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公开(公告)号：CN114761502A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080082375.0
申请日：2020-11-17
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用组合物以及研磨方法，可在高速地研磨含有钨膜或硅氮化物膜的半导体基板的同时，减少研磨后的被研磨面上的表面缺陷的产生。本发明的化学机械研磨用组合物含有(A)含有氧化钛的研磨粒、以及(B)液状介质，其中所述化学机械研磨用组合物中的所述(A)成分的仄他电位的绝对值为8mV以上。
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