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公开(公告)号:CN102666891B
公开(公告)日:2014-05-14
申请号:CN201180004521.9
申请日:2011-03-25
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
IPC: C22C9/06 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/10 , C22F1/08 , H01B1/02 , H01B5/02 , C22F1/00
Abstract: 一种高强度且弯曲加工后的外观优良的Cu-Ni-Si系合金条,其含有Ni:0.8~4.6质量%及Si:0.3~1.6质量%、以及总量为2.0质量%以下的任意成分Sn、Zn、Fe、Co、Cr、Mg和Mn中的1种以上,表层的剪切带的线条根数相对于板厚中央部的剪切带的线条根数为1.0以下;优选表层的剪切带根数为10根/10000μm2以下;表层的1~10μm的析出物颗粒的个数为1.0×102个/mm2以下,表层的1~10μm的析出物的颗粒数相对于中央部的颗粒数为1.0以下。
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公开(公告)号:CN102453810A
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:CN201110316289.4
申请日:2011-10-18
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
Abstract: 本发明提供强度、导电率及弯曲加工性优异的钛铜及其制造方法。该钛铜含有0.5~4.5质量%的Ti,剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成,Ti浓度为8.5质量%以下的晶界反应相与Ti浓度超过15质量%的稳定相之间的面积比,即,(晶界反应相的面积)/(稳定相的面积)为14以上,屈服强度σ0.2为850MPa以上、导电率为18%IACS以上,在与压延方向成直角的方向进行JISH3130中规定的W弯曲试验时,不产生裂纹的最小弯曲半径(MBR,单位:mm)与板厚(t,单位:mm)之比(MBR/t)为1以下。
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公开(公告)号:CN1897171B
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN200610105676.2
申请日:2006-07-17
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
Abstract: 电气电子设备用Cu-Zn-Sn合金本发明的目的在于提供一种兼有必要且充分的导电率和强度,可适应电子设备部件的小型化、且低成本的铜合金。含有2~12质量%的Zn和0.1~1.0质量%的Sn,并将Sn的质量百分比浓度([%Sn])和Zn的质量百分比浓度([%Zn])的关系调整到0.5≤[%Sn]+0.16[%Zn]≤2.0的范围内,其余部分由铜和其不可避免的杂质构成,不可避免的杂质中S浓度小于等于30质量ppm、O浓度小于等于50质量ppm,在具有上述特征的铜合金中,能够以较低的成本获得:通过将晶粒形状和结晶方位调整到适当的范围内,从而具有大于等于35%IACS的电导率以及大于等于410MPa的拉伸强度,并可进行较差方式以及较好方式的180度贴合弯曲加工的铜合金。
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公开(公告)号:CN102666891A
公开(公告)日:2012-09-12
申请号:CN201180004521.9
申请日:2011-03-25
Applicant: JX日矿日石金属株式会社
IPC: C22C9/06 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/10 , C22F1/08 , H01B1/02 , H01B5/02 , C22F1/00
Abstract: 一种高强度且弯曲加工后的外观优良的Cu-Ni-Si系合金条,其含有Ni:0.8~4.6质量%及Si:0.3~1.6质量%、以及总量为2.0质量%以下的任意成分Sn、Zn、Fe、Co、Cr、Mg和Mn中的1种以上,表层的剪切带的线条根数相对于板厚中央部的剪切带的线条根数为1.0以下;优选表层的剪切带根数为10根/10000μm2以下;表层的1~10μm的析出物颗粒的个数为1.0×102个/mm2以下,表层的1~10μm的析出物的颗粒数相对于中央部的颗粒数为1.0以下。
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