垂直于衬底基板的方向上的厚度，显示基板还包括第一接触孔，第一接触孔穿过层间绝缘层和缓冲层，导电结构通过第一接触孔与第一凹陷部连接。由此，该显示基板可提高导电结构和导电遮光结构的电连接效果。
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公开(公告)号：CN109742024B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201910001827.7
申请日：2019-01-02
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L21/324 , H01L27/12
Abstract: 本发明公开了一种激光退火方法和阵列基板，属于显示技术领域。所述方法包括：提供衬底基板；在至少一个非晶硅图案远离衬底基板的一侧设置掩膜组件，掩膜组件包括掩膜板和微透镜阵列；通过激光光源从掩膜组件远离非晶硅图案的一侧照射掩膜组件，激光光源发出的激光透过掩膜组件中的掩膜板和微透镜阵列后照射在至少一个非晶硅图案的指定区域。本发明通过包括掩膜板以及微透镜阵列的掩膜组件来控制激光光源发出的激光，使该激光照射在非晶硅层上的指定区域。限制了进行激光退火的区域，进而缩小了非晶硅层中转化为多晶硅层的面积。解决了相关技术中有源层构成的TFT的漏电流较大的问题。达到了降低有源层构成的TFT的漏电流的效果。
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