-
-
公开(公告)号:CN1708968A
公开(公告)日:2005-12-14
申请号:CN200380102525.6
申请日:2003-10-31
Applicant: GCT半导体公司
CPC classification number: H03C3/0966 , H03C3/0933
Abstract: 一种变频环发射机使用最多一个锁相环(PLL)电路来生成射频信号。在一个实施例中,单个PLL生成两个本地振荡信号。第一振荡信号与基带信号混频以生成中频信号。第二振荡信号被输入到所述变频环,以便将压控振荡器调整到期望的载频。为了进行此种类型的调制,设置本地振荡信号的频率,使得它们相对于载频谐波相关。其它各实施例仅生成一个振荡信号。在这些条件下,使用所述振荡信号来生成中频信号,并且使用变频环中的分频器来生成控制信号,用于将压控振荡器调整到载频。在其它实施例中,不使用任何锁相环电路来生成发射机信号。这通过使用晶体振荡器来生成中频信号,然后使用反馈环中的分频器来生成控制信号,用于将压控振荡器调整到载频来完成。通过最小化发射机中的锁相环电路的数目,可显著地降低移动手机的尺寸、成本和功率需求。
-
公开(公告)号:CN100550873C
公开(公告)日:2009-10-14
申请号:CN200380102525.6
申请日:2003-10-31
Applicant: GCT半导体公司
CPC classification number: H03C3/0966 , H03C3/0933
Abstract: 一种变频环发射机使用最多一个锁相环(PLL)电路来生成射频信号。在一个实施例中,单个PLL生成两个本地振荡信号。第一振荡信号与基带信号混频以生成中频信号。第二振荡信号被输入到所述变频环,以便将压控振荡器调整到期望的载频。为了进行此种类型的调制,设置本地振荡信号的频率,使得它们相对于载频谐波相关。其它各实施例仅生成一个振荡信号。在这些条件下,使用所述振荡信号来生成中频信号,并且使用变频环中的分频器来生成控制信号,用于将压控振荡器调整到载频。在其它实施例中,不使用任何锁相环电路来生成发射机信号。这通过使用晶体振荡器来生成中频信号,然后使用反馈环中的分频器来生成控制信号,用于将压控振荡器调整到载频来完成。通过最小化发射机中的锁相环电路的数目,可显著地降低移动手机的尺寸、成本和功率需求。
-
公开(公告)号:CN1708904A
公开(公告)日:2005-12-14
申请号:CN200380102040.7
申请日:2003-10-23
Applicant: GCT半导体公司
IPC: H03L7/06
Abstract: 用于提高频率发生器的信噪比的系统和方法抑制相位噪声和由内部发生器电路中的不匹配生成的噪声。这是使用一种将寄生噪声信号移出发生器的环路带宽的调制方案来实现的。当用这种方式移动时,使用例如位于沿发生器的信号路径的滤波器,可以将噪声信号全部去除或去除到任何所需程度。在一个实施例中,∑-Δ调制器控制沿锁相环的反馈路径放置的吞脉冲分频器的值以便实现所需噪声抑制度。在另一实施例中,调制输入到锁相环的参考信号以便实现噪声抑制。在另一实施例中,组合上述形式的调制以便实现所需频偏。通过这些调制技术,可以实质上提高频率发生器的信噪比,同时实现更快锁定时间。
-
公开(公告)号:CN100362743C
公开(公告)日:2008-01-16
申请号:CN200380102040.7
申请日:2003-10-23
Applicant: GCT半导体公司
IPC: H03L7/06
Abstract: 用于提高频率发生器的信噪比的系统和方法抑制相位噪声和由内部发生器电路中的不匹配生成的噪声。这是使用一种将寄生噪声信号移出发生器的环路带宽的调制方案来实现的。当用这种方式移动时,使用例如位于沿发生器的信号路径的滤波器,可以将噪声信号全部去除或去除到任何所需程度。在一个实施例中,∑-Δ调制器控制沿锁相环的反馈路径放置的吞脉冲分频器的值以便实现所需噪声抑制度。在另一实施例中,调制输入到锁相环的参考信号以便实现噪声抑制。在另一实施例中,组合上述形式的调制以便实现所需频偏。通过这些调制技术,可以实质上提高频率发生器的信噪比,同时实现更快锁定时间。
-
-
-
-