公开(公告)号：CN1983414A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610167767.9

申请日：2006-12-18

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 岛沢幸司 ,  田上胜通

IPC: G11B11/105 ,  G11B5/02 ,  G11B5/31

Abstract: 提供了一种具有这样一种结构的薄膜磁头，在该结构中，元件成形表面和面对介质的表面彼此垂直，光源足够远离介质表面。该磁头包括至少一个近场光产生层，该至少一个近场光产生层用于在写操作期间通过产生近场光加热部分磁介质，具有向着面对介质的表面侧的头端表面逐渐变细的形状，并且包括一个具有光接收表面和一个尖端的近场光产生部分，该尖端触及面对介质的表面侧的头端表面，该光接收表面相对于元件成形表面倾斜并被设置在使从与面对介质的表面相对的头端表面传播的入射光能够到达该光接收表面的至少一部分的位置。

公开(公告)号：CN101609687A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200910203244.9

申请日：2009-05-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 岛沢幸司 ,  长勤 ,  土屋芳弘

IPC: G11B5/31 ,  H01F10/08 ,  G11B5/48 ,  G11B5/02

CPC classification number: G11B5/314 ,  G11B2005/0024

Abstract: 本发明提供了一种薄膜磁头，其能够在即使存在频繁反向的方向的极强的写场的情况下，仍能稳定产生带有预期频率的电磁场。所述磁头包括在第一和第二磁极之间的电磁场发生元件。所述电磁场发生元件包括自旋波激励层，用以通过激励自旋波产生高频电磁场，其中该自旋波激励层相邻于所述第一磁极并且具有根据外部磁场而改变其方向的磁化。所述自旋波激励层的磁化通过从所述第一磁极中产生的磁场的一部分而被沿着基本垂直于其层表面的方向偏置，并且自旋波激励电流沿着从第二磁极到第一磁极的方向在电磁场发生元件中流动。

公开(公告)号：CN103824568A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201210465887.2

申请日：2012-11-16

Applicant: 新科实业有限公司 ,  TDK株式会社

Inventor： 藤田恭敏 ,  藤井隆司 ,  丹泽秀树 ,  西岛夏夫 ,  李泰文 ,  黄坚辉 ,  梁焕巢 ,  岛沢幸司 ,  平田京 ,  宮内大助

IPC: G11B5/60 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/3173 ,  G11B5/102 ,  G11B5/314 ,  G11B2005/0021

Abstract: 本发明公开一种用于热辅助磁头滑动块，包括：衬底，衬底具有光源模块以及面向磁性记录媒介表面的空气承载面；读部分，读部分具有读元件；以及写部分，写部分包括写元件、用于引导由光源模块产生的光的波导路，以及设置于写元件和波导路附近的等离子体激元单元，等离子体激元单元具有近场光产生表面以传播近场光至空气承载面。其中，读部分的媒介面向表面上覆盖具有第一厚度和第一光吸收系数的第一表层，写部分的媒介面向表面上覆盖具有第二厚度和第二光吸收系数的第二表层，其中，第二厚度大于第一厚度，第二光吸收系数小于第一光吸收系数。本发明能保护写部分并提高读部分的读取性能。本发明还公开了磁头折片组合、硬盘驱动器及制造方法。

公开(公告)号：CN103824568B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201210465887.2

申请日：2012-11-16

Applicant: 新科实业有限公司 ,  TDK株式会社

Inventor： 藤田恭敏 ,  藤井隆司 ,  丹泽秀树 ,  西岛夏夫 ,  李泰文 ,  黄坚辉 ,  梁焕巢 ,  岛沢幸司 ,  平田京 ,  宮内大助

IPC: G11B5/60 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/3173 ,  G11B5/102 ,  G11B5/314 ,  G11B2005/0021

Abstract: 本发明公开一种用于热辅助磁头滑动块，包括：衬底，衬底具有光源模块以及面向磁性记录媒介表面的空气承载面；读部分，读部分具有读元件；以及写部分，写部分包括写元件、用于引导由光源模块产生的光的波导路，以及设置于写元件和波导路附近的等离子体激元单元，等离子体激元单元具有近场光产生表面以传播近场光至空气承载面。其中，读部分的媒介面向表面上覆盖具有第一厚度和第一光吸收系数的第一表层，写部分的媒介面向表面上覆盖具有第二厚度和第二光吸收系数的第二表层，其中，第二厚度大于第一厚度，第二光吸收系数小于第一光吸收系数。本发明能保护写部分并提高读部分的读取性能。本发明还公开了磁头折片组合、硬盘驱动器及制造方法。

公开(公告)号：CN100580784C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200610167767.9

申请日：2006-12-18

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 岛沢幸司 ,  田上胜通

IPC: G11B11/105 ,  G11B5/02 ,  G11B5/31

Abstract: 提供了一种具有这样一种结构的薄膜磁头，在该结构中，元件成形表面和面对介质的表面彼此垂直，光源足够远离介质表面。该磁头包括至少一个近场光产生层，该至少一个近场光产生层用于在写操作期间通过产生近场光加热部分磁介质，具有向着面对介质的表面侧的头端表面逐渐变细的形状，并且包括一个具有光接收表面和一个尖端的近场光产生部分，该尖端触及面对介质的表面侧的头端表面，该光接收表面相对于元件成形表面倾斜并被设置在使从与面对介质的表面相对的头端表面传播的入射光能够到达该光接收表面的至少一部分的位置。