一种有机-无机杂化钙钛矿单晶异质结、制备方法及其用途

    公开(公告)号:CN114695666A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202210280510.3

    申请日:2022-03-21

    Abstract: 本发明涉及一种有机‑无机杂化钙钛矿单晶异质结和制备方法及其用途。一种有机‑无机杂化钙钛矿单晶异质结,所述的有机‑无机杂化钙钛矿单晶异质结由单晶硅片及在所述的单晶硅片表面外延生长的有机‑无机杂化钙钛矿铅氯甲胺单晶。本发明制备出了CH3NH3PbCl3/Si异质结,制备方法简单,成本低廉、反应条件温和、稳定性较高。本发明制备的CH3NH3PbCl3/Si异质结对紫外光有着优异的光电响应。此外,利用CH3NH3PbCl3单晶异质结与硅基之间形成异质结之后的内建电场,在不加外加偏压的条件下即可对光生载流子就行分离和传输,形成电流。即该异质结不需要外加电压便可自驱动紫外光电探测。开发制备所得的自驱动紫外光电探测器因不需要外加电源,可实现能源节约以及所制备小型化器件,因此实现自驱动的紫外光电探测具有非常重要的实用价值。

    一种二维有机-无机杂化双钙钛矿半导体晶体及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN114686987A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202210280517.5

    申请日:2022-03-21

    Abstract: 本发明涉及一种二维有机‑无机杂化双钙钛矿半导体晶体及其制备方法和用途。一种有机‑无机杂化双钙钛矿半导体晶体,所述的无机‑有机杂化半导体材料的化学式为(C6H5CH2NH3)4AgBiBr8。本发明制备了一种有机‑无机杂化双钙钛矿半导体晶体,本发明的有机‑无机杂化双钙钛矿半导体晶体制备成平面光电导探测器可实现对本征吸收光谱的高灵敏度探测。利用波长为405nm的激光照射该单晶晶体探测器件,测试其光电响应。当入射光的功率密度为50.9mW/cm2时,该晶体器件表现出明显的光电导效应,光电流和暗电流的比值可以达到1.8×103。该结果表明该材料用作光电导探测器件具有潜在的应用价值。

    p-甲基苯磺酸[4-(4-二乙基氨苯乙烯基)甲基吡啶]水合物、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN112679419A

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN202011580748.5

    申请日:2020-12-28

    Abstract: 本发明涉及p‑甲基苯磺酸[4‑(4‑二乙基氨苯乙烯基)甲基吡啶]水合物、制备方法及应用。该化合物的化学分子式为C25H32N2O4,组成为C18H23N2·CH3C6H4SO3·H2O,属于三斜晶系,空间群为P‑1,晶胞参数为a=7.9587(3),b=9.6568(4),α=92.889(4)°,β=98.665(4)°,γ=101.321(4)°,Z=2和本发明的化合物主要表现为明显的饱和吸收特性,且其制备过程具有反应条件温和、合成路线简单和原料易得等优点,作为非线性饱和吸收材料在激光脉冲压缩、光学双稳态器件等方面具有潜在的实施价值。

    Li9Na3Rb2(SO4)7化合物、非线性光学晶体及其制法和用途

    公开(公告)号:CN108910920B

    公开(公告)日:2020-04-07

    申请号:CN201811102374.9

    申请日:2018-09-20

    Abstract: 本发明涉及一种Li9Na3Rb2(SO4)7化合物、非线性光学晶体及其制法和用途。本发明有如下有益效果:晶体易长大且透明无包裹体,具有生长速度较快、成本低、易于获得较大尺寸晶体等优点;所获得的晶体具有较短的紫外吸收截止边、较大的非线性光学效应、物理化学性能稳定、机械性能好、易于加工等优点;该晶体可用于制作非线性光学器件;本发明非线性光学晶体制作的非线性光学器件可用于若干军事和民用高科技领域中,例如激光致盲武器、光盘记录、激光投影电视、光计算和光纤通讯等。

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