用于制造超导集成电路的系统和方法

    公开(公告)号:CN115004393A

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202080095035.1

    申请日:2020-12-03

    Abstract: 披露了一种用于减轻超导集成电路中的磁通俘获的系统和方法。形成具有第一临界温度和第一装置的第一金属层,并且形成具有第二临界温度的磁通引导层。磁通引导层定位成与孔口位置连通,并且该孔口位置与第一装置间隔开以将第一装置与在孔口中俘获的磁通隔离。超导集成电路通过低温制冷机从高于第一临界温度和第二临界温度两者的第一温度冷却至小于第一临界温度和第二临界温度两者的第二温度。第一临界温度与第二临界温度之间的相对温度差引起磁通引导层背离第一装置引导磁通并在孔口位置处俘获磁通。

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